Полупроводниковый источник светового излучения

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗО6РЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (11) 43.0718 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.01.72 (21) 1738660/26-25 (51) M. Кл.

Н 05 В 33/12 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (43) Опубликовано 05.01.77.Бюллетень № 1 (45) Дата опубликования описання27.04.77 (53) УДК535,376:621. .382 (088.8) О, Д. Кнаб, Ж, И. Алферов, В. Ll. Фролов, И, А, Шмеркин, В. И, Магапяс, А, Ф. Смирнов и В, М, Андреев, (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к попупроводниковым источникам светового излучения.

Известны источники светового изпучения, выполненные на основе сипьнопегированных полярных прямозонных полупроводниковых материалов, например С37е . Такие источники работают только при больших токах (бопее 100 а) и в имлупьсном режиме из-за бопьших перегревов.

С целью устранения указанных недостатков источник светового излучения предпожено выполнять на основе непрямозонных полупроводниковых материалов, в которых т5 минимум эоны проводимости при К Ф 0 расположен ниже минимума эоны проводимости при К = 0 (К вЂ” вопновой вектор), при этом энергетический зазор между ними меньше энергетического зазора между дном эоны gO проводимости при К т 0 и потолком вапентной зоны.

Предпоженный источник светового изпучения работает как в непрерывном, так и 25 в импульсном режиме при м.апых токах и имеет большую яркость.

На чертеже приведена схема энергетических зон используемого полупроводника. Еспи непрямозонный полупроводник помещен в сильное электрическое поле, то под действием этого поля в нем, возникает лавина носителей тока. Причиной возникновения павины может являться либо туннепирование носителей иэ вапентной зоны в зону проводимости, либо ударная ионизация. Большинство носитепей попадает при этом в нижний непрямой минимум зоны проводимости.

Волнистой линией изображены переходы иэ вапентной зоны в непрямой минимум эоны проводимости в результате, например, ударной иониэации. Часть электронов может рекомбинировать (пиния 1), остальные эпектроны под действием электрического попя разогреваются и переводятся в соседний прямой минимум эоны проводимости, иэ которого вероятность их изпучатепьной рекомбинации высока. Таким. образом, в описанной системе допжно наблюдаться доста410718

Составитель Т, Корнилова

Техред О. Луговая Корректор В. Куприянов

Редактор T. Орловская

Заказ 896/79 Тираж 1003 Подписное

Е1НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП "Патент», г, Умтород, ул. Проектная, 4 з точно интенсивное свечение, соответствующее прямым переходам(линия 2).

Источник может быть изготовлен на основе Са„„А „A8> поскольку при х ) 0,4 этот материал обладает указанными свойствами. Изменяя содержание алюминия, можно легко варьировать относительное положение минимума зоны проводимости при К = 0 и минимума зоны проводимости при К Ф 0 и, таким образом, получать источники на различные длины волн излучения.

Величина напряженности поля, соответ ствующая пороговой разности потенциалов, при которой возникают лавинные процессь:, порядка 10 в/см. Толщина слоев Qn„Ag

4 может составлять 10-100 мкм.

Формула изобретения

Полупроводниковый источник светового излучения на основе пластины одного типа проводимости с электродами, о т л и ч а ю— шийся тем, что с целью повышения яркости его излучения, пластина выполнена из высокоомного полупроводникового материала, в котором минимум зоны проводимости при К 0 расположен ниже минимума зоны IIpoBogHMDGTH при К = О, где К— волновой вектор, при этом энергетический зазор между ними меньше энергетического зазора между первым минимумом и потолком валентной зоны, например, тройного .Ш V соединения группы л В

Полупроводниковый источник светового излучения Полупроводниковый источник светового излучения 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технической физике

Изобретение относится к области светотехники, элементной базы микроэлектроники, электронного материаловедения

Изобретение относится к электролюминесцентным устройствам

Электрод // 2373601
Изобретение относится к электротехнике, а именно к электродам аппаратов, предназначенных, в частности, для исследования явления свечения у объектов в импульсном электромагнитном поле высокой напряженности

Изобретение относится к электротехнике, а именно к изготовлению электродов к аппаратам, предназначенным для исследования явления свечения у объектов в импульсном электромагнитном поле высокой напряженности

Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к электролюминесцентным матричным панелям

Изобретение относится к электролюминесцентным матричным экранам
Наверх