Многоустойчивое запоминающее устройство

Авторы патента:

G11C11/56 - с использованием запоминающих элементов с более чем двумя состояниями устойчивости, определяемыми импульсами, например напряжения, тока или импульсными изменениями фазы или частоты (счетные устройства, содержащие элементы такого типа со многими состояниями устойчивости, H03K 25/00, H03K 29/00)

Многоустойчивое запоминающее устройство, содержащее СВЧ усилитель, выполненный, например, на туннельном диоде, и СВЧ линию задержки, отличающееся тем, что, с целью упрощения и повышения надежности работы устройства, оно содержит намагниченный до насыщения вырожденный по форме ферритовый сфероид, установленный в перекрестии линии задержки, выполненный в виде петлеобразной СВЧ полосковой линии, внутри которой расположен СВЧ усилитель.

Всесоюзная па:ге11ил-гсл,:^л5ная 6иблиотеиа_№_а____резерв^ // 282422

Способ управления спектротроном // 275515

Бистабильный элемент // 270805

Фазоимпульсный многоустойчивый элемент // 268012

Способ записи информации в запоминающем устройстве с фазо- импульсным представлениемчисел // 264771

Патент 240015 // 240015

Спектротрон // 221997

Счетчик импульсов // 219932

Многостабильное устройство // 219875

Многостабильный триггер // 515161

Перестраиваемый фазо-импульсный многоустойчивый элемент // 546937

Запоминающее устройство // 674100

Многоустойчивый запоминающий элемент // 684615

Многостабильный тактируемыйд-элемент // 801100

Запоминающий элемент // 1103290

Спектротрон с внутренней обратной связью // 1508282

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики с целью упрощения

Спектротрон-спусковое устройство с несколькими устойчивыми состояниями // 1508283

Изобретение относится к автоматике и радиотехнике и может быть использовано в блоках вычислительных машин и устройств автоматики

Многоуровневый магнитный элемент // 2573205

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в увеличении срока службы магнитного элемента за счет снижения тока нагрева, требуемого для нагрева магнитного элемента. Многоуровневый магнитный элемент содержит первый туннельный барьерный слой между чувствительным слоем, имеющим намагниченность, которая может быть свободно выстроена, и первым запоминающим слоем, имеющим намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге и способна свободно выстраиваться при первом высоком температурном пороге, причем магнитный элемент дополнительно содержит второй туннельный барьерный слой и второй запоминающий слой, имеющий намагниченность, которая фиксируется при первом низком температурном пороге и способна свободно выстраиваться при втором высоком температурном пороге; причем чувствительный слой образован между первым и вторым туннельными барьерными слоями. 3 н. и 9 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 табл.