Размагничивающее устройство
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и) 438063
Союз Советских
Социалистимеских
Республик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 22.06.71 (21) 1667684/26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет
Опубликовано 30.07.74. Бюллетень № 28
Дата опубликования описания 08.01.75 (51) М. Кл. Н Olj 29/06
Госудврственный комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.39762 (088.8) (72) Авторы изобретения
В. П. Варанкин и В. И. Пыров (71) Заявитель (5 Изобретение относится к технике экранирования, в частности к размагничивающим экранам, и может использоваться в технике цветного телевидения, например в телевизорах или видеоконтрольных устройствах. Известны размагничивающие устройства, содержащие металлический, например стальной, экран, защищающий цветной кинескоп от внешних магнитных полей, катушки размагничивания, уложенные вблизи этого экрана, питаемые в определенные моменты переменным током с постепенно уменьшающейся амплитудой. Однако известные размагничивающие устройства характеризуются низкой эффективностью работы, так как напряженность размагничивающего поля низка, имеет нерациональное направление и ее недостаточно для размагничивания всего объема материала экрана и деталей кинескопа. Кроме того, для известных размагничивающих устройств необходим большой расход материала, особенно меди, при изготовлении катушек размагничивания, а большие трудоемкости намотки, изолирования, их укладки и изготовления металлического экрана значительно удорожают известные размагничивающие устройства. Целью изобретения является повышение качества размагничивания. Это достигается в предлагаемом устройстве выполнением целого стального экрана из двух не перекрывающих друг друга частей, между которыми помещены сердечники сосредоточенных индуктивностей, например катушек индуктивности с П-образным стальным сердечником, которые вместе с частями металлического экрана составляют квазиортогональные взаимосвязанные пары магнитных контуров, IO причем одна или несколько из упомянутых пар подключены к источнику размагничивающих полей — сосредоточенной индуктивности с переменным размагничивающим напряжением. Для увеличения напряженности размагничивающего магнитного поля и оптимального распределения магнитного потока, создаваемого источниками размагничивающих полей в элементах квазиортогональных контуров, например в составляющих магнитный контур— 20 магнитных сопротивлениях, части металлического экрана в непосредственной близости от сердечников размагничивающих индуктивностей содержат дополнительные пластины из ферромагнитного материала, а в поверхностях 25 металлического экрана образованы магнитные сопротивления в виде выполненных параллельных щелей с изменяющейся геометрией и регулирующих магнитные сопротивления. В качестве составных частей контуров экрана могут 30 быть использованы элементы конструкции, на438063 З0 65 пример бандаж взрывозащиты или крепления кинескопа. На фиг. 1 показана конструкция магнитного экрана с установленными на нем источниками м.д.с. (магнитодвижущих сил); на фиг. 2— эквивалентная схема магнитных контуров экрана. Размагничивающее устройство содержит бандаж 1, магнитный экран, состоящий из частей 2 и 3, источники м.д.с. 4 и 5. Части 2 и 3 магнитного экрана соединяются между собой с помощью П-образных сердечников источников м.д.с. 4 и 5. Катушки индуктивностей источников м.д.с. 4 и 5 подключены в определенные моменты времени к источнику 6 переменного тока уменьшающейся амплитуды. Магнитный контакт, определяющий переходное магнитное сопротивление между полюсными сердечниками источников м.д.с. 4 и 5 и частями 2 и 3 магнитного экрана, а также между частями 2 и 3 магнитного экрана и бандажом 1, должен быть плотным. В поверхности магнитного экрана могут быть выполнены щели 7, регулирующие магнитное сопротивление по пути магнитных потоков. В местах с ослабленным сечением магнитопроводов, например под полюсами сердечников источников м.д.с. 4 и 5, может быть применено искусственное увеличение толщины материала с помощью накладок 8. Для создания достаточной напряженности магнитного поля внутри цветного кинескопа в районе теневой маски части контуров магнитного экрана, расположенные под полюсами сердечников источников м.д.с. 4 и 5, выполняют роль полюсных наконечников. Полюсные наконечники выполняются значительной площади с увеличенным сечением магнитопровода. Участки контуров вблизи полюсных наконечников имеют уменьшенное сечение магнитопровода, которое может увеличиваться к периферии от источников м.д.с. 4 и 5. Это уменьшение сечения необходимо для снижения индуктивного сопротивления катушек источников м.д.с. 4 и 5, а также для увеличения напряженности магнитного поля рассеяния от полюсных наконечников. Площадь наибольшего сечения магнитопровода и площадь уменьшенного сечения следует выбирать из следующих соображений. Сталь, из которой обычно изготавливают магнитный экран, имеет определенную величину максимальной индукции насыщения (В„„к,), которая колеблется для разных марок стали от 2 до 2,5 тл (тесла), В то же время у каждой марки стали имеется определенная величина максимальной остаточной индукции (HO T), которая находится в пределах 0,3 — 0,8 тл. Качественное перемагничивание всех металлических деталей достигается, когда в начальный момент размагничивания амплитудное значение индукции (В,„,), создаваемое источниками м.д.с. во всех сечениях по пути магнитного потока, превысит остаточную индукцию (Вост) материала. При этом следует учитывать, что в ослабленных сечениях максимальное амплитудное значение индукции (Вамп. макс) Не пре вышает максимальной индукции насыщения (Вмакс) . Таким образом, отношение наименьшей площади сечения (SM„H) к наибольшей площади сечения (Зм,кс) по пути магнитных потоков не должно быть меньше, чем отношение максимальной величины остаточной индукции (Вос,) к максимальной индукции насыщения (Вмккс) материала экрана, т. е. мин - Вост $мккс Выдкс Одновременно минимальная величина сечения контуров (5„„) зависит от величины напряженности внешних магнитных полей (Н,п„,) и максимальной площади сечения экранируемого объема ($окр.об). Известно, что напряженность поля Земли колеблется от района к району в пределах 0,1 — 0,3 э. Площадь максимального сечения экранируемого объема зависит от типа кинескопа и его габаритных размеров. Для кинескопа 59ЛКЗЦ площадь максимального сечения экранируемого объема (Я„р,б) составляет 0,25 — 0,3 м . Зная максимальное значение индукции (В„,„,) линейного участка кривой намагничивания, можно определить минимальное сечение контуров по следующей формуле: акр.об кксш экр.об  — 3 макс Р где p, — — относительная магнитная мость материала экрана. Величина отверстий в поверхности экрана, которые определяют квазиортогональные, взаимосоединенные пары магнитных контуров, влияет на качество экранирования. Ширина отверстий определена из условия исключения явления выпучивания силовых линий внешнего магнитного поля в экранируемый объем. Размагничивающее устройство работает следующим образом. При мешающих внешних переменных магнитных полях, например, промышленной частоты в магнитопроводах контуров экрана создаются магнитные потоки, снижающие HaIIpHженность мешающего поля в экранируемом объеме. Под воздействием внешних статических магнитных полей, например магнитного поля Земли, материал экрана и деталей кинескопа самостоятельно не может перемагнититься вследствие сравнительно большой коэрцитивной силы, которая находится для трансформаторных сталей в пределах 0,35 — 0,7 э. По этой причине необходим источник переменной м.д.с. с уменьшающейся амплитудой магнитного потока. В описанном случае этими источниками являются источники м.д.с. 4 и 5. Создаваемые ими переменные магнитные потоки раскачивают домены спонтанного намагничивания магнитопроводов, в результате чего они легче ориентируются под влиянием внеш4380И него магнитного поля. Одновременно магнитный поток рассеяния раскачивает домены спонтанного намагничивания материала теневой маски, обеспечивая их ориентацию по действующему полю. По окончании процесса размагничивания остаточная индукция в материале отсутствует. Напряженность внешнего магнитного поля, а также от остаточной индукции материала экрана, в экранируемом объеме мала или отсутствует полностью. Образование квазиортогональных контуров из взаимосвязанных пар магнитных сопротивлений 9, 10 и 11 и питание их источниками 12 и 13 размагничивающих полей показано на эквивалентной схеме магнитной цепи размагничивающего устройства (фиг, 2), причем сопротивления 9, 10 и 11 эквивалентны показанным на фиг. 1 деталям 1, 2 и 3 металлического экрана соответственно, а источники 12 и 13 размагничивающих полей эквивалентны соответственно парам источников 4, 6 и 5, 6 размагничивающего устройства, так как источник 6 может быть общим. Предмет изобретения 1. Размагничивающее устройство, содержащее металлический экран, размагничивающую -сосредоточенную индуктивность, подключенную к источнику переменного размагничивающего напряжения, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества размагничивания, металлический экран выполнен из двух не перекрывающих друг друга частей, между которыми помещены сердечники сосредоточенных индуктивностей, которые вместе с частями металлического экрана составляют квазиорИ1 тогональные взаимосвязанные пары магнитных контуров, причем одна или несколько из упомянутых пар подключены к источнику размагничивающих полей. 15 2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, с целью увеличения напряженности размагничивающего магнитного поля и оптимального распределения магнитного потока, создаваемого источниками размагничивающих 20 полей в элементах упомянутых магнитных контуров, например в магнитных сопротивлениях, части металлического экрана в непосредственной близости от сердечников размагничивающих индуктивностей содержат дополнительные 25 ферромагнитные пластины, при этом части металлического экрана содержат параллельные щели. 438063 Составитель В. Стройкин Редактор Е. Караулова Техред А. Камышникова Корректор Е. Рогайлина Заказ 351 1/13 Изд. № 1882 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий Москва, Щ-35, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2
