Нейрокон
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ!
II> 4767О7
Союз Советских
Социалистических
Респуб!лик (61) Дополнительное к авт свил-ву (22) Заявлено 31.01.73 (21) 1878271/26-9 с присоед1ще заявки ¹ (23) Приоритет
Опубликовано 05.07.75. Бюллетень № 25
Дата опубликования описания 06.11.75 (51) М. Кл. H 04п 5,,30
ГосударственныМ комитет
Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.397(088.8} (72) Лвтор изобретения
Б. Б. Шам11!ев (71) Заявитель
Ульяновский политехнический институт (54) НЕИРОКОН
Изобретение относится к телевиденкпо, может использоваться в безвакуумных фотоэлектрических преобразователя.;.
Известен пейрокон, содер>кащий нейристорную линию, состоящую из полупроводниковых элементов с отрицательным дифференциальным сопротивлением, дополнительные ключевые структуры, сформированные в том >ке кристалле, контуры формирования потенциального рельефа изобретения, образованные собственной емкостью фотопроводящего слоя и выполненные непосредственно на электроде дополнительных ключевых структур. Однако непостоянство расстояния между фронтом развертывающего нейристорного импульса и точкой считывания потенциального рельефа изображения вызывает градационные и геометрические искажения передаваемых изображений.
Цель изобретения — устранение геометрических и градационных искажений перед;1ваемых пзобра>кений — достигается тем, что в предлагаемом нейрокопе B слой диэлектрика, изолирующего торцы полупроводниковых элементов нейристорной линии, введен слой металлизации, контактирующий с базовой областью дополнительных ключевых структур, в качестве которы.; используются транзисторы, и образующий со слоем металлизации коллектора активного элемента пейристорной линни кOII.7,eiic На чертеже изображен разрез нейрокона, Нейристорная линия состоит из связанных по возбуждению полупроводнико,ых э,нментов с отрицательшям дифференцп11.1ьным сопротивлением, например тирпсторов, слон 10 1 — 4. Нагрузкой каждого элемент;! являлся контур протягивания нейрпсторпого импульса, состоящий из собственных со;1р тивлегп1я и емкости участка фотопроводящего слоя 5, заключеннога меж,ту слоем ме15 таллизации 6 и полупрозрачным электродом 7. В качестве дополнительной клю icBOii c р ктуры использован транзистор, с1011 8 — 10,;!» к0.1лектОрпом электроде 1 1 котОр01 0 131!иo, 1пен контур формирования пото:.1ц11ально 2-0 го рельефа изображения, состоящий пз собственного сопротивления и емкости участя:! фотопроводящего слоя 5, заключенного между электродом 11 и полупрозрачным элект1годом 7. В слой диэлектрика 12, изолирую:ций активных элементов не11рпстор11011 1iiiI1i11, введен c,loil мета.1 7II3311IIII 13, конта :.тпрующий со слоем 9 и образующий коllдснсатор, состоящий из слоев 6, 12, 13, который Вклlочен межд 1 Ол 1eiiTopoм активного 3 lc30 мента нейрпсторной:пинии и базой дополни476707 б 7 18 11 Сос! воитель А. Максаков Техрсд T. Курилко Редактор Б. Федотов Корректоры: A. Николаева и Л. Корогод Заказ 2731,/7 Изд. № 907 Тира>к 740 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, )К-З5, Раушскан наб., д. 4 5 Те!ееографии, Еер Са!еунова, 2 тельнОГО клlочевОГО грапз!!стор«1. С,lой ди электрика 14 изолирует устройство от слоя полупроводника 15, играющего роль механического основания. Тонкий слой меди 16 на электроде 11 обеспечивает различные скорости разряда емкостей контура протягпвания нейрнсторногn импульса и контура формирования потенциального рельефа изобра>кения. Устройство работает следу!ощим образом. При периодическом прохо>кдении I!el"IpllcT0ipII0I импульса емкость фотослоя заряжается до нанря>кения источника питания 11ейрОКОн3. П3р3мет>рь1 КОIIТ > p«! прОТ11Г!Iва ння нейристорцого импульса выбирают такими, чтобы прн очередном прихо !е нейрнсторного импульса емкосте> контура полностью разрядилась и на пря>кецие на активном элементе нейристо рной линии (тиристоре) восста«!Опилось до напря>кения питания нейрокона. Постоянство этого напря>кения обеспеч1!вает стабильность скорости развертывающего нейрнсторного импульса. Спад напряжения»3 кОллекторе активного элемента нейрнсторной линии в момент его переключения через емкость между слоями металлизации 6 н 13 передается Ilà ба3у дополнительнОГО кл10чеВОГО Tð анзис rop 3. Ток заряда указанной емкости открывает транзистор, и потенциальный рельеф нзображепня с>!пты ваетс«! с контура его формнрегваIIIIH, Постоянство тока, задаваемого в базу транзистора, и независнмос1ь времени его переключения от напряжения на коллекторе обусловливают постоянство расстояния между фронтом развертывающего нейристорного импульса и точкой считывания потенциальногo рельефа изображения. Предмет изобретения Нейрокон, содержащий нейристорную лнншо, состоящую из полупроводниковых элементов с отрицательным дифференциальным сопротивлением, дополнительные ключевые cIруктуры, сформированные в том >ке кристалле, контуры формирования потенцна Ibного рельефа изображения, образованные собственной емкостью фотопроводящего слоя и выполненные непосредственно на электроде дополнительных ключевых структур, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью устранения градационных и геометрических искажений передаваемых изображений, в слой диэлектрика, изолирующий торцы полупроводниковых элементов нейристорной линии, введен слой металлнзацнн, контактирующий с базовой onë3ñòüþ дополнительных ключевых структур, в качестве которых используются транзисторы, и образующий сп слоем металлнзацин коллектора активного элемента нейрпсторной линии конденсатор, связываЕоЗз !цнй допо IIIIIxeльные ключевые структуры с коллекторамн 3I>TIIHIII>lx элементов нейрнclop;Еой линии.
