Холодильный элемент

 

О П И C-"й-"- И- Й

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Севаз Сееетсинк

Сенананнстнчваинк рвесттубттни (13} 498866

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61} Дополнительное к авт. свид-ву (2} аявлено260774 (2 } 2049023/26-25 с присоедннениевт заявки РЙ (23} Приоритет (43} Опубликовано 050578. Бюллетень % 17 (И} М, Кл.

Н 01 1 27/22

fssygapnsssssi ssans1

Вевета ттелеетрев Сеер ае,лелаа езеервтвввв е етлрытвл (53) УДК

621. 382 (088.8) (45} Лата опубликования описания 1204.78

И.М. Пилат, С.В. Чайка, В.С. Зиновьев и В.Ф. Романишен (72) / вторы изобретения (7ар Заявитель (54) ХОЛОДИЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к холодильной технике, а именно к низкотемпературным холодильным элементам, работающим на основе эффекта Эттингсгаузена.

В известных холодильных элементах, 5 работающих на основе эффекта Эттингсгаузена, для обеспечения максимальной энергической эффективности MoHoxpHcTcRJM изготовляется в виде призмы экспоненциально-трапецеидального сечения. 10

В таких элементах возникают трудности с отводом тепла от горячей грани,что приводит к разогреву элемента в магнитиом поле при пропускании тока. Наиболее !б приемлемой формой элемента была бы такая, которая позволяла бы привести тепловой контакт горячую грань непосредственно с хладагентом без прокладок и теплоотводящих: подложек.

Цель изобретения — улучшение отвода тепла от горячей грани и условий состыковки с холодильниками (например дроссельными) при каскадировании.

Это достигается тем, что призма имеет треугольное сечение и снабжена центральньм каналом.

На чертеже показана форма предлагаемого холодильного элемента и его кристаллографическая ориентация. Ток пропускают вдоль тригональной оси 1 (магнитное поле направлено вдоль биссекторной оси перпендикулярно одной из бинарных осей 2, а градиент температуры возникает вдоль этой же оси). Кроме того, холодильный элемент снабжен центральныч каналом.З ° Холодильные элементы такой формы удобны для состыковки с дроссельными .или другими холодильниками при создании многокаскадных холодильников для охлаждения ниже температуры кипения жидкого азота. Если хладагентом является жидкий азот, то на одном ребре температура понижается ниже температуры кипения жидкого азота, на двух других она становится намного выше температуры хладагента.

Проведейные экспериментальные исследования с элементами предложенной формы из монокристаллов Si и твердых растворовЬь„Ы,„„;используемых для тех же целей, показали,:что при работе в области азотных температур при токах через образец до 50А и в магнитных полях до 14 КЭ температура на внутренней поверхности центрального канала не превышала температура кипения жидкого азота при наиболее неблагоприятных условиях, не более, чем на 1- 1,5 °

4988бб

Составитель В. Орлов

Редактор Е. Месропова Техред 3, Фанта КорректоР H. Ковалева

Заказ 2451/40 Тираж 960 Подписное

QHHHllH Государственного ксжитета Совета Министров СССР пс делам изобретениЯ и открытий

113035, Москва, Ж-35., Раушская наб., д. 4/5.Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Формула изобретения

Холодильный элемент, работающий на основе эффекта Эттннгсгаузена, состоящий из однородного термоэлектрического анизотропного монокристалла в виде призмы, грани которой выполнены по експоненте, отличающийся тем,, что, с целью улучшения отвода тепла от горячей грани и условий состыковки с холодильниками при каскадировании, призма выполнена в сечении треугольной

5 и снабжена центральнин каналом.

Холодильный элемент Холодильный элемент 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к средствам контрольно-измерительной техники и может быть использовано в устройствах для контроля качества структуры ферромагнитных материалов и изделий по результатам взаимодействия их с магнитными полями

Изобретение относится к микроэлектронной технике и предназначено для применения как в аналоговых, так и в цифровых микроэлектронных устройствах

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля

Изобретение относится к области электронных датчиков магнитного поля и может быть использовано в измерительной технике, системах безопасности, автоматике, робототехнике

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, к полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля

Изобретение относится к полупроводниковой электронике

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь содержит кремниевую монокристаллическую подложку, диффузионный карман, область базы в кармане, области эмиттера, первого и второго измерительных коллекторов в базе, области контактов к базе, к диффузионному карману, к подложке. Ток базы и кармана задается через полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода, а два другие полевые транзисторы с затвором в виде p-n-перехода служат коллекторными нагрузками. Магнитное поле, перпендикулярное подложке, с помощью полоскового трансформера преобразуется в магнитное поле, параллельное подложке. Часть полоскового трансформера расположена над активной частью магнитотранзистора. Полевые транзисторы с затвором в виде p-n-перехода заданы с соотношением ширины канала более 2:1 в задающем ток базы и кармана полевом транзисторе и в полевых транзисторах нагрузки коллекторов. Полевые транзисторы нагрузки коллекторов соединены по схеме токового зеркала. Ортогональный магнитотранзисторный преобразователь согласно изобретению в составе интегральных магнитных датчиков повышает чувствительность к магнитному полю, направленному перпендикулярно поверхности кристалла. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Наверх