Модулятор свч диапазона

 

Х

6,. ..:;..тт

ОО, те Н т ..2 с - .. : - «».".: а„тЕ бИЫ (э". - и@ "Г А

СПИ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистииеских

Республик (ti>42744|I

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. св1идетельства— (22) Заявлено 16.02.73 (21) 1885034/26-9 с присоединением заявки №вЂ” (32) Пр ию р итет—

Опубликовано 05.05.74. Бюллетень № 17 (51) М. Кл. Н 03с 1/14

Н 01р 1/16

Госуда рстаениый комитет

Совета Мииистроа СССР оо делам изооретеиий и открытий (53) УДК 621 376 223 (088.8) Дата опубликования описания 10.01.75 (72) Авторы изобретения

Д. А. Усанов и А. Ю. Вагарин

Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете (71) Заяаитель (54) ИОДУЛ ЯТО Р СВ Ч ДИАПАЗОНА

Изобретение относится к радиотехнике, может быть использовано в аппаратуре сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн для управления мощностью СВЧ излучения.

Известен модулятор СВЧ диапазона, содержащий отрезок прямоугольного волновода с размещенным в нем полупроводниковым образцом, поперечное сечение которого выполнено уменьшающимся от основания, например, по линейному закону, и источник постоянного поперечного магнитного поля.

Известный модулятор, нуждаясь в большой управляющей мощности, обладает ограниченным быстродействием, так как в нем для управления мощностью СВЧ волны необходимо в широких пределах менять величину индукции постоянного магнитного поля, что в свою очередь требует применения мощных электромагнитов.

Цель изобретения — повышение оыстродействия и уменьшение управляющей мощности. Достигается она тем, что в предлагаемом модуляторе образец снабжен омическими контактами, установленными на его боковой поверхности.

Устройство изображено на чертеже.

Полупроводниковый СВ1 модулятор состоит из отрезка прямоугольного волновода 1, полупроводникового образца 2 с омическими контактами 3 на его боковой поверхности у основания, подводящих управляющее напряжение проводников 4, источника постоянного поперечного магнитного поля 5 и источника управляющего электрического поля 6.

Полупроводниковый образец изготовлен из материала, обладающего при комнатной температуре высокой подвижностью и сравнительно низкой концентрацией носителей заряда

10 (например, антимонид индия). Для подвода модулирующего напряжения в широкой стенке волновода выполнены отверстия, диаметр которых соответствует диаметру подводящих проводников. Образец можно расположить в центре волновода или несколько сместить в сторону узкой стенки. Магнитное поле направлено перпендикулярно узким стенкам волновода.

20 Работа модулятора основана па том, что большое затухание электромагнитной волны, вызванное смещением СВЧ поля в ту область, где полупроводниковый образец толще и длиннее, уменьшается при подаче на образец уп2 равляющего напряжения. Это можно объяснить повышением сопротивления полупроводникового образца в области наибольшей напряженности СВЧ поля вследствие эффекта

Холла под влиянием постояного магнитного и управляющего электрического полей. При на ДЮ

427449

Модулятор СВЧ диапазона, содержащий отрезок прямоугольного волновода с разме5 щенным в нем полупроводниковым образцом, поперечное сечение которого выполнено уменьшающимся от основания, например, по линейному закону, и источник постоянного попере, ного магнитного поля, отличающийся тем, что, 10 с целью повышения быстродействия и уменьшения управляющей мощности, образец снабжен омическими контактами, установленными

;:aего боковой поверхности у основания.

Составитель д. Слащииииа

Текред Г. Васильева

Редактор Б. Федотов

1(орректор В. Гутман

Заказ 1722/464 Изд. № 803

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и

Москва, Ж-35, Раушская

Тип. Харьк. фил. пред. <Патент» личин поперечного магнитного поля приложение к омическим контактам управляющего электрического напряжения приводит к тому, что под действием силы Лоренца электроны вытесняются из области с большой напряженностью СВЧ поля. Это приводит к резкому уменьшению затухания волны. Нанесение омпческих контактов на участках, позволяющих менять проводимость только той области, где

СВЧ поле максимально, обеспечивает большую глубину модуляции при использовании маломощных источников модулирующего напряжения.

Предмет изобретения

Тираж 811 Подписное

Совета Министров СССР открытий наб„д. 4/5