Одновибратор

 

ОЮ:-щ

ЛА7Е1 1 " 0 ."-".ЧЕСаа

ОПИСЭ ЙФ пп 465720

Союз Советских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б1) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 24.0 1.73 (2 1) 1875551/20-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет

Опубликовано 30.03.75. Бюллетень М 12

Дата опубликования описания 1б.07.75 (51) М. Кл. H 03k 3/284

Государственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.373.5 (088.8) лв делам изобретений и вткрытнй (72) Авторы изобретения

О. К. Кочергин и С. Г. Архипов

Новосибирский электротехнический институт (7l) Заявитель (54) ОДНОВИБРАТОР

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано для деления частоты следования непериодических импульсных сигналов.

Известен одновибратор на транзисторах одного типа проводимости с коллекторно-оазовыми связями и термостабилизирующим диодом, включенным между одной из обкладок времязадающего конденсатора и базой закрытого в исходном состоянии транзистора.

Однако известный одновибратор не обеспечивает деление частоты следования непериодических импульсных сигналов и имеет недостаточную стабильность коэффициента деления.

Цель изобретения — осуществление процесса деления частоты следования импульсных непериодических сигналов и повышение стабильности коэфф и циен та делен ия.

Для этого в одновибратор введен ключ на транзисторе того же типа проводимости, собранный по схеме с 03, база которого соединена с источником синхронизирующих импульсов, и импульсный генератор тока на транзисторе противоположного типа проводимости, коллектор которого соединен с общей точкой между времязадающим конденсатором и термостабилизирующим диодом, эмиттер — через резистор с шиной источника питания, база— через резистор с той же шиной источника питания и через конденсатор с коллектором транзисторного ключа.

На фиг. 1 изображена принципиальная схема предлагаемого одновибратора; на фиг. 2—

5 временные диаграммы, поясняющие его работу.

В цепь базы транзистора 1 одновибратора для термостабилизации включен кремниевый диод 2. Между коллектором транзистора 3 и

10 катодом упомянутого диода включен времязадающий конденсатор 4. Общая точка соединения диода 2 и конденсатора 4 через импульсный генератор тока на транзисторе 5 противоположного типа проводимости подключена к

15 общей шине б источника питания Е. База транзистора 5 через резистор 7 соединена с потенциальной шиной б и через конденсатор

8 — с коллектором ключа на транзисторе 9 включенного по схеме с общим эмиттером.

Точка соединения конденсатора 8 и коллектора транзистора 9 через резистор 10 подключена к общей шине б источника питания F.

За исключением транзистора 5 применены транзисторы одного типа проводимости, В исходном состоянии транзистор 1 закрыт.

Транзистор 3 находится в состоянии насыщения, Времязадающий конденсатор 4 заряжен до величины напряжения источника питания

Е. Поскольку потенциал катода диода 2 вы30 ше, чем потенциал анода, последний оказыва465720

3 ется закрытым. Транзистор 5 также закрыт и находится в состоянии отсечки. Отрицательный импульс синхронизации поступает на базу транзистора 9, переводя его в состояние насыщения. Конденсатор 8 начинает заряжаться до величины напряжения источника питания Е.

Ток заряда протекает по цепи: «Земля» — насыщенный транзистор 9 — конденсатор 8— резистор 7. Таким образом, в коллектор транзистора 5 с каждым импульсом запуска поступает дозированный заряд носителей, величина которого определяется только значением напряжения источника питания и величиной емкости конденсатора 8. Каждый импульс синхронизации понижает потенциал катода диода

2 (правая обкладка конденсатора 4) на строго фиксированную величину — «ступеньку» (см. фиг. 2, эпюра напряжения U,). Амплитуда «ступеньки» определяется площадью импульса тока коллектора транзистора 5, и-й импульс открывает диод 2 и транзистор 1.

В схеме возникает регенеративный процесс, в результате которого транзистор 3 закрывается, переходит в состояние отсечки, а транзистор 1 насыщается током заряда конденсатора 4. Временем заряда конденсатора 4 определяется время восстановления схемы. После восстановления начального напряжения на накопительном конденсаторе 4 в схеме возникает обратный регенеративный процесс, в результате которого схема возвращается к своему исходному состоянию. На фиг. 2 показана эпюра напряжения в цепи коллектора транзистора 1 (U> >), иллюстрирующая процесс деления частоты.

При изменении напряжения источника питания изменяется величина начального напряжения на времязадающем конденсаторе 4 и, пропорционально этому. изменению,— амплитуда

«ступеньки». Поскольку процесс уменьшения напряжения на конденсаторе 4 носит перезарядный характер, коэффициент деления а не зависит от величины напряжения источника питания и при 4 = R, определяется соотношением:

5 где а — коэффициент передачи тока эмиттера транзистора 5;

10 С и C8 — емкости конденсаторов 4 и 8 одновибратора, соответственно.

Таким образом, коэффициент деления и не зависит от амплитуды подводимых импульсов, порогового напряжения ключа и напряжения

15 источника питания, что существенно повышает стабильность коэффициента деления частоты повторения импульсных сигналов.

Предмет изобретения

20 Одновибратор на транзисторах одного типа проводимости с коллекторно-базовыми связями и термостабилизирующим диодом, включенным между одной из обкладок времязадающего конденсатора и базой закрытого в

25 исходном состоянии транзистора, о т л и ч а ющийся тем, что, с целью обеспечения возможности деления частоты непериодических импульсных сигналов и повышения стабильности коэффициента деления, в него введен ключ

30 на транзисторе того же типа проводимости, собранный по схеме с ОЭ, база которого соединена с источником синхронизирующих импульсов, и импульсный генератор тока на транзисторе противоположного типа проводи35 мости, коллектор которого соединен с общей точкой между времязадающим конденсатором и указанным диодом, эмиттер — через резистор с шиной источника питания, база — через резистор с той же шиной источника питания

40 и через конденсатор с коллектором транзисторного ключа.

465720 д - имаулъсоЮ

Составитель О. Кочергин

Техред Т. Курилко

Корректор Л. Котова

Редактор Н. Коляда

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 1383!14 Изд. № 1315 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4 5