Криогенный формирователь

 

ОП ИСАНИЕ, ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К ВТОРСКО о У СВИДЙТИЛЬСТВУ (11) 44I 652

Саноз Соытсэа

Соцмалмстимвсеоа

Расвубпмк

/ (61) Зависимое от авт. свидетельства— (22) Заянлеио 09. П. 72 (21)7846357/26-9 (51-) М Кл.

Н 03к 5/00 с присоединением заявки—

Государственный комитет

Соавта теинистроа СССР оо делан изобретений

N открытий (32) Приоритет—

Опубликовано30.08. 74Бюллетень ¹ 32 (53) УДК 627, 3 4.2 (088.81

1 (45)! Дата опубликования описания 5. Х2. 74 (72) Авторы изобретения

Г.В.Глебович и Л. ВЛигунов (71) Заявитель Горьковский политехнический институт им. А.А.Жданова

Г Изобретение относится к ра- 1 циотехнике и может использоваться ,цля формирования сигнала в различной аппаратуре.

Известен криогенный формирователь, соцержащий оцну управляемую и дне управляющие сверхпроводящие линии передачи, причем первая упранляющая сверхпровоцящая линия перецачи соцержит вентильный участок в месте пересечения с первой управляемой линией.

Нецостаток состоит в том, что этот криогенный ормирователь обла-, пает помехами и ормирует импульсы с малой крутизно фронтов.

Цель изобретения — увеличение крутизны фронтов формируемых импульсов и уменьшение помех формирователя.

Эта цель цостигается тем, что управляемая сверхпроводящая лйния пврецачи содержит дополнительный вентильный участок со второй упра вляющей сверхпровоцящей линией пе- 2

1ре.цачи, На чертеже приведена схема конструкции прецлагаемого формирователя.

Криогенный формирователь содержит три несимметричные полосковые линии передачи, провоцниками которых являются свинцовые пленки, находящиеся в режиме сверхпроноцимости, а циэлектриком, разцеляющим полоски в кажцой лйнии — фторопласт =4 или жесткая изоляционная подложка.

Управляемая линия 1 поцключена на вхоце к согласованному с ней источнику 2 постоянного напряжения, а на выхоце нагружена на нагрузку

3 (активное сопротивление), величина которой равна волновому сопротивлению линии 1.

В линии дна участка (вентили

4 и 5) выполнены из сверхпроводящего материала (например, олова), критическое магнитное поле котороIIo много меньше критического поля

44J (L >lH()cI.Управляемую линию f в месте расположения вентилей 4 и 5 пересекают цве управляющие полосковые линии 6 и 7, отцеленные от управляемой линий f слоем циэлектрика.

Эти линии подключены на вхопе к генератору 8 управляющих импульСОВ, а ня выхОпе нагружены на СОгласованны8 с ними активны8 сопротивления (резисторы 9 m iO), в

Б исхоцном ".Остоянии управляемая линия X нахоцится В сверхпроВоцящем состоянии, 68 сопрОтивление постоянному току равно нулю, и

HB нагрузке 4 им88тся папение НВПРЯЖЕ НИЯ, При попаче управляющего импульса на линии 6 и 7 щютекающий

z них ток создает в вентилях 4 и

5 внешнее магнитное поле, большее критического. Управляющий импульс

В линию б поступает раньше чем В линию 7, и вентиль 4 первым перехоцит поц .цействием магнитного QOля из сверхпровоцящего состояния в 2; нормальное. Его сопротивление резко ВозРBGTBGT ПостоЯнный ток В линии 1 также резко папает, и от вентиля 4 Вцдль линии $ распростра— няется перепал тока. В момент пе- ;а рехопа этого перепаца к вентилю 5 во второй управляющей линии 7 От генератора 8 появляется импульс, со",цающии магнитное поле В Вентйле 5. Сопротивление вентиля ь Воз= растает, а перепал тока в линии 1 зь

4 упваивается и, распространяясь поль линии, поступает на нагрузку 3, на которой формируется перепап напряжения.

Длительность фронта перепапа опрецеляется скоростью переключения вентилей 4 и 5.

Помехи устраняются за счет поцачи в линию 7 импульса той же формы, что и в линию 6, но противоположной полярности и с запазцыванием, равным времени пробега перепапа тока от вентиля 4 по вентиля 5, в котором компенсируются паразитные сигналы.

ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Криогенный формирователь, со= держащий опну управляемую m пве управляющие сверхпровопящие линии перецачи, причем первая управляюща сверхпровоцящая линия перепачи сопержит вентильный участок в месте пересечения с первой управляемой сверхпровопящей линиеи, о т л и— ч а ю шийся тем что, с целью увеличения крутизны фронтов формируемых импульсов, напряжения а так= же умень ления помех, управляемая сверхпровоцящая линия перепачи сопержит цополиительный вентильный участок со второй управляющей сверхпровоцящеи линией перецачи.

44Е652

10 гl.

Заказ 7- 7

Тираж Щ

11однисиое

Пал. <<в !! ill 1 !ill ill ос!ларс г венного ко<витста Cou<. i л Мииистров С .С г.г-<-р

I;0 тгс1.,ii иаобрстеиий li открытий

Москва, 113035, 1 аушская иаб., 4

Прсиприлти «!1атеит», Москва, Г.59, Бережковская иаб., аб., 24 (:оставитеаь g» EPEHH

Р < г р М БЫЧКОВЯ Текре i Я QQ КорректорД Бе<тйЫ. г. с Я

Криогенный формирователь Криогенный формирователь Криогенный формирователь 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах вычислительной техники и системах управлениях

Изобретение относится к области высоковольтной импульсной техники и может быть использовано в качестве источника импульсного электропитания различных электрофизических установок

Изобретение относится к устройствам цифровой автоматики и может найти применение в системах управления, контроля, измерения, вычислительных устройствах, устройствах связи различных отраслей техники

Таймер // 2103808
Изобретение относится к устройствам отсчета времени и может найти применение в системах управления, контроля, измерения, в вычислительных устройств, устройствах связи различных отраслей техники

Изобретение относится к области электротехники, в частности к области генерирования электрических импульсов с использованием трансформаторов

Изобретение относится к импульскной технике

Изобретение относится к области импульсной техники

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах, работающих в частотном режиме, а также при разработке источников коротких высоковольтных импульсов

Изобретение относится к электротехнике и электронике и может быть использовано в устройствах питания радиоэлектронной аппаратуры, для питания электроприводов и т.д
Наверх