Ждущий мультивибратор

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со:оз Советских

Социалистических

Республик (i>) 4892Π(61) Дополнительное к авт. свид ву— (22) Заявлено 25.01.74(21) 1991628/26-21 (51) М. Кл.

03 а 3/284 с присоединением заявки №

Государстоенный комитет

Сооото Миннстроо СССР оо делам изобретений и открытий (23) Приоритет1

Опубликовано 25.10.75Бюллетень № 39 (53) УДК 621.373. .531 (088.8) Дата опубликования описания 21.01.76 (72) Автоф изобрстенйя

Ю. H. Ерофеев (71) Заявитель

ЖДУЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР (54) Изобретение относится к полупроводни ковой импульсной технике и может быть использовано для формирования прямоуголь.ных импульсов, следующих с малой скважностью, для деления частоты повторения импульсов, для получения постоянной, независимой от периода запускающих сигналов, задержки видеоимпульсов.

Известен ждущий мультивибратор, формирующий импульсы двух различных длитель- 1О костей, содержащий два основных транзиотора с коллекторно-базовыми связями, дополнительный транзистор противоположного типа проводимости и источник питания.

Однако в известном мультивибраторе 15 большая длительность заднего фронта выходного импульса, нестабильная длительность ВыходнОГО импульса.

Цель изобретения — устранение влияния коэффициента усиления дополнительного 2О транзистора на величину длительности одноГо из выходных импульсов и уменьшение длительности фронтов выходных импульсов.

Длч этого база дополнительного транзистора подключена к клемме источника пи- иб тания, коллектор через последовательно соединенные резистор и туннельный диод - к обшей шине, (эмиттер - K коллектору закрытого в исходном состоянии основного транзистора, коллекторный резистор которого подключен z дополнительному источнику пи, тания.

Принпипиальная схема ждущего мультивибратора представлена на чертеже.

Ждуший мультивибратор состоит из двух основных транзисторов 1 и 2, дополнительного транзистора 3 противоположного типа проводимости, резисторов 4-9, конденсато;ров 10, 11, туннельного диода 12, основ ного 13 и дополнительного 14 источников питания и источника 15 смешения.

В длительно устойчивом состоянии схе мы транзистор 2 насыщен, транзистор 1 закрыт. Эмиттерный переход дополнительного транзистора 3 смещен в прямом направлении тохсм, протекающим через резистор4 .От источника 14 питания. Открытый эмиттерний перехсд транзистора 3 играет роль фиксирующего диода; поэтому напряжение

;на коллекторе транзистора 1 заныксировано

4892 05 на уровне напряжения основного источника

13 питания. При выборе резистора 7 из условия насыщения транзистора 3 последний будет насыщен. B его коллекторной цепи протекает ток, несколько больший пикового тока туннельного диода 12. Последний будет включен. Времязадающий конденсатор 10 заряжен до напряжения основного источника 13 питания.

С приходом отрицательного запускаюше го импульса, транзисторы 1 и 2 переклк чаются. Транзистор 1 насыщается на вре . мя формирования выходного импульса на коллекторе транзистора 2. Конденсатор 10 перезаряжается через резистор 8 на основ ной источник 1 3 питания. После насьпцеция транзистора 1 потенциал эмиттера транзистора 3 будет близок к потенциалу корпуса. Потенциал базы транзистора 3 остается отрицательным и равным напряжению основного источника 13. Поэтому транзистор 3 на время разряда конденсатора 10 запирается. Его коллекторный ток падает до величины обратного тока о, меньшей

10 ся

И тока выключения туннельного диода 12.

Туннельный диод лавинно выключается, и напряжение на его катоде принимает низкий, близкий к нулевому, уровень. Когда напряжение на конденсаторе 10 переходит через нулевой уровень, транзисторы 1 и 2 переключаются. Формирование напряжения на коллекторе транзистора 2 заканчивается, Конденсатор 10 начинает восстанавливать исходный уровень напряжения, заряжаясь от источника 14 через резистор 4 и эмиттерный переход транзистора 2. Напряжение на коллекторе транзистора 1 по мере заряда конденсатора 10 по абсолютной величине увеличивается. Однако транзистор 3 ocTGeTcH запертым, поскольку напряжение на коллекторе транзистора 1 и на змиттере транзистора 3 все еш меньше напряжения источника 13. Лишь когда напряжение на конденсаторе 10 перейдет уровень напряжения источника 13 питания, транзистор 3 откроется и появится его коллекторный ток. Когда этот ток превысит пиковый ток туннельного диода 12, последний включится и на его катоде появится Э1 высокий уровень выходного напряжения. Формирование выходного напряжения закончится.

Однозременно с окончанием выходного импульса заканчивается и процесс восстановления мультивибратора, т.е. схема готова 55 к повторному запуску.

Выходными точками устройства являюта) Выход А, соответствующий катоду туннельного диода . 2. На этом вы::оде 6О формируется импульс длительностью где 1. .р — время перезаря-с, P  да конденсатора 10 через резистор 8, 1 время во.гстановления исходного напряжения на конденсаторе 10. Напряжение на выходе Д имеет амплитуду, равную перепаду напряжения на туннельном диоде 12 при переключении.

Оба фронта выходного импульса на выходе g являются регенеративными, длительность их очень мала. б) Выход 5, соответствуюшии коллектору транзистора 3. Длительность этого импульса практически та же, что и на выходе Я, однако задний фронт выходного импульса не является регенеративным и имеет большую длительность. Амплитуда импульса на выходе g близка к напряже нию источника 13, т.е. существенно больше, чем на выходе А в) Выход Ц, соответствующий коллектору транзистора 2. Длительность импульса на этом выходе короче,чем на выходах Я и Б, и составляет величину р O,у Q Я где С. о и

Да - номиналы конденсатора 10 и резистора 8.

Выход схемы в данном случае является основным.

К достоинствам схемы относится: — возможность получения импульсов разной длительности на выходах Л и Б регенеративный характер формирс вания переднего и заднего фронта выходного импульса на каждом из этих выходов схемы

- малое время восстановления, которое сведено практически до нуля и не зависит от нагрузки и параметров ключевого каскада; - хорошая повторяемость параметров мультивибратора, так как коэффициент усиления дополнительного ключевого транзистора 3 на длительность выходного импульса не влияет.

Предмет изобретения

Ждуший мультивибратор, формирующий импульсы двух различных длительностей, содержащий два основных транзистора с коллекторно-базовыми связями, дополнительный транзистор противоположного типа проводимости и источник питания, о т л ич а ю ш и и с я тем, что, с целью устранения влияния коэффициента усиления дополнительного транзистора на величину длительности одного из выходных им :сов и уменьшения длительности д"юнтов выходных импульсов, база дополнительного трац4S92O> питания.

Составитель В. Назарова

Редактор B. Дибобес . Техред:А. Лемьянова Корректор

Заказ 1161

Тираж 902

Подписное

UHHHHH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д.4/б

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, ioi зистора подключена к клемме источника питания, коллектор через последовательно соединенные резистор и туннельный диодк обшей шине, эмиттер » к коллектору закрытого в исходном состоянии осйовного транзистора, коллекторный резистор которого подключен к дополнительному источнику