Способ получения нитевидных кристалловалюминия при нагревании алюминия

 

О П Й--С- "А"-Й Й Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Реслублик (ii) 446145

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 07.08.72 (21) 1818608/23-26 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет— (51) М, Кл.з

С 30 В 29/62

С 22 С 21/00

Гюсударстненный комитет

СССР

° о делам изобретений и открытий (53) УДК 539 216 .1:546.621 (088.8) Опубликовано 30.03.81. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 31.03.81

Ф. H. Тавадзе, Г. М. Сурмава, Н. Г. Татишвили, А. П. Мартиашвили и М. М. Гвичия (72) Авторы изобретения

Институт металлургии им. 50-летия СССР АН Грузинско" CCP (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ

АЛ)ОМИНИЯ

Формула изобретения

Изобретение относится к технике получения нитевидных кристаллов, применяемых для получения композиционных материалов.

Известен способ получения нитевидных кристаллов алюминия субмикронных размеров, заключающийся в том, что материал в виде проволоки помещают вокруг испарителя-катода, нагревают до температуры

1100 С, при которой он испаряется и осаждается на катод при вакууме 10 мм рт. ст.

Однако отмечаются весьма малые размеры получаемых нитевидных кристаллов: их длина 15 мкм, диаметр 50 — 200 А.

Цель изобретения — увеличение размеров кристаллов.

Для этого к алюминию добавляют иодид цинка и процесс ведут при температуре 500-600 С в атмосфере инертных газов или водорода. !

Пример. В кварцевую трубку помещ;-:.ют керамическую лодочку, в которой находятся гранулы алюминия марки ЧДА, засыпанные предварительно обезноженным порошком иодида цинка. Процесс ведут при темпера5 туре 500 — 600 С в атмсофере аргона в течение 1,5 — 2,5 ч. В результате получают нитевидные кристаллы диаметром 1—

100 мкм и длиной 5 — 10 мм.

Способ получения нитевидных кристаллов алюминия при нагревании алюминия до плавления, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов, к алюминию добавляют иодид цинка и процесс ведут при температуре 500 — 600 С в атмосфере инертных газов или водорода.

Способ получения нитевидных кристалловалюминия при нагревании алюминия 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к осаждению разных диэлектрических слоев производных кремния в производстве субмикронных СБИС (сверхбольших интегральных схем)

Изобретение относится к химической технологии и может быть использовано при производстве аморфных материалов в макроскопическом объеме
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si (ННК) включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла, выбираемого из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Me(NO3)x, где Me - Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт. Изобретение обеспечивает возможность получения ННК с диаметрами от 10 до 100 нм, равномерно распределенных по поверхности подложки и имеющих малый разбаланс поперечных размеров. 6 пр.

Способ получения нитевидных кристалловалюминия при нагревании алюминия

Наверх