Патент ссср 410460

 

библкот каЯБА

О П И С А Н И Е 4I0460

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

M. Кл. G 11с 11/42

G 11с 7/00

Заявлено 15.111.1972 (№ 1758187„ 18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 24.IV.1974

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР аа делам изобретений и открытий

УДК 681.375.037.733.3 (088.8) Авторы изобретения

Н. Л. Дмитрук, А. К. Терещенко, В. И. Лященко и Т. H. Сытенко

Институт полупроводников АН Украинской ССР

Заявитель

СПОСОБ ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ

В ЗАПОМИ НАЮЩИ Й ЭЛ ЕМЕНТ НА МДП-СТРУКТУРЕ, ВКЛЮЧА10ЩЕЙ ШИРОКОЗОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК

С НАЧАЛЬНЫМ ИСТОЩЕНИЕМ У ПОВЕРХНОСТИ

Изобретение относится к области вычислительной техники.

Известен способ запоминания оптической информации, согласно которому к структуре металл — диэлектрик — полупроводник прикладывают постоянное электрическое напряжение, а затем освещают импульсом света.

Однако при этом считывание разрушает записанную информацию. Кроме того, для записи информации необходимо постоянное напряжение на электродах структуры, и при отключении питания информация теряется, что снижает надежность записи информации.

Целью изобретения является повышение надежности записи и хранения оптической информации.

По предлагаемому способу элемент со структурой металл — (например, полупрозрачный слой алюминия) — диэлектрик (например, слой двуокиси кремния) — полупроводник (например, арсенид галлия) охлаждают до 77 К, затем освещают импульсом света, регистрируя при этом емкость элемента путем подключения его в резонансный контур. После освещения емкость элемента увеличивается в несколько раз и в таком состоянии может находиться длительное время.

Для восстановления исходного состояния (до освещения) к элементу прикладывают импульс напряжения 1 — 2 в на освещаемом электроде. Так производится стирание информации.

Информация стирается и при отогревании элемента до комнатной температуры.

5 Таким образом, предлагаемый способ позволяет записывать оптическую информацию, не разрушающуюся при считывании, и не требует электрического питания при ее записи, что повышает надежность записи и хра10 пения.

В основу предлагаемого способа запоминания оптической информации положено следующее физическое явление. При освещении полупроводника и-типа со слоем истощения

15 у поверхности происходит фотоэмиссия электронов из поверхностных состояний в квазинейтральный объем. В результате этого потенциал поверхности уменьшается, а емкость слоя приповерхностного пространственного

20 заряда увеличивается. При низкой температуре и в полупроводнике с достаточно широкой запрещенной зоной такое состояние может сохраняться длительное время и после выключения света, поскольку восстановление

25 термодинамического равновесия между поверхностными электронными состояниями и объемом полупроводника затруднено вследствие низкой кинетической энергии электронов и наличия отталкивающего потенциаль30 ного барьера у поверхности.

410460

Предмет изобретения

Составитель P. Яворовская

Редактор Л. Утехина Техред Т. Курилко Корректор Т. Хворова

Заказ 1018/18 Изд. Ко 372 Тираж 591 Подписное. ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ записи оптической информации в запоминающий элемент на МДП-структуре, включающей широкозонный полупроводник с начальным истощением у поверхности, характеризующийся тем, что подают световой импульс на МДП-структуру, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения надежности записи, до подачи светового им5 пульса МДП-структуру охлаждают до 77 К—

180 К.