Жидкокристаллический матричный индикатор

 

О Л Й С А Й И i(I) 466523 1 ЗОБРЕТЕ Н И Я

Союз Советских

Социалистических

Реслублик (22) 3 аяв лен о 18,12;72 (21) 1859343118-24 (5 1) .".1 . Кл. О 06k 1 5 18 с при-оединением заявки №

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений и открьпнй (23) Приоритет (53) УДК 681.3.53 855 (088.8) Оп1 блпковано 05.04.75. Бюллетень ¹ 13

Дата опубликования описания 18.07.75 (72) Автор изобретения

И. Ю. Гринис (71) Заявитель (54) ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТРИЧНЫЙ ИНДИКАТОР

Изобретение относится к области отображения информации, Известны жидкокристаллические матричные индикаторы, содержащие слой кристалла, помещенный между двумя прозрачными основаниями, и адресные электроды, нанесенные на внутренние поверхности оснований.

Недостатком этих индикаторов является низкое качество изооражения при проекции изображения на экран, так как при этом выявляются незначительные оптические неоднородности, кроме того, при высоких уровнях возбуждения слоя жидкого кристалла из-за краевого эффекта на краях адресных шин резкие границы элементов матрицы, определяющих содержание изображения, расплываются.

С целью устранения этих недостатков предложенный индикатор снабжен маскирующими элементами, например светорассеивающими пленками, размешенными на поверхности оснований.

На первом основании маскирующие элементы расположены между электрода lH, а на втором — в местах, ограниченных областями пересечения электродов и маскирующими элементами первого основания.

На фиг. 1 приведена схема индикатора; на фиг. 2 и 3 — схема располозкения маскирующих элементов на одном и другом основаниях, На чертежах осозначено: 1, 2 — — прозрачные основания, 3, 4 — адресные -лек-роды, 5-слой жидкого IIpHcTB, T IH, б — JH3. lc;,TpH ескис прокладки, 7 — слой гермети.<а, 8 — маскирующие элементы, 9 — области пересечения электродов.

В матрицах с высоким разрешением для исключения разрушения маскирующей пленки основания индикатора выполнены двухслой10 ными. При этом маскирующие эле епты расположены на внутрен leй поверхности одной из пластин двухслойного основания.

Устройство работает следуlolIIHil образом.

При освещении индикатора проходящим

15 светом прямой световой поток к наблюдателю проходит только через участки, составляющие управляемое поле матрицы, т, е. участки, находящиеся в местах пересечения электродов. Световой поток, проходящий через ос20 тальные участки матрицы, опреде,".иет уровень засветки неуправляемого фона и огра;-:ичивается светопропусканием маскирую:цей пленки.

Прозрачность маскирующей плeHIlII подобрана B соответствии со свстопропуcI.BHHc,.

25 ма cHIIB.vbHQ B036)?KtIQHHQI о c:IOH жидкогс кристалла в направлении наба.од нпя. Интенсивность фонового-потока нез,а- игольна по сравнению с интенсив GcTBIo прямо о потока, поэтому фоновые помехи, вносимые оптиче30 скими неоднородностями слоя жидкого крис466523

Предмет изобретения

31 5

Фие. 1

g фиг,З

Фиг. 2

Составитель А. Воронин

Техред Е. Подурушина

Корректор Л. Брахнина

Редактор Л, Утехина

Заказ 1975/10 Изд. № 640 Тираж 579 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д, 4/5

Типография, пр. Сапунова. 2 талла и адресных электродов, хорошо маскируются.

Информацию на индикатор записывают путем возбуждения управляемого фона до максимального уровня. жидкокристаллический матричный индикатор, содержащий слой кристалла, помещенный между двумя прозрачными основаниями, и адресные электроды, нанесенные на внутренине поверхности оснований, о т л и ч а ющнйся тем, что, с целью улучшения качества изображения и исключения неоднородности засветки фона, индикатор снабжен мас5 кирующими элементами, например светорассеивающими пленками, размещенными на цоверхности оснований; причем на первом основании маскирующие элементы расположены между электродами, а на втором = в ме10 стах, ограниченных областями пересечения электродов, и маскирующими элементами первого основания.