Полупроводниковое стр.кло
(») 422696
Союз Советских
Социалистических
Республик
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства 374242 (22) Заявлено 21.07.72 (21) 1812182, 29-33 с присоединением заявки № (32) Приоритет
Опубликовано 05.04.74, Бюллетень ¹ 13
Дата опубликования описания 29.11,74 (51) М. Кл, С 03с 3/04
Государственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 666.112.5 (088.8) (72) Авторы изобретения
К. С. Кутателадзе, P. Д. Верулашвили и Г. М. Какабадзе (71) Заявитель
Тбилисский научно-исследовательский институт строительных материалов (54) ПОГ1У11РОВОД11ИКОВОГз СТt .ÊÍÎ
Предмет изобретения
Изобретение относится к составам полупроводниковых стекол, используемых в электрических приборах.
По основному авт, св. № 374242 известен состав полупроводникового стекла, содержащего, вес.%:
SiO2 47 — 52 1 О2 0,8 — 1,8
А12 - з 15 — 17,5
Ге20з+1" еО 9 — 12
СаО 7 — 9
MgO 4,6 — 6
МпО 0,2 — 0,6
МоОз 4 — 6,5
Целью изобретения является снижение кристаллизационной способности и улучшение выработочных свойств стекла.
Это достигается тем, что предлагаемое полупроводниковое стекло содержит 3 — 5 вес.%
Ха20 и 2 — 4 вес.% К20.
Стекло, содержащее вес. :
Ят02 48,3
Т102 0,8
А120з 15,0
Ге20,+FeO 10,2
СаО 8,1
MgO 4,6
5 МпО 0,3
Ка20 4,7
К20 3,5
МоО, 4,5 обладает следующими свойствами:
1î Модуль 10нга 8050 кг/мм-
Удельное объемное сопротивление при
80 — 400 С 2 10 — 10 ом см
Потери в весе в 1 н. HCI 2,9%
Полупроводниковое стекло по авт. св.
¹ 374242, отличающееся тем, что с
20 целью снижения кристаллизационной способности и улучшения выработочных свойств стекла, оно содержит 3 — 5 вес.% N320 и
2 — 4 вес.% К20.
