Патент ссср 416792

 

О и и С А Н И Е j 4i!6792 изоы яти н и я!

Со!оз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОР(;КОМУ 1(:ВК.„." . ЕТЕЛЬС1В 7

Зависимое от авт, свидетельства №

М. Кл. H ojl l 15(00 ! ! !

» ! !

УДК 621.396.6(088.8)

1 !

Заявлено 04.Х.1971 (№ 1701302/18-24)

1! с присоединением заявки №

I ! асУДаРстаеииый комитет j Приоритет

Савета Мииистрав СССР вв делам изобретений Опубликовано 25,11.1974. Бюллетень ¹ 7 и открытий

Дата опубликования описания 22Л I.1974

Авторы изобретения H. П. Гапоненко, M. H. Тарасов, !N. Ф. Шкуратов и В. М. Козлов

Таганрогский радиотехнический институт

Заявитель

ТЕПЛОПЕРЕДАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОДНОКРИСТАЛЬНЫХ

СХЕМ С ТЕПЛОВОЙ СВЯЗЬЮ

Изобретение относится к радиоэлектро!шке.

Известное теплопередающее устройство для однокристальных схем с тепловой связь:.о, содержащее расположенные В области локализации всплесков температуры источников тепла термочувствительные элементы, характеризуется недостаточным быстродействием.

Предлагаемое устройство отличается от известного тем, что содер>кит слой изолир ющего материала, который нанесен на поверх- lo ность кристаллов между термочувствптельными элементами и установленными на не ii источниками тепла.

Такое выполнение устройства позволило повысить его быстродействие. 1»

На чертеже изображена конструкция предлагаемого теплопередающего устройства.

Теплопередающее устройство содержит полупроводниковый кристалл 1, в котором методами полупроводниковой технологии вы IQJIEIp. ны термочувствительные элементы 2, 3 и элементы управляющей электрической схемы.

Над термочувствительными элементами расположены источники тепла 4 и 5. Электрическая изоляция источников и термочувствительных 2> элементов осуществляется слоем изолирующего материала б, Источники тепла 4, 5 и слой б могут быгь выполнены различными методами, В том числе и методами тонкопленочной техноЛОГИ И. 30

Длина исто : !и "a тепла 4 ие превышает двух толщин кристалла 1, что позволяет создать

ВО 7Н3Н НЕГО (H2 PQCCTOSiHlliH ДВ» .. ТОЛ!Ц11}1 К13Ис»алла от центра источшп<2) перспада тсмшературы, зна штельио превышающие по Вели iHHc. перепады температуры Вдали от этого источника (по остальной части кр!!Сталла). Таким образом, -„0: е источника тепла -1 локаЛИЗ». СТСЯ В ООЛаСТП ВОЛИЗИ ЭТОГО ИСТО IH!I!»2 тепла. Если В этой области расположить

ТС13моч » OCIÁEITCË!»Hb!11 ",1емСИ Г 3, TO зlе>11 ду

Hi:! .! ll ДРУГИ .»! те133!ОчУBcTBHTc.71»HI»1:1 э,1смспто:! Возникнет пс13еп2д темпcp2Tc}>ы.

Ре>! 11A!е Г213310ническог»3 иззlе11с1!иЯ мОщиости ь источ .1ике тепла 4 те>:исратуру мож11о представить В виде суммы двух составляющих — посто»шпой и .;еремсниои. Переменная составляющая температуры, распростра1 яясь че13ез !!золя!Зу10щпй слой 6 !i и!3истал;!

1 к термочуьстзптсльному элементу 3, ослабляется и претерпевает сдвиг Io фазе. Увели !01!не 1 Олщ!»!Iы слоя 6 п!3ИВОД»IT H уl lичспшо сдвига фаз прп одной и той жс частотс.

TPP.70HcP2Ä2þHEk!õ элсме!lт2х ДЛЯ i>c 72ксационных схем увеличение толщины слоя G п1>иг»од11т к 3 Велпче! Iию В!3сзlепи уcT2.io»злсппч температуры соответсву!Ощего тер.,!Очувствительпого элемента.

416792

Сос "аг: гс. tl / .. Маслов

Техред Л. Еогданова 1(орректор T. )добровольская

Редактор Т. Иванова

Заказ 1460, 12 11зд. Л 50," Тира-; 760 Подписное

ЦНИИПИ 1 осударствснного:ю:лагг-.:à Cîâåòÿ 11и:п1стров СССР по делам изоб с геен и и открн1гий.л1оскнг, у1(-З5, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, Так как термочувствнтель«ble элементы 2 и 3 выполнены в одном кристалле и в одном

ТЕХНОЛО! Иг1ЕСКОМ Ц11КЛЕ, ТО 011П И МЕIО Г ИДЕН. .-ичные характеристики и иде11тичж ю зави симость храктеристик от температуры. Дальнейшего увеличения стабильности eve пы можно добиться при равенстве гостоянг ой составляющей температур элементов 2, 3.

Это достигается подачей сигнала Ilа источник тепла 5, аналогичный источнику тепла 4, в противофазе с сигналом на исто шике тепла 4. Возможна подача и постоянной составляющей. В этом случае тсрмочувствительные элементы 2, 3 будут реагировать только па переменную составляющую температуры.

Предмет изобретения

Теплопередающее устройство для однокристальных схем с тепловой связью, содержащее расположенные B об lBcTH локализации всплесков темпер атуры источников тепла термочувствительные элементы, отлича10 mill,ååñÿ тем, что, с целью повышения быстродействия, оно содержит слой изолирующего материала, который нанесен ца поверхность кристалла ме кду термочувствительными элементами и установленными на нем

15 источниками тепла.