Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

111) 4957!4

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик! !

1 I!! — 1! т

1 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 17.04.74 (21) 2018928/26-21 с присоединением заявки № (51) М. Кл. Н 01с 7/00

Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

Опубликовано 15.12.75. Бюллетень № 46

Дата опубликования описания 13.04.76 (53) УДК 621.396.69 (088.8) (72) Авторы изобретения

Т. Н. Болгарина, В. И. Безруков и P. В. Шибалова (71) Заявитель (54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

31,0 — 70,8 ! 6,2 — 20,0

ГосУдаРственный комитет (23) Приоритет

Изобретение относится к электронной технике и halo)licT Ohl1ь llc110 Ih30BBHo п1)и II310TQI3ленин высокостабильных высокомеговых и высоковольтных резисторов в дискретных и толстоплсночных схемах.

Известен рсзистивный материал, содержащий в качестве токопроводящей фазы двуокись олова и пятпокись сурьмы, а также стекло, напри Ic1) свинцовоборосиликатное, и органи IccKoc св11зу1ощес.

Однако этот материал имеет недостаточно высокие влаго- и термостойкость, а также повышенный ТКС.

Цель изобретения -- снижение ТКС, повышение влаго- и термостойкости.

Для достижения этой цели в предлагаемом материале токопроводящая фаза дополнительllo co

О,!

Дв!, OKIICH Ол013а 10,3 — 44,1

1111тиокись с) римы 0,7 — 3!6

Пятиокись металла г1) i H l1 hi 0,5 — 2,8

Свин IOHOI)opociiликатнос

CTCÊCIО

Органическое связу1ощее

Этот материал представляет собой темнассру)о маслянистую вязкую массу, которая после нанесения на стеклянное или керамическое основание, предварительной подсушки

5 и последующего обжига в окпслптельной атмосфере образует плотную резистпвную пленку, прочно закрепляющуюся на нем.

Изобретение проиллюстрировано примсра10 ми получения рсзисти13ного матсриыла с указанием крайних значений для максимума. минимума и среднего диапазоны величин сопротивлсния резисторов при толщине слоя 25-—

30 мкм.

15 Для R=-2- — 5 Мом/квадрат двуокись олова, легированная пятпокисью сурьмы и пятиокисью тантала 50 — 58 вес. ", р, стекло 30—

32!5 вес.,:о, органическое связующее 16,5—

18 вес. "/о при температуре оожига 800 С.

20 Для R=50 — 100 Мом/квадрат двмокись î 10ва, легированная пятиокисью сурьмы и пятиокисью ниобия 33 35 13ес. о/), стекло 46-—

50 130c. !р, орi апичсскос cв11з! 101цсс 16,7—

19,3 вес. о при температуре обжига 750 С.

25 Для R = 500 Мом — 1 Гом, квадрат двуокись олова, леп розанная пягиокисью сурьxlhI II пятп01 псыо ниобия 1 1 — -13 Нсс. )о . 0Tci 10 70 — 75 вес. ",p, органическое сгязующсс

15,0 — 16,0 вес. ",:„при температуре обжига

30 800=С.

Формула изобретения

Сос II)Âèòoëü Т, БОГ/(((лоаа

Тскисд Е. Подурушипа

Корни "ro; О. Тгори»а

Р(сои(то ) И. Шч О)п(а

) 09 4 11ад. М 1095 Гпракк 833 Под)и)с»ос

I IHI II IHI 1 Госуд()рст))сиво) о коиитс-;i C:(>:)ñ. (),×»п»o гроi; 1:C(.P ио дслаги иаойрстс)п.» li о(кри(т»п

1;3035, Моск))а, у1; —:)5, Iо !). »;ск()п llo(), д. 1)5

1 .) акг!а

Типографии, г:р. C.лпу»опа. 9

Рсзпстпв ы материал с борносвпнцовым стеклом прп обжиге его от 700 до 850 С поЗВОЛЯСт ПОЛУгIàòÜ РЕЗИСтИВНЫЕ ПЛЕНКИ С ВЕЛИчп сопротивления от единиц Мом, квадрат до 1 Гог1/квадрат и, соответственно, величи;1011 TE(C от — 800 10 — ", С до — 1300.10 — j С

= интервалом рабочих температур от — б0 до

- -150 С. Замена стекла свгп1цовоборосиликатного ца алюмоборнос позволяет расширить интервал рабочих температур до - -200 С

Резпстпвпый материал, содержащий в качестве токопроводя1цсй фазы двуокись олова и

I IH I I DI.II01ç С (р1 МЬ1, а таКЖС С 1СКЛО, а(11МСр свинцоиоборос11ликатпос, и органическое связующее, отличающийся тем, что, с целью с11и кения ТКС, повышения влаго- и термостойкости, токопроводящая фаза дополните:1ьно

5 содержит пятиокись металла )) группы периодической системы, а именно пятиокись тантала или ниобия, при следующем количественном соотношении исходных компонентов, в вес. О о.

Двуокись олова 10,8 — 44,1

Пятиокись сурьмы 0,7-- 3,б

Пятиокиси . (Ic I 3;I, I группы 0,5- 2,8

Св11пцовобороспликатцос

15 стекло 31,0 — 70.,8

Оргапи Ic(.IIo(сг111зуюшес 16.2 20,0

Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх