Патент ссср 434951

 

О П И С А Н И Е (») 434951

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз советских

Социалистических

Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 09.08.71 (21) 1696080/23-26 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.07.74. Бюллетень № 25

Дата опубликования описания 14.11.74 (51) М. Кл. В Old 9/00

В 22(1 23/04

Государственный комите.

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 669.046-14 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. Ф. Сиухин, В. К. Флоров, И. Н. Зигало и И. В. Лысенко (71) Заявитель

Днепропетровский ордена Трудового Красного Знамени металлургический институт (54) СПОСОБ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ

Предмет изобретения

Изобретение относится к металлургии, в частности к кристаллизации металлов и сплавов.

Известен способ кристаллизации путем нам ораживания кристаллов на охлаждаемый кристаллизатор с последующим извлечением его из расплава, при котором большая часть кристаллов разрушается.

Цель изобретения — исключить механическое разрушение кристаллов при извлечении кристаллизатора из расплава для качественной и количественной оценки процесса кристаллизации.

Для этого расплав удаляют центрифугированием при совместном одновременном вращении кристаллизатора вокруг той же оси с той же угловой скоростью.

Способ осуществляется следующим образом.

В расплав вводится кристаллизатор, через который пропускается хладагент с заданными расходом и температурой. Это ведет к наращиванию слоя кристаллов определенной толщины за определенный промежуток времени.

В случае необходимости контроля или остановки процесса кристаллизатор с выросшими на нем кристаллами извлекается после отвода расплава от фронта кристаллизации за счет образования параболоида вращения при центрифугировании. Одновременно с тиглем вокруг общей с ним оси и с одинаковой угловой скоростью вращается кристаллизатор, что позволяет избежать движения расплава относительно кристаллов и их разрушения механическим путем.

Меняя температуру перегрева расплава, 10 температуру и расход хладагента, поступающего в кристаллизатор, возможно регулировать скорость роста кристаллов. Скорость роста кристаллов определяют, контролируя толщину затвердевшего слоя во времени.

Способ кристаллизации металлов и сплавов намораживанием на погруженный в расплав

20 охлаждаемый кристаллизатор, о тл и ч а ющийс я тем, что, с целью исключения механического повреждения кристаллов расплавом при извлечении из него кристаллизатора, расплав удаляют центрифугированием при од25 новременном вращении кристаллизатора вокруг той же оси с той же угловой скоростью.