Патент ссср 410376

Авторы патента:

H02H7/10 - схемы защиты преобразователей; схемы защиты выпрямителей

G05F1/569 - для защиты от перегрузки

410376

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

М. Кл. G 05f 1/58

Заявлено 22Х.1972 (№ 1787361 24-7) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 08Х.1974

7осударстеенный комитет

Сонета Министров СССР но делам изаоретений и открытий

УДК 621.316.722.1 (088.8) Автор изобретения

Д. С. Морщинов

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ СТАБИЛИЗАТОРА

ОТ ПЕРЕГРУЗОК ПО ТОКУ

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электротехнических приборах, в частности в стабилизированных источниках питания с последовательным включением регулирующего транзистора. 5

Известны устройства для защиты стабилизатора от перегрузок по току, содержащие запирающий транзистор, включенный последовательно с нагрузкой, и схему управления этим тр ан зистором. 10

Однако схема управления известных устройств выполнена на туннельном диоде, в результате чего отсутствует возможность плавной регулировки тока срабатывания защиты, так как максимальный ток туннельного диода, по достижении которого срабатывает устройство защиты, колеблется в очень широких пределах.

Целью изобретения является устранение 20 указанного недостатка, а также уменьшение разности между этим током и максимальным рабочим током нагрузки.

Эта цель достигается тем, что схема управления выполнена на транзисторе, подключен- 25 ном своими электродами к электродам запирающего транзистора соответственно эмиттером к эмиттеру, коллектором к базе и базой через резистор к коллектору.

На чертеже изображена схема устройства 50 для защиты от перегрузок по току.

Устройство выполнено на двух транзисторах 1 и 2. Эмиттеры обоих транзисторов подключены к минусу. напряжения питания. База транзистора 2 через резистор 3 подключена к коллектору транзистора 1. База транзистора

1 и коллектор транзистора 2 объединены и через резистор 4 подключены к плюсу нагрузки 5. Между базой и эмиттером транзистора

2 включены конденсатор 6 и резистор 7.

Когда ток нагрузки не превышает установленного тока срабатывания защиты, транзистор 1 открыт и находится в режиме насыщения. Через коллекторный переход этого транзистора протекает весь ток нагрузки 5.

Транзистор 2 заперт.

Г1о достижении током нагрузки величины тока срабатывания защиты транзистор переходит нз режима насыщения в режим усиления. При да ".üíåéøåì увеличении тока нагрузки резко растет напряжение между коллектором и эмиттером этого транзистора, что приводит к открыванию транзистора 2. Вследствие наличия положительной обратной связи этот процесс происходит лавинообразно.

Схема переходит в новое установившееся состояние, при котором транзистор 1 полностью закрыт, и транзистор 2 насыщен.

После опрокидывания схемы ток агрузв основном определяется большим сопротивлением резистора 3 и составляет менее 0,5О1 от максимального рабочего тока.

Состав(ггелв С. Ситко

Текред 3. Тараненко

Редактор Н. Вирко

Корректор H. Торина

Заказ 1061/13 Изд. № 340 Тираж 760 Подписное

LjHHHHH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, д. 2

Рcf 5"IHpOÂI<ÿ ТОКИ Срсябс1ТЫВс1ИИ» Зсllц!!TÛ

Ilроизводится подбороl,f сопротивлсililfi резистора 4. Д,75! защиты схс! I! I 0T cpабатыьяиия

Ilj H подк,иочсиии смкостиой;(агрузки и при

ВК,! !ОЧСИ!1!1 1!с»ПР51>КОН(!. 1 ПИТ l! IIIЯ С I . К(17 KO(l

;,c:.c;!,Ор 6. Pcaf(CTOp " ускopflcf восстяиовлс1:ИС Схс (Ы lip!i Отк,l:O×C»I и III!TIp5DI50!! 151 IIHТа!!I!51 ОС.IC СРЕ(бсатЫВап! . УстРО."!СГВа.

Предо(ОТ изобретсии» с5 СТ)70j(CTBO дЛ я 3 с» П,!!ТЫ CTñ би.7ИЗяТОрс(07 перс! рузок по тоlfy, содсрт(сящec зап!!раlощий Pс1!i311Ñт0Р, ВКЛ!ОЧCI(IIÛÉ ПОСЛСДОНЯТС,IЬПО С иягрузк051, и схс.",!у управе!синя эт!Им транзисторотl, Отл ич аю щссс я тем, что, с целью

Обсci!c ;!.иия плявнОЙ pcl,;fffpoBK17 TQKB cp202ть(ваии51 устройства, а также уменьшения разности между этим током и максимальным рабочим током нагрузки, схема управления выиол;!сна иа транзисторе, подключенном своими электрод",ми к электродам ".àlfèðÿfolffcãо

10 транзистора соответственно эмиттсром и эмиттсру, коллектором вЂ” к базе и базой через резистор вЂ” - к коллектору.