Устройство для разбраковки полупроводниковых приборов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ (ii) 438948

Союз Советских

Социалистииеских

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 03.01.73 (21) 1866345/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.08.74. Бюллетень № 29

Дата опубликования описания 27.01,75 (51) М. Кл, G Olr 31/26

Государственный комитет

Совета Миннстров CGGP оо делам нзооретеннй и открытий (53) УДК 621.382.2 (088.8) (72) Авторы изобретения

Л. Ф. Яцкевич, В. И. Гофман и А. В. Новиков (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ РАЗБРАКОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Предмет изобретения

Изобретение относится к устройствам для разбраковки полупроводниковых приборов по изменению сопротивления р-и-перехода при воздействии на него разогревающего импульса.

Известно устройство для разбраковки полупроводниковых приборов по изменению сопротивления p-n-перехода, содержащее генератор импульсов, вход которого связан с одной из клемм для подключения испытуемого прибора, измерительное сопротивление, один конец которого заземлен, а другой соединен с клеммой для подключения испытуемого прибора, и индикатор, Для фиксации изменения сопротивления используется осциллограф, на экране которого наблюдают характер кривой возвращения параметра прибора к исходной величине.

Недостатки известного устройства следующие: невозможность механизации процесса и субъективизм в оценке результатов испытаний.

Целью изобретения является повышение точности и производительности процесса разбраковки полупроводниковых приборов по изменению сопротивления р-и-перехода при воздействии на него разогревающего импульса.

Поставленная цель достигается благодаря тому, что параллельно измерительному сопротивлению подключен электронный ключ, вход которого соединен с генератором импульсов, и пороговое запоминающее устройство, выход которого соединен с индикатором.

На чертеже приведена блок-схема предложенного устройства для разбраковки полупро5 водниковых приборов.

Генератор 1 подает на испытуемый прибор 2 серию импульсов. В момент прохождения импульса ключ 3 шунтирует измерительное сопротивление 4 (чтобы исключить его влияние

10 на рабочий режим). В момент окончания действия импульса ключ 3 подключает к испытуемому прибору измерительное сопротивление 4, т. е. приводит в рабочее состояние пороговое запоминающее устройство 5.

15 При превышении информативным сигналом с измерительного сопротивления 4 заданного порога срабатывает пороговое запоминающее устройство 5, на индикаторе 6 появляется сигнал о негодности прибора по проверяемому

20 параметру, и устройство автоматически приостанавливает работу.

Устройство может испытывать по изменению сопротивления р-и-перехода транзисторы, диоды и элементы .интегральных схем.

Устройство для разбраковки полупроводниковых приборов, содержащее блок питания, 50 генератор импульсов, измерительное сопротив438948

Составитель 3. Челнокова

Техред Л. Акимова

Редактор Т. Орловская

Корректор Т. Хворова

Заказ 75/3 Изд. № 187 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ление и индикатор, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и производительности разораковки, параллельно измерительному сопротивлению подключен электронный ключ, вход которого соединен с генератором импульсов, и пороговое запоминающее устройство, выход которого соединен с индикатором.

Устройство для разбраковки полупроводниковых приборов Устройство для разбраковки полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх