Матрица постоянного запоминающего устройства

Авторы патента:

ШАХНОВ ВАДИМ АНАТОЛЬЕВИЧ

САВИН АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ

G11C11/14 - тонкопленочных

щ 491154

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Реслу4лик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 05.03.74 (21) 2003768/18-24 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 05.11.75. Бюллетень ¹ 41

Дата опубликования описания 16.02.76 (51) М. Кл. G 1lс 11/14

Государствеиный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 681.327.66 (088.8) ло делаи изобретеыий и открытий (72) Авторы изобретения

В. А. Шахнов и А, Н. Савин (71) Заявитель (54) МАТРИЦА ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО

УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в ЗУ ЦВМ.

Известны матрицы памяти постоянных запоминающих устройств, содержащие твисторы и адресные шины, в которых над участками хранения информации твисторов расположены миниатюрные постоянные магниты.

К недостаткам таких матриц памяти следует отнести необходимость в двухполярных импульсах считывания, невысокую плотность размещения информации в матрице и сложность конструктивно-технологической реализации подобных устройств, Целью изобретения является повышение надежности работы матрицы на твисторах и снижение потребляемой мощности.

Поставленная цель достигается тем, что адресные шины выполнены таким образом, чтобы в запоминающем элементе, хранящем код

«1», прямая и обратная ветви шины располагались с разных сторон твистора, что дает сложение полей проводов шины, а в запоминающем элементе, хранящем код «О», прямая и обратная ветви располагаются с одной стороны твистора. При этом происходит взаимная компенсация полей проводов шины, и на твистор поле возбуждения не действует.

На фиг. 1 показаны запоминающие элементы, хранящие код «1» (1,а вЂ” для плетеного, и 1, б вЂ” для полоскового типов адресных шин); на фиг. 2 вЂ” запоминающие элементы, хранящие код «О» (2, а вЂ” для плетеного и

2, б вЂ” для полоскового вариантов реализации адресных шин).

Матрица содержит прямчю 1 и обратную ветви адресной шины и твистор 3.

10 Принцип работы предложенной матрицы аналогичен принципу работы известной матрицы на твисторах, Независимость устойчивости хранимой информации от действия внешнего поля позволя15 ет размещать управляющие обмотки вплотную одна к другой, что дает высокую плотность размещения информации.

Предмет изобретения

Матрица постоянного запоминающего устройства, содержащая твисторы и адресные шины, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности работы матрицы и

25 снижения потребляемой мощности, прямая и обратная ветви адресных шин расположены с разных сторон твистора в местах записи кода «1» и с одной стороны твистора в местах записи кода «О».

491154! / Рг г !

Составитель Ю, Розенталь

Техред А. Камышникова Корректор H. Лебедева

Редактор Л. Утехина

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 45/15 Изд. № 71 Тираж 648 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Матрица постоянного запоминающего устройства

Похожие патенты:

Запоминающее устройство // 486375

Способ вакуумной конденсации магнитных анизотропных пленок // 486374

Запоминающий элемент с неразрушающим считыванием информации // 483707

Устройство для записи информации в магнитный тонкопленочный накопитель // 483704

Магнитомодуляционный датчик перемещения // 483022

Матрица памяти // 480113

Запоминающее устройство // 480112

Кассета запоминающего устройства // 474050

Способ записи информации // 463144

Устройство для магнитной записи // 461449

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)