Многоканальное частотное устройство

 

ОП ИСАНИНА

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

<» 467534

Союз Соввтскии

Социалистических

Республик

ПАТЕНТУ (61) Зависимый от патента— (22) Заявлено 03.07.70 (21) 1458013/26-9 (32) Приоритет 05.07.69 (31) ТА-1022 (33) BHP

Опубликова но 15.04.75. Бюллетень ¹ 14

Дата опубликования описания 11.05.76 (51) М. Кл. Н 03h 7/48

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий (53) УДК 621.372.852:1 (088.8) (72) Авторы изобретения

Иностранцы

Георги Райтер, Ференц Ракоши и Липот Ронашеки (BHP) Иностранное предприятие

«Тавколези Кутато Интезет» (71) Заявитель (BHP) (54) МНОГОКАНАЛЬНОЕ ЧАСТОТНОЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к микроволновым многоканальным частотным устройствам и может найти применение для суммирования или разделения модулированных и немод улировапных микроволновых сигналов различной частоты.

Известны многоканальные частотные устройства, содержащие и каналов, каждый из которых выполнен в виде набора объемных резонаторов, подключеHFIIlx «па проход» к общему объемному резонатору.

Недостатком известных устройств являются значительные потери сигнала при его разделении или суммировании.

С целью уменьшения потерь сигнала при разделении или суммировании в предлагаемом устройстве к общему объемному резонатору дополнительно подключены n — 1 вспомогательных объемных резонаторов с частотами резонансов, расположенными на смежных границах полос пропускания каждого канала, На фиг. 1 дана конструкция предлагаемого многоканального частотного устройства; на фиг. 2 и 3 — диаграммы характеристик рассеяния волн.

В предлагаемом устройстве каждый из каналов 1 выполнен в виде набора объемных резонаторов 2,,подключенных «на проход»к общему объемному резонатору 3. Кроме того, к общему объемному резонатору 3 присоединены вспомогательные объемные резонаторы 4, количество которых на один меньше количества каналов устройства, и контур передающей линии 5. Таким образом, общий объемный резонатор является обычным объемным резонатором для каждого канала.

Каждый канальный фильтр обладает поверхностной характеристикой пропускания частот через схему Чебышева или любого другого типа только в том случае, если резонансная частота всех объемных резонаторов канала находится в пределах полосы пропускания. Объемный резонатор, разработанный для одиночной формы волны, имеет одиночную резонанс15 ную частоту до тех пор, пока частота сигнала, поданная к объемному резонатору, не станет достаточно высокой, чтобы образовать новую форму волны. Следовательно, условие, что общий объемный резонатор 3 должен устранить

20 несколько резонансных частот, не может быть удовлетворено простым способом. Однако, если к оощему объемному резонатору, сконструированному для одиночной формы волны, подсоединено несколько вспомогательных объем25 ных резонаторов 4 через соответственно выбранные спаренные отверстия 6, то система объемных резонаторов, образованная таким образом, будет вести себя как общий объемный резонатор.

Положение резонансных частот, образован467534 ных вспомогательными объемными резонаторами 4, и крутизна кривой полной проводнмости системы объемных резонаторов в пределах резонансной частоты могут быть приведены к определенному значению соопветствующим выбором геометрических размеров спаренных отверстий 7,6 между общим объемным резонатором 3 и вспомогательным объемным резонатором 4 или между объемным резонатором 2 и общим.

Следовательно, общий объемный резонатор 3, укомплектованный вспомогательным объемным резонатором 4, становится составным элементом каждого канала 1.

Характеристики рассеяния волн между каналами К и К + и между K и К+ (j(n) представлены на диаграммах (фиг. 2 и 3).

Рассеяние волн при удалении от полосы пропускания увеличивается монотонно, за исклю- 20 чением среды полосы пропускания, примыкающей к другой полосе частот, предназначенной для разделения или суммирования. В этом диапазоне кривая рассеяния имеет местный максимум.

Местное возрастание рассеяния вызвано тем фактом, что резонансная частота одного из вспомогательных объемных резонаторов 4, присоединенного к общему резонатору 3, находится в пределах этой среды.

Для настройки резонансной частоты общего объемного резонатора на определенное значение резонансная частота вспомогательных объемных резонаторов должна падать между полосами частот микроволновых сигналов, предназначенных для суммирования или разделения.

Предлагаемое многоканальное частотное устройство имеет более простую конструкцию по сравнению с известными устройствами и потери сигнала в нем значительно уменьшены.

Предмет пзобретения

Многоканальное частотное устройство, содержащее и каналов, каждый из которых выполнен в виде набора объемных резонаторов, подключенных «на пароход» к общему объемному резонатору, отлачающееея тем, что, с целью уменьшения потерь сигнала при разделении илн суммировании, к общему объемному резонатору дополнительно подключены

n — 1 вспомогательных объемных резонаторов с частотами резонансов, расположенными на смехкных границах полос пропускания каждого канала.

467534

Фиг 3

Фиг 2

Составитель Э. Гилинскаи

Техред Е. Подуруптина

Редактор Т. Янова

Корректор А. Дзесова

Обл. тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли

Заказ 4259 Изд. № 1347 Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, К-35, Раушская иаб,, д. 4/5

Многоканальное частотное устройство Многоканальное частотное устройство Многоканальное частотное устройство 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области радиотехники, в частности, к вспомогательным устройствам для объединения или разделения двух различных частот и может использоваться, например, в телевидении или для радиослужб

Изобретение относится к области электротехники, электроники, энергетики, телекоммуникаций, связи в применениях, связанных с передачей энергии и информации, и может быть использовано в устройствах электропитания, импульсных преобразователях и конверторах

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к конструированию полупроводниковых генераторов со сложением мощности отдельных транзисторов, и может быть использовано для создания мощных полупроводниковых генераторов и оконечных каскадов транзисторных передатчиков
Наверх