Мишень для запоминающей электроннолучевой трубки

 

! I I1 48 I 983

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Сок)з Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.07.73 (21) 1949214/26-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 15.08.75. Б)оллстень № 30

Дата опубликования описания 10.11.75 (51) М. Кл. Н 01j 29/41

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам и!обретений н отнрмтнй (53) УДК 621.385.832 (088.8) j

-Ь (72) Автор изобретения

P. И. Шипер (71) Заявитель (54) МИШЕНЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области изготовления мишеней для запоминающих электроннолучевых трубок, в частности, запоминающих

ЭЛТ типа сигнал-сигнал с барьерной сеткой, в которых запись и считывание элсктрическог0 сигнала производится на сплошной диэлектри 1сской мишени.

Известная мишень для запоминающей электроннолучевой трубки состоит из металлической подложки, слуи(ащсй сигнальным элекTPo o l, и cil."!01н!!Ого c.loI! стсK IB 60PocII 11IKBT)ой группы, 11Едос i BÒKOÌ Таной:т1!!1!!СПИ !1ВЛЯСТСЯ у IС!!Ьшснис коэффициента вторичной эмиссии прц облучении электронным пучком в процессе эксплуатации прибора, что приводит к уменьшению выходного сигнала, а следовательно, и к умеиыпению динамического диапазона прибора.

Причиной этого является диффузия к поверхности подвижных катионов щелочных металлов в электрических полях, образованных локальными зарядами, возникающими 112 поверности стекла в процессе облучения мише-!!II электронным пучком.

Целью изобретения является стабилизация динамического диапазона мншс11и В процессе эксплуатации прибора.

Это достигается тем, что в предлагаемой мишени на поверхность стеклянного диэлектрика нанесена со стороны сканирования пленка фторида, например фторцстого калия, тол5 ll!IIII0II 1 — 2 мкм.

При облучен!ш такой;I!I!!le! I! электронным пучком про !сходя!цсс уменьшение коэффициента вторичной .эмисс!ш (т в слое фторида из-32 осаждения электронов в;!0!I iIIK2x вбли)() зи рабочей поверхности конпсцсируется уменьI!le!!!le I коэффициспта втори !ной эмиссии в стекле из-за диффузии катионов к поверхности, что приводит K стабилизации ди)!амичсского, I I B n 220112:) р и бор 2.

Мишень для запоминающей электроннолучевой трубки с барьерной сеткой, содержащая в качестве вторично-эмиссионного гещества

СТОГ IO IIB СИ! 112ЛЬI!ОМ ЭЛЕКТРОДС, О Т Л И Ч 2 10ща я ся тем, что, с целью стаб!!лизации динамического диапазона прибора. на стекло со

CTOPOIlbI CK2IIIIPOB2IIIISI П",IICCPii С 2011 фТОРИСТОго соединения. например фторид кальция, толщиной 1 — 2 мкм.