Полупроводниковый ключ

 

ОП ИСАНИ Е

И ЗОБРЕТЕ Н Ия

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

t»t 473299

Соаз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. сзид-.ву— (22) Заявлено 22.01.74 (21) 1988767/26-9 (51) Ч. Кл. Н 03k 17/04

Н 03k 17/60 с присоединеттием заявки— (23) Приоритет—

Опубликовано 05.06.75. Бюллетс Ib М 21

Дата опубликования описания 10.10.75

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий (53) ДК 621 382 (088.8) (72) Авторы изобретения

М. П. Чудаковский, Е. С. Яковлев и Г. И. Миняева (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЛЮЧ

Изобретение относится к импульсной и вычислительной технике, может быть использовано в дискретных фазовых устройствах и в системах многоканальной связи для коммутации высокочастотных импульсных сигналов в электрических цепях.

Известны полупроводниковые ключи, содержащие последовательно соединенные входной и выходной эмиттерные повторители, причем Йаза транзистора выходного эмиттерного повторителя соединена с общей шиной через управляющий транзистор, база которого подключена к выходу предварительного усилителя, выполненного, например, на двух транзпсто1вах, первый из которых включен по схеме эмиттерного повторителя, второй — по схеме с общим эмиттером, а между эмиттером первого и базой второго транзистора включен диод.

Цель изобретения — повышение быстродействия устройства — достигается тем, что в предлагаемый ключ дополнительно введен транзистор, коллектор I QTopot о подключен к эмиттеру транзистора выходного эмиттерного повторителя, эмиттер подключен к общей шине, а база соединена с оазой управляющего транзистора.

Схема полупроводникового ключа изображена на чертеже.

Входной н выходной эмиттернь:е повторители, которые образу от цепь прохождения сигнала, выполнены на транзисторах 1 и 2, резисторах 3 — 6, причем параллельно резистору б включен диод 7, а база транзистора 1 соединена со входной шиной через конденса-ор 8. Базы управляюгцего транзистора 9 и дополнительного транзистора 10 через резисторы 11 и 12 соединены с выходом предварительного усилителя, содержащего транзисто10 ры 13, 14, резисторы 15 — 18 и диоды 19 — 21.

При отсутствии на управляющем входе запрещающего сигнала транзисторы 18, 14 открыты, а транзисторы 9, 10 закрыты. Посту15 пающие на вход сигналы в этом случае проходят на выход через аткрыть|е транзисторы

1 и 2 входного и выходного эмиттерного повторителей.

20 При пост нленни i! à мправля1ощий вход запрещающего сигнала низкого уровня, транз:.стары 18 и 1 ;,ÿêpываются, а транзисторы

9 10 открыва атся. При этом транзистор 9 шуитирует эмиттер:to-б".çîãb:tt переход транзистора 2, что приводит к его выключсишо, а транзистор !О ш л:тирует резистор 5. Шунтирование резистора 5 откры-.ым транзистором

10 обеспечиз1cT ускоренный разряд емкости нагрузки, что в конечном счете повышает быстродействие устройства.

Пред. ет изобретения

Состав;псла A. Дедюхин

Текред А. Камышникова

Редактор Б. Федотов

Кэ, ректоп В, Гутман

Заказ 834/l267 Изд. М 801

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, gK-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Тип. Харьк. фил. пред. «Иатен »

Полупровод1Г11ковый ключ, содержащий последовательно соединенные входной и выходной эмиттериыс повторители, причем база транзистора выходного эмнттерного повторителя соедине1га с общей шиной через управляющий транзистор, база которого подклю-1сна к выходу предварительного усилителя, выполненного, например, на двух транзисторах, первый из которых включен IIQ схеме эмиттер1!ОГО 110BI op! ITc.вя, вторОй — по схеме с Оошим эмнттером, а между эмнттером первого и базой второго тра: знстора включе;1 диод, Огсгичсггогг ггйс".тс.;;, что, с нелло повышения бы5 стродейств;1я, Ло11o;,! Iïo,II!Io введен транзистор, коллектор которого подключен к эмиттсру транзистора выходного эмиттерного повторителя, эмиттер подключен к обн1ей шипе, и база соединена с оазой управляюшего трап|о зистора.