Патент ссср 411542

Авторы патента:


 

"- ---- О П И С Л Н И Е

4II542

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Завис11мое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 10,II I.1972 (№ 175828о." ":о-25) М. Кл. Í Olj 3/04 с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

Совета Министров СССР оо делам ии1оретоннй и открытий

Приоритет

Опубликовано 15 1.1974. Бюллетень № 2 Дата опубликования описания 29.V.1974

Автор изобретения

В. Г, Дудников

Институт ядерной физики Сибирского отделения АН СССР

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТРИ =1АТЕЛЬНЫХ ИОНОВ

11редм ет и зоб р ете ни я

Изобретение относится к области получения пучков отрицательных ионов для ускорителей заряженных частиц.

В известных плазменных источниках отрицательных ионов с молекулярным рабочим ве- S ществом атомарные отрицательные ионы образуются при диссоциативных столкновениях электронов с молекулами. Большое значение имеет и диссоциативное прилипание при столкновении электронов с положительными мо- 10 лекулярными ионами. Конкурирующими процессами при этом являются разрушение отрицательных ионов электронным ударом, рекомбинация с положительными ионами, отщепление электронов при столкновениях и т. д. 15

Необходимость высокой концентрации молекул обуславливает низкую газовую экономичность плазменных источников отрицательных ионов и ограничивает интенсивность пучков из-за необратимых потерь отрицательных ионов при столкновениях с молекулами после выхода иона из плазмы.

Для повышения интенсивности пучков отрицательных ионов, получаемых из плазменных источников, по предлагаемому способу в 2s

":àçîðàçðÿäíóþ камеру источника вместе с основным рабочим веществом подают вещество с малым потенциалом ионизации, нгпример и:зий. Благодаря этому увеличивается скорость Образования Отрицательных ионов (Г озможно за счет 1(вазирезонанснои переза рядки;томов рабочего вещества на возоужieHH ::(атомах добав;,и).

При добавлении паров цезия в водородный р.".зряд с поперечным магнитным полем максимальный ток стрицательных ионов водорода увеличивается в неско,.ько раз, уменьшается падение напряжения на разряде, облегчается его зажигание.

В импульсном режиме (длительность импульса 10 — сек) из плазменного источника с плазмотронной г ометрией разрядной камсры при добавлении паров цезия можно получить пучок отрицательных ионов водорода с током

20 л1А при размерах эмиссионной щели 0,5 (); 10 11ЛР.

Способ получения Oтрицатег1ь11ых HOIIOIB иэ гозор".зрядного источника, отличающийся ..е»,;, что, с целью повышения эффективности ис10чникя, В разряднуlо камеру источнш(а вместе с основным рабочим веществом подают вещество с малым потеици.-лом ионизации, например цезий.

Патент ссср 411542 

 

Похожие патенты:

Всесою // 370891
Изобретение относится к поверхностно-плазменным источникам отрицательных ионов, а именно к способам получения отрицательных ионов в поверхностно-плазменных источниках, и может быть использовано в ускорителях заряженных частиц или устройствах для осуществления термоядерного синтеза

Изобретение относится к технике получения импульсных мощных ионных пучков

Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно - к плазменным источникам, предназначенным для генерации интенсивных ионных пучков, и к способам их работы

Изобретение относится к источникам заряженных частиц и применяется в ускорительной технике

Изобретение относится к технологии электромагнитного разделения изотопов

Изобретение относится к технике получения ионных пучков, в частности пучков многозарядных, высокозарядных и поляризованных ионов

Изобретение относится к получению электронных и ионных пучков и может быть использовано в ускорительной технике

Изобретение относится к источникам заряженных частиц и применяется в области ускорительной техники

Изобретение относится к источникам ионов, применяемым на ускорителях заряженных частиц

Изобретение относится к области приборостроения, в частности к технике создания источников ионов, предназначенных для ускорителей заряженных частиц
Наверх