Ключ

 

!

l l) М ъ3242

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕ1ЬСБЗ"

Союз Советских

Социалистических

Республик !

I

I (61) Зависимое от авт. свидетьJ.bñòâ2 (22) Заявлено 04.08.72 (21) 1817050:26-9 (51) М. Кл. Н 03к 17i02

Н 031; 17/60 с присоединением заявки _#_

Государственныи комитет

Совета Министров СССР по делам иеаоретений и открытий (32) Приоритет

Опубликовано 05.04.74. Ьюллетень ¹ 13

Дата опубликования описания 27.09.74! (53) УДК 681.325,65 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. А. Логинов, Ю. E. Рудберг и И. !Ч. Иолковский (71) Заявитель (54) КЛЮЧ

Изобретение относится к коммутационной ! схникс. VcTPOIIcTBQ,IOkIIcT 6bITb Hello.nb20I!2! IO в аппаратуре связи и автоматики.

Известны высокочастотные ключи с высоким сопротивлением развязки на диодах и резисторах. Ме кду входным и выходными заокимами включены две последовательно соединенные пары диодов, в каждой из когорых диоды соединены в одинаковых направлениях.

При этом пары диодов связаны между собой так, что направление включения диодов первой пары обратно направлению включения второй пары. Точка соединения пар диодов через резистор и диод подключена к источнику управляющего напряжения, полярносгь коT0p0r0 может изменяться. OQIII2H точка Второй пары диодов заземлена через дополнительный диод.

Цель изобретения — повышение помехоустойчивости ключа. Достигается она тем, что к общей точке встречно включенных диодов предлагаемого ключа подсоединены коллекторы управляющего и питающего транзисторов разных типов проводимости.

Схе;i2 2ключа представлена на чертеже.

Диоды 1 — 4 включены по мостовой схеме, транзисторы 5 и 6 типа n-p-n и резистор 7 подключены к одной диагонали моста, делители напряжения lla резисторах 8 и 9 и диодах !

Π— 15 — к другой диагонали, транзисторы 16 и 17 типа р-и-р с резисторами 18 — 21 обеспечивают пеобходимьш режим работы диодов

1 — 4 и транзисторов 5 и 6; 22 и 23 — согласующие трансфорз!агоры. Управ7я!Ощсе напря>кение подастся !Га устройство чсрсз контакты кгпоча 24 и рсзистор 25. Иапряже!ше пп!анпя поступаег OT источнш 2 напряжения, 01рицательньш полюс ко-орого зазсмлсп.

Работ",åò клю следу!ощим образом.

10 В исходном состоянии ключ 24 замкнуг, транзисторы 5 и 6 находятся в режиме насыщения, и падение напряжения на них незначительно. В результате этого па диоды 1 — 4 подается положительное запирающ.с напря15 жение, определяе. !Ос разностью потенциалов в точи,ах l1 II О, и и В, 2 также 2 п 0 и 2 и 8.

Р23НОС!h 110TCllllllil 70I3 QOTlk! I!2 ObITb 007hlilC амплитуды напряжения коммутпрул!Ого сш— нала, снимасмого с половш ы вгорпчпой оо20 мотки трансформаторов 22 и 23. При разомкнутом ключе 24 транзисторы 5 и 6 запираются, в результате чего потенциал в точках О и в становится больше потенциала в точках а и г, и диоды 1 — 4 открь ваются.

25 Таким 00p220. I, в 22BIIcl!>!ocTII ol cocToskkf Ilk! ключа со;!ротивлгч пя II, c:: диагоналей моста изменя!О i с!! В llpi "i нвопо,!Ожпыс cbторопы, что приводит к резком из !еиспию его кОэг1)ф!1цпентов !!среда ш. Граизпсторь 16 и 17 опрс30 дслЯЕОТ 1!Р, !Ожсiilic раоочс!! To !кп диОдов 1—

423242

Предмет изобретения

Составитель В. Чачанидзе

Текред Л. Богданова

Корректор Л. Чуркина

Редактор Б. Федотов

Заказ 2663/8 Изд. ¹ 738 Тираж 8I I Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/6

Типография, пр. Сапунова, 2 ко гору10 13bIO II38101 такиII образом, I fOObI :ри открыгом ключе постоянная составляющая тока, протекающего через этп диоды, была несколько бол1.п1е аашлитуды тока комму1ирующсго сип1ала.

Ключ, содсржащий диоды, вкл1оченные по мостовой схеме, и подключенные к одной диагонали моста два управляющих транзистора типа и-р-и с общей точкой эмиттеров, базы которых через резистор подсоединены к источнику напряжения питания и точка соединения баз через другой резистор заземлена, а к другой диагонали моста подключены делители напряжения на резисторах и встречно включенных диодах, точка соединения которых подключена к общей точке эмиттеров уп5 равляющих транзисторов и заземлена, два согласу1ощпх трансформатора и в цепи питания управляющих транзисторов — резисторы и два транзистора типа р-н-р, эмиттеры которых соединены с исто шиком напряжения пи10 тания, а базы через резисторы заземлены, отл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, к общей точке встречно включенных диодов моста подключены коллекторы управляющего и питающего транзи15 C f0 3013.