Способ контроля нестабильности параметров полупроводниковых приборов

 

О П И С А Н И Е <1ц496ц4

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 04.10.71 (21) 1702666/26 25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл.

С- 01Г 31/26

Государственный комитет

Совета Министров СССР ао делам иэооретений н открытий (43) Опубликовано 25.12.75 Бюллетень № 47 (53) УДК 621.3.08:

:62 1.3 1 7 (088.8 ) (45) Дата опубликования описания 27.02.76 (72) Автор изобретения

H. Н. Терентьев (71) Заявитель (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ НЕСТАБИЛЪНОСТИ ПАРАМЕТРОВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Известен способ контроля нестабильности обратных токов р- tl -переходов, при котором испытуемому транзистору задают режим измерения по постоянному току, затем измеряют значение обратного тока 5 в фиксированные моменты времени и по сравнению отсчетов определяют величину нестабильности.

Однако известный способ недостаточно

10 точен, так как, во-первых, не позволяет попучать информацию об изменении обратного тока в промежутках времени между моментами отсчетов и, во-вторых, его аппаратурная реализация требует использования

И узлов, обпадающих собственным дрейфом нуля.

Оепью изобретения явпяется повышение точности измерений. Это достигается тем, что огибающую спектра контролируемого сигнала о развертывают циклической огибаюшей спектра образцового сигнала и опредепяют характеристики нестабильности по расположению точек уравновешивания спектральных составпяюших контролируемого и образцового сигналов. к

На фиг. 1 дана блок-схема устройства ,дпя реализации данного способа; на фиг, 2— спектр измеряемого сигнала, развертывающий сиектр и расположение точек уравновешивания спектральных составляющих контропируемого и образцового сигналов.

Устройство содержит бпок 1 задания исходных режимов испытуемому прибору, к которому подключен блок 2 развертываюшего преобразоватепя, соединенный через частотный дискриминатор 3 с блоком 4 принятия решения.

С блока 1 задания исходных режимов, в который включен испытуемый прибор, измеряемый сигнал подается «а вход блока

2, где происходит развертывание спектра контролируемого сигнала цпкпическнм спектром образцового сигнала.

В качестве образцового сигнала, имеющего циклическую огибающую спектра (фиг, 2 ), используется сумма функций, сдвинутых относительно друг друга на некотором расстоянии по они времени. Частотный дискриминатор 3, имеюший ряд

49о514

3 настроенных на раэличйые частоты фильт- ров, отмечает точки уравновешивания спектральных составляющих контролируемого и образцового сигналов появлением или исчезновением откликов в фильтрах 0 дискриминатора, а блок 4 по комбинации этих откликов определяет характеристики нестабильности измеряемого сигнала, например амплитуды спектральных составляющих нестабильности, их распределение по оси р частот, и принимает решение о качестве контролируемого параметра.

Данный способ позволяет фиксировать сколь угодно кратковременные изменения 10 параметра, а точность измерения зависит

9 лишь от точности определения точек уравновешивания на оси частот, Предмет изобретения

Способ контроля нестабильности параметров полупроводниковых приборов путем сравнения контролируемого и образцового сигналов, по отношению которых судят об измеряемом параметре, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения точности измерений, огибающую спектра контролируемого сигнала развертывают циклической огибакпцей спектра образцового сигнала и определяют характеристики нестабильности по расположению точек уравновешивания спектральных составляющих контролируемого и образцового сигналов.

496 514

Заказ Щ.д. 3Щ тир

Подгисное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по дедам изобретений и открытий

Москва, )13035, Раушская наб., 4

Предприятие «Патент», Москва, Г-59, Бережковская наб., 24

Составитель Т.Дозоров

Р д р В.дибо зес Техред И.Кррандашова Корректор д.Б

Способ контроля нестабильности параметров полупроводниковых приборов Способ контроля нестабильности параметров полупроводниковых приборов Способ контроля нестабильности параметров полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх