Логический элемент и-не

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ш1 466620

Союз Саветских

Социалистических

Респу чик (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено 18.06.73 (21) 1936811(26-9 с присоединением заявки № (32) Приоритет (51) М. Кл, Н 03k 19/36

Государственный комитет

Совета Министров СССР

„„щ „, „„„- Опубликовано 05.04.75. Бюллетень № 13 (53) УДК 681.325.65 (088.8) и открытий

Дата опубликования описания 16.07.75 (72) Авторы изобретения

Ю. Е. Наумов и Ю. Г. Щебаров (71) Заявитель (54) ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ «И — НЕ»

Изобретение относится к цифровой технике.

Известен транзисторно-транзисторный логический элемент «И — НЕ» со сложным инвертором, содержащим дополняющие транзисторы типов n-p-n и р-п-р.

Цель изобретения — повышение нагрузочной способности схемы и упрощение цепи управления сложным инвертором, содержащим дополняющие транзисторы.

С этой целью в схему дополнительно установлен транзистор типа р-п-р, эмиттер которого соединен с шиной питания, коллектор— с базой дополняющего транзистора типа р-и-р сложного инвертора и через резистор — с базой многоэмиттерного транзистора, а база дополнительного транзистора типа р-и-р соединена со средней точкой делителя на резисторах, который подключен между шиной питания и коллектором транзистора усилительного каскада.

На чертеже приведена электрическая схема логического элемента «И вЂ” НЕ».

Логическая часть 1, выполняющая функцию «И», содержит многоэмиттерный транзистор 2 и резистор 3. Сложный инвертор 4 построен на дополняющих транзисторах, 5

6 типов п-р-п и р-п-р. Цепь управления инвертором собрана на транзисторах 7, 8 и резисторах 9 — 11.

Схема работает следующим образом, Когда на один или несколько входов подается низкий уровень напряжения, напряжение на базе транзистора 7 недостаточно для открывания транзисторов 7, 5. Поэтому ток

5 через резистор 11 не протекает, и транзистор

8 закрыт. При этом входной ток схемы протекает через эмиттерпый переход транзистора

6, резистор 3 и эмнттерный переход транзистора 2. Следовательно, транзистор 6 нахо10 дится в режиме насыщения, и высокий уровень напряжения на выходе схемы отличается от напряжения источника питания на величину напряжения насыщения этого транзистора.

15 Если на всех входах схемы повышать напряжение, пропорционально повышается напряжение на базе транзистора 7. При некоторой его величине этот транзистор открывается, и через резистор 11 начинает течь ток, ко20 торый создает на нем падение напряжения, достаточное для насыщения транзистора 8.

Насыщенный транзистор, шунтируя переход база-эмиттер транзистора 6, закрывает его.

При дальнейшем повышении входного на25 пряжения транзистор 5 открывается и переходит в режим насыщения, обеспечивая на выходе схемы низкий уровень напряжения.

Использование усилительного транзистора в схеме со сложным инвертором на дополня30 ющих транзисторах приводит к повышению ее

466620

Предмет изобретения

Впала>

В.гпРы

Составитель Ю. Наумов

Техред М. Семенов

Редактор Б. Федотов

Корректор Л. Брахнина

Заказ 1621!19 Изд. М 657 Тираж 902 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 475

Типография, пр. Сапунова, 2 нагрузочной способности. Кроме того, нагрузочная способность повышается благодаря подключению резистора 3 к коллектору транзистора 8 и базе транзистора 6.

Когда схема закрыта, протекающий через резистор 3 входной ток, являющийся током нагрузки предыдущей схемы, уменьшается вследствие того, что резистор 3 подключен не непосредственно к источнику питания, а через эмиттерный переход транзистора 6. В открытой схеме он подключается к источнику питания через насыщенный транзистор 8.

Температурная зависимость нагрузочной способности элемента меньше, чем у известных схем, вследствие большей температурной зависимости входного тока, компенсирующей изменение максимально допустимого тока нагрузки при изменении температуры.

Логический элемент «И — НЕ», содержащий схему «И» на многоэмиттерном транзи5 сторе и резисторе, усилительный каскад и сложный инвертор на дополняющих транзисторах типа и-р-и и р-п-р, отличающийсяя тем, что, с целью повышения нагрузочной способности и упрощения цепи управления, в

10 нем дополнительно установлен транзистор типа р-п-р, эмиттер которого соединен с шиной питания, коллектор — с базой дополняющего транзистора типа р-и-р сложного инвертора и через резистор — с базой многоэмиттерного

15 транзистора, а база дополнительного транзистора типа р-п-р соединена со средней точкой делителя на резисторах, который подключен между шиной питания и коллектором транзистора усилительного каскада,