Накопитель постоянного запомин.лющего устройства

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советския

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 10.Ч.1972 (№ 1782368/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано ЗО.Х1.1973. Бюллетень № 48

Дата опубликования описания 25.IV.1974

M. Кл G 11с 17/00

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий

УДК 681.327.66 (088.8) Автор изобретения

А. Ф. Соколенко

Заявитель

НАКОПИТЕЛЪ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО

УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении постоянных запоминающих устройств (ПЗУ).

Известны накопители трансформаторных

ПЗУ, содержащие запоминающие трансформаторы, прошитые кодовыми шинами и вторичными обмотками, шунтированными демпфирующими элементами.

Трансформатор выполнен на кольцевом

П-образном или Ш-образном магнитопроводе, а демпфирующий элемент — в виде резистора или резистивного витка.

В известных накопителях первичной обмоткой таких трансформаторов являются кодовые шины, проходящие внутри сердечника в том случае, если прошивается «1», или вне сердечника, если кодовой шиной прошивается «0». При прохождении импульса тока опроса по кодовой шине на выходе вторичной обмотки запоминающего трансформатора возникает импульс напряжения, когда прошита

«1». Если прошит «О», импульс напряжения на выходе запоминающего элемента отсутствует.

В этом случае вследствие индуктивно-емкостных связей между другими кодовыми шинами и выбранной может наводиться импульс помехи. Амплитуды напряжений считываемой

«1» и помехи при считывании «О» линейно зависят от амплитуды тока опроса, причем они соизмеримы. Это вынуждает значительно усложнять устройства, применяя методы, позволяющие стабилизировать или ток опроса, или импеданс нагрузки (противоток, закорачивание и др.).

Большая индуктивность, вносимая в цепь опроса, снижает быстродействие запоминающего устройства. Методы противотока и закорачивание не полностью решают задачу

j0 уменьшения индуктивности провода опроса, так как в принципе не позволяют уменьшить индуктивность, вносимую выбранной числовой линейкой.

15 Кроме того, известные накопители характеризуются узкополосностью контура, образованного вторичной обмоткой (обмоткой считывания) и паразитной емкостью этой обмотки. Демпфирование этой обмотки осущест20 вляется введением потерь в контур (резистором или резистивным кольцоМ), причем величина вносимого сопротивления выбирается такой, чтобы сделать разряд контура апериодическим, IIQ не слишком уменьшить ампли25 туду сигнала. Все-таки полоса пропускания такого шунтированного контура остается узкой и сказывается на крутизпе фронтов сигнала «1» и длительности помехи в сторону увеличения. Это ведет к снижению быстро30 действия. При более сильном шунтировании

409295 уменьшается амплитуда считываемого сигнала, понижается к.п.д. всего устройства.

Цель изобретения — повышение быстродействия и надежности работы накопителей трансформаторных запоминаю1цих устройств. 5

Это достигается тем, что накопитель содержит в качестве демнфирующих элементов туннельные диоды. Характерис1ика накопителя при этом определяется вольт-амперной характеристикой туннельного диода, подкл1оченно- 10 го параллельно обмотке сч1пывания.

Такой накопитель обладает следующими преимущества ми.

Индуктивность, вносимая накопителем в прошивочный провод, шунтируется сопротив- 15 лением, величина которого в 10 50 раз меньшем, чем в известных накопителях.

Накопитель имеет пороговые свойства, а амплитуда сигнала считываемой единицы нормируется параметрами накопи1елл, что 20 позволяет упростить схему или изъять из нее усил ител и.

Нагрузка, вносимая не только невыбранными числовыми линейками, но и выбранной, значительно уменьшается. Гарантируется оп- 25 ределенное отношение сигнал/помеха на входе усилителя.

Контур, образованный индуктивностью вторичной обмотки и паразитной емкостью, III) íтируется малым сопротивлением и поэтому 30 имеет значительно более широкий частотный спектр при сохранении большой амплитуды сигнала.

На фиг. 1 показана схема включения одного запоминающего трансформатора накопите- 35 ля, где 1 — ферритовый сердечник, 2 — вторичная обмотка, 3 и 4 — кодовые шины, 5— демпфирующии элемент, в данном случае туннельный диод.

На фиг. 2 представлены электрические ха- 40 рактеристики накопителя, где 6 — вольт-ампериая характеристика туннельного диода, 7 — нагрузочиая характеристика цепи тока опроса, пересчитанная во вторичную обмотку, 8 — нагрузочная характеристика тока индук- 45 тивно-емкостной помехи, пересчитанная во вторичную обмотку, 9 — вольт-амперная характеристика резистора с таким я(е демпфированием, какое дает туннельный диод, 10 —— вольт-ампериая характеристика резистора 50 для такой же амплитуды сигнала, какую дает туннельный диод. Нагрузочные характерис- ики показаны для минимально допустимого тока опроса Ir,„и максимально допустимого тока помехи 1„„,. Току помехи /п,„соответствует напряжение U„,,„íà выходе накопителя при считывании нуля, току опроса 1,.„— напряжение U,. ñ÷èòàíIIoé единицы. Наклон нагрузочных прямых определяется сопротивлением, включенным в цепь провода 60 опроса, умноженным на и -, где n=40 — 60— числО ВиткОВ Вторичной Обмотк! . Это сопротивление практически сос1авл лет несколько сотен килоом, и наклон прямых (7, 8) очень мял.

На участке АВ вольт-ямперной характеристики 1уннелы1ого диода, который соответствует току помехи /„„„в выбранной числовой линейке или, например, противотоку в невыбранной числовой линейке запоминающего устройства, динамическое сопротивление туннельного диода имеет величину r=20 — 100о,11 (в зависимости от типа диода). При числе витков обмотки считывания n=60 это сопротивление нересчн1ывяется в цепь первичной одновитковой обмотки и составляет величину порядка нескольких сотых долей ома. Это сопротивление обеспечивает сильное шунтироВание как первичной цепи тока помехи, так и вторичной обмотки.

Предложенное устройство работает следующим образом.

При увеличении тока в кодовой шине до величины тока опроса 1,.„происходит переход цакопителя в состояние, опредсляемое точкой

С на характеристике туннельного диода, причем участок в области точки С также харак1еризуется малой величиной динамического сопротивления (порядка 30 — 150 ол). Таким образом, и выбранная и невыбранная числовые линейки в постоянном ЗУ с таким накопителем шунтируются малым сопротивлением как при счить1вании нулей, тяк и при считывании единиц.

Время перехода из точки А характеристики в точку С для туннельного диода составляет несколько единиц наносекунд и позволяет строить с таким накопителем устройства с высоким быстродействием. Вольт-ампсрнял характеристика 9 для случая демпфирования вторичной обмотки резистором с такой же с1епенью, кяк н туннельным диодом, дает

ВОЗМОжНОСтЬ ПРИ ТОКЕ НОМЕХИ 1пп,„И ТОКЕ Onроса аппп определить отношение У„„„/Уп»((«U,„,„/U„„„. При дсмпфировании вторичной

Оомотки резистором с таким же сигналом, как и с туннельным диодом (втольт-амперная характеристика 10), имеет место отношение (/сши/(/ пом ((сввп/(/ппм ПРИ МЕНЬШЕЙ СТЕПЕни шунтирования, т. с. при худших частотных свойствах накопителя.

Предмет изобретения

Накопитель постоянного запоминающего устройства, содержащий запоминающие трансформаторы, прошитые кодовыми шинами и вторичными обмотками, шунтированными демпфирующими элементами, о т л и ч а ющ и и ся чем, что, с целью повышения быстродействия и надежности работы накопителя, он содержит в качестве демпфирующих элементов туннельные диоды.

40929э

Фиг 1

Составитель 10. Розенталь

1зсдяктор И. Грузова

Тскрсд Т. Ускова

Корректор H. Аук

Заказ 1003 18 Изд. № 1124 Тирякк 576 Подниснос

Ц1-!ИИП1Л Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Ряушскяя няб., д. 4 5

Типография, пр. Сапунова, 2