Известно, что растворы, содержащие смесь кремнийорганического соединения, органического растворителя, воды и азотнокислой соли редкоземельных элементов или нитратов алюминия,,скандия, иттрия, лантана и др., не позволяют создавать силикатные покрытия при температуре ниже 500 С, что приводит к ухудшению параметров полупроводниковых приборов.

Цель изобретения вЂ” разработка раствора, который позволит получать качественные силикатные покрытия при более низкой температуре, например 300 вЂ” 500 С, Сущность изобретения состоит в том, что для получения силикатных покрытий используется смесь крем нийорганического эфира, водного раствора одной из фосфорных кислот и органического растворителя. В пленкообразующий раствор целесообразно ввести добавку азотнокислого алюминия или азотнокислого галлия.

Пример. Силикатную пленку, содержащую 2 вЂ” 35% Ра05 и 65 вЂ” 98% Si02, получают из раствора, содержащего на 1 вес. ч. SiO, (содержится в тетраэтоксисилане) 0,2 вЂ” 0,5

2 вес. ч. P:05 (содержится в ортофосфорной кислоте), 7,5 вЂ” 15 |вес. ч. простых спиртов, 1,5 вЂ” 2,0 вес. ч. бидистиллированной воды, Для получения силикатных покрытий раствор наносят центробежным разливом на поверхность, например, транзисторной структуры любой сложной конфигурации. Затем проводят термическую деструкцию при 300вЂ”

500 С.

10 Для улучшения диэлектрических свойств силикатное покрытие целесообразно создать из нескольких последовательно нанесенных слоев.

Раствор для получения силикатных покрытий методом термической деструкции, содер20 жащий кремнеэтиловый эфир ортокремниевой кислоты, кислый катализатор и добавку азотнокислой соли металла III группы периодической системы, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры процесса тер25 мической деструкции, в качестве кислого катализатора использована одна из фосфорных кислот, например ортофосфорная,