Широтно-импульсный модулятор


H03K3/2893 - Импульсная техника (измерение импульсных характеристик G01R; механические счетчики с электрическим входом G06M; устройства для накопления /хранения/ информации вообще G11; устройства хранения и выборки информации в электрических аналоговых запоминающих устройствах G11C 27/02; конструкция переключателей для генерации импульсов путем замыкания и размыкания контактов, например с использованием подвижных магнитов, H01H; статическое преобразование электрической энергии H02M;генерирование колебаний с помощью схем, содержащих активные элементы, работающие в некоммутационном режиме, H03B; импульсная модуляция колебаний синусоидальной формы H03C;H04L ; схемы дискриминаторов с подсчетом импульсов H03D;

 

439905

Союз Советских

Социалистицеских

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 27.03.72 (21) 1763287/26-9 (51) М.Кл. Н 03k 3/295 с присоединением заявки №вЂ”

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР

llD делам изобретений и открытий (32) Приоритет—

Оп .бликоваио 15.08,74. Бюллетень J¹ 30 (53) УДК 621.373,5 (2) (088.8) Дата опубликования описания 21.03.75 (72) Автор изобретения

В.М. Кудрявцев (71) Заявитель (54) ШИPOTHО-ИМПУЛЬСHЫЙ МОДУЛЯTOP

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в качестве спускового устройства.

Известен широтно-импульсный модулятор, содержащий одновибратор с эмиттерпой связью иа транзисторах прямой проводимости, два диода, RC-цепочку и транзистор обратной проводимости, коллектор которого подключен к источнику управляющего напояжения.

Этот широтно-импульсный модулятор имеет нелинейную характеристику преобразования.

С целью получения линейной характеристики преобразования широтно-импульсного модулятора между разрядным конденсатором и базой выходного транзистора включен базаэмиттерный переход транзистора обратной проводимости, первый диод, зашунтированный RC-цепочкой, конденсатор которой подключен к базе транзистора обратной проводимости, а другая обкладка которого соединена через второй диод с коллектором входио;о транзистора.

На чертеже приведена припци иалыиая электрическая схема предлагаемого широтноимпульсного модулятора, который содержит одновибратор на транзисторах 1 и 2 прямой проводимости, диоды 8 и 4, конденсаторы 5 и и 6, резисторы 7 — 18. Между конденсатором 5 и базой транзистора 2 вкл1очен база-эмиттерный переход транзистора 14 обратной проводимости, на коллектор которого подано управляющее напряжение.

На вход 15 подаются запускающие импулсы, которые через конденсатор 16 подаются на базу транзистора l. С выхода 17 снпмаюгся выходные импульсы.

Работает широтно-импульсный модулятор следующим образом. то До прихода входного импульса транзистор 1 заперт, а транзистор 2 насыщен; конденсаторы 5 и 6 через диоды 8 и 4 заряжены до напряжения, близкого к напряжению источника питания. Транзистор 14 заперт за счет прот15 каиия тока через диод 4. После прихода входного импульса схема переходит во временно устойчивое состояние, когда транзистор 2 затьпрается, а транзистор 1 насыщается. Диод > и конденсатор 5 через малое сопротивление

20 резистора 10 подключаются к земле. Конденсатор 6 в этом состоянии отключается от земли и источника питания и за счет большой емкости в дальнейшем выполняет роль автономного источника питания, а потенциал базы

25 транзистора 14 скачком нарастает на величину, равную напряжению на конденсаторе 5.

Если напряжение на коллекторе транзист >ра 14 будет меньше напряжения на его базе (конденсаторе 5), то он насыщается, и конденЗО сатор 5 быстро разряжается через выходное

439905

75

Составитель Ю. Еркин

Техред T. Миронова

Редактор Л. Цветкова

Корректор А. Васильева

Подписное

Заказ 6539 Изд. № 1900 1 праж 8!1

Ц1-1ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, >К-зо, Раушская наб., д. 4/5

Обл. тип. Костромского управления пздагельств, полпгра< ип H кап>иной торгОвли сопротивление источника управляющего напряжения «резистор 18. Процесс бытрого разряда заканчивается при равенстве напряжений на базе и коллекторе транзистора 14.

В этот момент транзистор 14 переходит в активную область и выполняет роль эмиттерного повторителя. Дальнейший разряд конденсат;)ра 5 происходит по цепи: резистор 11, конденсатор б, выходное сопротивление эмиттерного повторителя, резистор 10, насыщенный транзистор 1. Время разряда конденсатора 5 и определяет длительность временно устойчизого состояния.

Обратное опрокидывание схемы наступает, когда наиря>кение на базе транзистора 2 проходит через нуль. Транзистор 2 снова насыщается, транзистор 1 запирается, а конденсаторы 5 и б восстанавливают свои заряды через дподы 8 и 4.

Изменяющемуся напряженшо на конденсаторе 5 встречно направлено равное по величине напряжение эмиттерного повторителя, а остальные напря>кения постоянные. Действие постоянного иапря>кения в контуре обеспечивает. протекание постоянного тока, линейно разряжающего конденсатор 5, что позволяет повысить линейность преобразования широгно-импульсного модулятора.

Предмет изобретения

Широтно-импульсный модулятор, содержащий одновибратор с эмиттерной связью на транзисторах прямой проводимости, два диода, RC-цепочку и транзистор обратной проводимости, коллектор которого подключен к источнику управляющего напряжения, orëè÷à>oùèéся тем, что, с целью получения линейной характеристики преобразования, между разрядным конденсатором одновибратора и базой выходного транзистора включен база-эмиттеоиый переход транзистора обратной проводимости, первый диод, зашунтированный RC-це90 почкой, конденсатор которой подключен к базе транзистора обратной проводимости, а другая обкладка которого соединена через второй диод с коллектором входного транзистора.

Широтно-импульсный модулятор Широтно-импульсный модулятор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах вычислительной техники и системах управлениях
Наверх