Пороговое устройство

Авторы патента:

В. Д. Дворников, С. Т. Лайушкин , Л. И. Юдин

H03K5/08 - путем ограничения; пороговым ограничением; подрезанием импульсов, т.е. сочетанием обычного и порогового ограничения (H03K 5/07 имеет преимущество; сравнение одного импульса с другим H03K 5/22; для обеспечения заданного порога при коммутации H03K 17/30)

()418970

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских т.оциалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельствавЂ” (22) Заявлено 13.03.72 (21) 1759492/26-9 с присоединением заявки №вЂ” (32) ПриоритетвЂ”

Опубликовано 05.03.74. Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 21.11.74 (51) М. Кл. H 03k 5/20

Государственный комитет

Сонета Министров СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК 016:621.374, .335 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Д. Дворников, С. Т. Лайушкин и Л. И. Юдин (71) Заявитель (54) ПОРОГОВОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение от)носится к импульсной технике и может использоваться в быстродействующих BbIcoKo÷ó âñ âHòåëüíûõ радиоэлектронных схем ах.

Известно пороговое устройство, включающее 7BBHнный транзистор, управляемый по базе .входным сигналом, накопительный конденсатор, заряжае)мый от источника высокого напряже)ния через зарядный резистор и разряжае)мый через лавинный транзистор на резисто:р нагрузки.

В этом устройстве величина порога срабатыва ния лавин)ного транзистора определяется выбором рабочей точки на вольтамперной хара)ктеристике ла)винного транзистора.

Недостаток известных пороговых устройств на лавинных транзисторах вЂ” относительно невысокая ч увств ительность, при быст)родейcTвии в десятки Мгц, составляющая 50 вЂ” 100 лтв.

Стремление повысить чувствительность порогового устройства за счет смещения рабочей точки на максимум вольта мперной хара ктеристики JIBB HHIHQI транзистора приводит к тому, что режим работы устройства прои этом крайне неустойчив.

Цель изоб)ретения вЂ” повышение чувствительности и устойчи)вости устройства вЂ” достигается тем, что в него введены линия задержки, включенная между выходом источника сигнала и базой лавинного транзистора, и гепер атор тока, вкл)оченный между выходом источника входного сигнала и коллектором транзистора через резистор.

На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.

Устройство включает лавинный транзистор 1. База лавинного транзистора через резистор 2 подключена к источнику напряжения смещения Ес и через линию задержки 8 к источнику 4 входного сит)нала. К коллектору лавинного транзистора 1 подключены резистор 5 нагрузки через накопительный конденсатор 6 и источник напряжения питания Е. ° через резистор 7. Выход источника 4 входного сигнала и коллектор лави нного тра)нзистора I соединены через последовательно включенные генератор 8 тока и резистор 9.

В исходном состоянии через резисторы 7 и

9 протекает ток генератора 8 тока. BeëH÷HIIB

2О тока устанавтивается такой, чтобы потенциал коллектора,при заданном напряжении смещения в базе был ниже напряжения пробоя на некоторую величину. Эта величина выоирается такои, чтобы обеспечить надежный запас

2З по устой швости уотройства. Входной сигнал с,выхода источника 4 входного сигнала закрывает генератор 8 тока, что приводит к повышению потенциала коллектора иа время действия входного сигнала. Скорость повышения ,"p потенциала коллектора определяется ско418970

Предмет изобретения с Е

- nuтг

Составитель Чижикова

Текред 3. Тараненко

Корректор А. Степанова

Редактор М. Бычкова

Заказ 438 Изд, М 604 Тираж 811 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д, 4 5

Типография ¹ 4 Союзполиграфпрома, Москва, 121019, ул. Маркса вЂ” Энгельса, 14

poIcTbIo заряда накопитель ного конденсатора.

Установившееся значение потенциала коллектора вьгби рается таким, чтобы вели пина напряжения на коллекторе была близка к напряжению пробоя при выбранном Е .. Одновременно входной оипнал, задержанный ли нией задержки 8, поступает в базу лавинного пра нзисто ра 1. Длительность задержки должна превышать время уста но вления напряжения на коллекторе. Входной сипнал повышает потенциал базы лавинного транзистора. С учетом того, что рабочая точка тра нзисто ра предварительно .выведена на макоимум вольтамперной ха1ра ктеристики, пробой транзистора,происходит при меньшем значении порога срабатывания, чем в отсутствии управления по коллектору.

Резисто|р 9 исключает влияние выходной емкости генератора 8 тока на работу лавинного транзистора.

Пороговое устройство, BbIIIIолненiное на лавинном тра нз исторе, включенном по схеме с общим эмиттером, содвржащее источник вход ного сипнала, подключвнный к базе тран10 зистора, накопительный кондЕнсатор, включенный в цепь коллектора транзистора, и нагрузку, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности и устойчивости устройства, в нето введены ли ноя задержки, I15 включенная между выходом иСточника сигнала и базой лавинного транзистора, и генератор тока, включенный между выходом источника входного сигнала и коллектором транзистора через резистор.