Патент ссср 410531
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
4I053I
Союз Советск а
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 31.111.1972 (№ 1765839/18-10) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 05.1.1974. Бюллетень № 1
Дата опубликования описания 05.V.1974
М. Кл. Н 03h 5/00
Н Olf 15/18
Государственный комитет
Совета Министров СССР оо делам изооретений и открытий
УДК 621.317,44 (088.8) Автор изобретения
Д. М. Щербина
Заявитель
ИНДУКТИВНАЯ НАГРУЗКА
Изобретение относится к области электроники и может использоваться в качестве нагрузки усилительных каскадов и приемников излучения с большим выходным сопротивлением и других двухполюсников.
В известных устройствах, где требуется большое сопротивление переменному току и малое постоянному, используется индуктивная нагрузка. В устройствах низкой частоты катушка индуктивности имеет железный (или другой магнитопроводящий) сердечник, который может насыщаться при увеличении постоянного тока в обмотке устройства. Недостаток такой нагрузки заключается в том, что при большом динамическом диапазоне входного сигнала и связанным с этим изменением постоянного тока в обмотке, изменяется также величина сопротивления, что препятствует проведению точных измерений, а также ведет к нелинейным искажениям. Известны также дроссели насыщения, в которых помимо рабочей имеются две одинаковые обмотки, через которые протекает выпрямленный ток.
Однако выпрямленный ток вырабатывается специальной схемой и поддерживается не постоянство индуктивного сопротивления дросселя, а постоянство выходного напряжения.
Цель изобретения — создание индуктивной нагрузки, величина которой не зависит от режима работы двухполюсников. Это достигается тем, что в цепь нагрузки включается чувствительный к постоянной составляющей тока элемент с малым сопротивлением, например переход транзистора база-эмиттер, который управляет исполнительным элементом в цепи компенсационной обмотки, например переходом транзистора коллектор †эмитт.
10 Благодаря этому в сердечнике индуктивной нагрузки возникает магнитный поток, равный по величине и противоположный по направлению потоку от постоянной составляющей тока двухполюсника.
На чертеже изображена предлагаемая индуктивная нагрузка.
Двухполюсник 1 с источником питания 2 включен последовательно с сопротивлением
20 нагрузки — обмоткой индуктивной катушки 3 и переходом база эмиттер транзистора 4. Компенсационная обмотка 5, намотанная на том же сердечнике, что и обмотка 3, включена последовательно с источником питания 6 и ne2s реходом эмиттер — коллектор транзистора 4. Переход транзистора база — эмиттер шунтирован конденсатором 7, чтобы не пропустить переменный ток в компенсационную обмотку.
Постоянный ток двухполюсника 1 протека30 ет через переход база — эмиттер транзистора 4, 410531
Предмет изобретения
Составитель Л. Устинова
Редактор О. Филиппова Техред 3. Тараненко Корректор Л. Орлова
Заказ 1023/13 Изд. М 365 Тираж 811 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Москва, )K,-35, Раушская наб., д. 4j5
Типография, пр, Сапунова, 2 а переменный — через конденсатор 7. Постоянный ток усиливается транзистором 4 и питает компенсационную обмотку, число витков которой подобрано так, чтобы ампервитки обмоток 3 и 5 были равны и противоположны. Так как в широких пределах усиление по току транзисторов не зависит от тока, достигается почти полная ко :пенсация и динамический диапазон индуктивной нагрузки с компенсацией составляет около 2 —:3 порядков. Транзистор может быть и составным, что позволяет подбором отдельных транзисторов получать требуемые характеристики компенсации (недо и перекомпенсацию).
Индуктивная нагрузка, содержащая индуктивность с сердечником и компенсационную
5 обмотку, отличающаяся тем, что, с целью поддержания величины индуктивного сопротивления неизменной при колебаниях постоянной составляющей тока, последовательно с нагрузкой включен чувствительный
10 элемент с малым сопротивлением, например переход транзистора база-эмиттер, который управляет исполнительным элементом в цепи компенсационной обмотки, например переходом транзистора коллектор — база.
