Способ разделения многослойных пластин

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

< ц 4598I7

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) 3.аявлено 09,10.72 (21) 1835084/26-25 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 05.02.75. Бюллетень № 5

Дата опубликования описания 31.03.75 (5l) М. Кл. Н 011 7/64

Государственный комитет

Совета 3Ииннстров СССР

Ilo делам изобретений н открытий (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения

Р. В. Воинов, В. Е. Иванов и И. И. Сухотерин (71) Заявитель (54) СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЛАСТИН

С ГОТОВЫМИ СТРУКТУРАМИ

Изобретение относится к полупроводниковому производству, в частности к способам разделения кремниевых пластин с готовыми структурами, например интегральных схем, на кристаллы.

Известен способ разделения полупроводниковых пластин с готовыми структурами, выполненными в монокристаллических карманах, изолированных окислом от поликристаллической подложки, путем скрайбирования обратной стороны с последующим разламыванием.

Для скрайбирования по обратной стороне пластины к существующим скрайберам раз-. работаны столики, дающие возможность ориентировать пластину по лицевой стороне, а скрайбировать по обратной. Разработаны устройства для ориентации пластин по лицевой стороне с помощью призмы полного внутреннего отражения. Это усложняет способ и оборудование для его осуществления, а ошибки в ориентировании снижают процент выхода годных кристаллов.

Цель изобретения — упрощение способа и повышение точности ориентации.

Цель достигается за счет того, что пластину с лицевой стороны защищают химически стойким покрытием и подвергают травлению до появления на обратной стороне пластины рисок, по которым затем ведут скрайбирование.

На фиг, 1 показан поперечный разрез по структурам части пластины перед нанесением на лицевую сторону химически стойкого покрытия; на фиг. 2 — та же часть пластины после химического травления; на фиг. 3 — обратная сторона пластины после травления.

Пластина после создания структур представляет собой поликристаллическую подложку 1, в которой находятся изолированные окислом 2 области монокристаллического

1о кремния 3 с активными и пассивными элементами (транзисторами, диодами, резисторами).

Для разделения пластин на кристаллы ее с лицевой стороны (со стороны расположения структур) защищают химически стойким по15 крытием 4 и подвергают травлению в травителе, содержащем плавиковую, азотную и уксусную кислоты, до появления на обратной стороне (на поверхности поликристаллического слоя) рисок 5.

20 Установлено, что риски расположены строго под дорожками на лицевой стороне, по которым проводят скрайбирование известным способом.

Появление рисок в результате травления

25 можно предположительно объяснить различной плотностью поликристаллической подложки, Как известно, при изготовлении интегральных схем на поверхности исходной монокристаллической пластины изготавливают систему

30 разделительных каналов, а затем после окис459817 ления рельефа производят наращивание поликристаллического слоя. Поскольку осаждение происходит на рельефной поверхности, то образуются участки менее плотного поликристалла в соответствии с заданным рисунком разделительных каналов.

В результате различной скорости травления образуются риски. Если пластину сориентировать с помощью этих рисок и вдоль них провести скрайбирование, то пластина разламывается на такие же кристаллы, как и полученные при скрайбировании с лицевой стороны.

Это значительно упрощает способ, так как просто и эффективно обеспечивается ориентация пластин.

Изготовление структур на пластине осуществляют по любой известной технологии, а затем производят контроль их параметров.

На поверхность годной пластины со стороны структур наносят слой химически стойкого лака толщиной 15 — 25 мкм и высушивают в течение 2 мин под лампой ИФК-излучения, после чего пластину помещают на 60 сек в травитель, содержащий 6 вес. ч. азотной кислоты, 2 вес, ч. плавиковой кислоты и 2 вес. ч. ледяной уксусной кислоты. За время травления общая толщина пластины уменьшается от

180 — 185 мкм до 165 — 175 мкм. Образуются

5 риски шириной около 50 мкм и глубиной 10—

15 мкм. Затем лак снимают, наносят фоторезистивное покрытие, пластины подают на установку скрайбирования и скрайбируют вдоль полученных рисок, а после этого разламываIO ют на кристаллы любым известным способом.

Предмет изобретения

Способ разделения многослойных пластин с готовыми структурами, выполненными в

15 монокристаллических карманах, изолированных окислом от поликристаллической подложки путем скрайбирования обратной стороны с последующим разламыванием, отличаюшийся тем, что, с целью упрощения способа

20 и повышения точности ориентации, пластину с лицевой стороны защищают химически стойким покрытием и подвергают травлению до появления на обратной стороне рисок, по котор ы м з атем ведут с кр айби ров ание.

469817

Составитель Н. Островская

Редактор Т. Орловская Техред Л. Морозова Корректор Б, Хмелева

Заказ 735/12 Изд. М 395 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретения и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб„д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ разделения многослойных пластин Способ разделения многослойных пластин Способ разделения многослойных пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и предназначено для сборки мозаичных фотоприемных модулей. В способе формирования граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей наносят защитное покрытие на планарную сторону приборной пластины, после чего, используя лазер, производят скрайбирование и осуществляют раскалывание приборной пластины. Защитное покрытие наносят толщиной, обеспечивающей поглощение лазерного излучения с плотностью энергии меньшей порога плавления в материале защитного покрытия и препятствование его воздействия на полупроводниковый материал. Скрайбирование, формирующее грань, осуществляют с использованием многопроходного режима. В каждом проходе приборной пластины скорость ее движения выбирают из условия отсутствия на поверхности больших зон расплава материала за счет перекрытия световых пятен от импульсного излучения, а также отсутствия уменьшения ширины канавки за счет осаждения расплава. При скрайбировании формируют канавку симметричной V-образной формы, направляя излучение по нормали к поверхности приборной пластины и получая канавку со стенками, образующими с поверхностью приборной пластины тупой угол α, или асимметричной V-образной формы, путем отклонения оптической оси лазерной системы, генерирующей требуемое излучение для скрайбирования, от нормали к поверхности приборной пластины в поперечном направлении формируемой канавки, получая канавку со стенкой со стороны чипа, образующей с поверхностью приборной пластины угол менее величины α и не более 180°-α. В результате достигается повышение эффективности преобразования изображений в мозаичном фотоприемном модуле и расширение области его применения. 5 з.п. ф-лы, 9 ил., 2 пр.

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - уменьшение трудоемкости изготовления, расширение функциональных возможностей и повышение надежности микроэлектронных узлов. Достигается тем, что в способе изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании перед установкой бескорпусных кристаллов и чип-компонентов соединяют круглую пластину по внешней ее части с опорным металлическим кольцом, наносят тонкий слой кремнийорганического полимера. Устанавливают бескорпусные кристаллы чип-компоненты, ориентируясь на ранее сформированный топологический рисунок, герметизируют кремнийорганическим полимером, достигая толщины полимера равной высоте кольца. Удаляют основание - круглую металлическую пластину, закрепляют дополнительную круглую металлическую пластину с обратной стороны микроэлектронного узла. Проводят коммутацию методом вакуумного напыления металлов или фотолитографией. Наносят слой диэлектрика, второй слой металлизации, защитный слой кремнийорганического полимера. Наносят паяльную пасту на выходные площадки микроэлектронного узла, удаляют дополнительную круглую металлическую пластину с кольцом - проводят вырезку микроэлектронного узла из технологической оснастки. 1 ил.
Наверх