Сдвоенный полупроводниковый излучатель

 

о

Для получения бесконечно узкой границы раздела осуществлено перекрытие одного из светящихся полей следующим образом.

Кристаллы 2 установлены на кристаллодержателе 2 на разной высоте, что позволяет частично перекрыть внешнюю излучающую грань нижнего кристалла внешней гранью верхнего, как показано на чертеже; и-область каждого кристалла имеет свой омический контакт, выполненный в форме ленты, расположенной вдоль ребра, и позволяющий осуществлять раздельную модуляцию излучения током питания.

Резкая, прямолинейная граница раздела светящихся полей дает возможность использовать сдвоенный полупроводниковый излучатель для формирования в пространстве луча с резко выраженной границей раздела между его разномодулированными частями.

4675О5

Предмет пзобрстения

Сдвоенный полупроводниковый излучатель, содержащий два кристалла арсенида галлия

5 в форме призмы с р — n-переходом и раздельным подводом питающего напряжения, смонтированных на общем основании — кристаллодержателе, отличающийся тем, что, с целью получения бесконечно узкой прямолиней10 ной границы между светящимися полями обоих кристаллов и равномерной яркости вдоль этой границы, боковая грань призмы расположена под углом 45 к плоскости р — и-перехода и на нее нанесено отражающее покрытие, 15 причем наклонная грань одного кристалла частично расположена под наклонной гранью другого, создавая минимальное перекрытие светящихся полей вдоль границы полей.

Составитель Л. Сольц

Редактор И. Шубина Техред Е. Подурушина Корректоры: В. Йод и Е. Давыдкина

Заказ 1655г14 Изд. № 1358 Тираж 869 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4, 5

Типографии,:rp Сапунова, 2