Способ определения направления оптической оси одноосных кристаллов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сома 08IITCkNX

Социалистический (ii) 502433

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.07.74 (21) 2048052/26 25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 05,02.76. Бюллетень № 5

Дата опубликования описания 12.04.76 (51) М. Кл.- Н 01$3/12

G 01J 4/00

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.375.8.535, .52 (088.8) (72) Авторы изобретения

А. П. Войтович, А. П. Прокопов и В. М. Метельский (71) Заявитель

Ордена Трудового Красного Знамени институт физики

АН Белорусской ССР (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРАВЛЕНИЯ

ОПТИЧЕСКОЙ ОСИ ОДНООСНЫХ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к области квантовой электроники и предназначено для определения направления оптической оси одноосных кристаллов, отражающих в области частот генерации лазера.

Известен способ определения направления оптической оси кристаллов по их коноскопической фигуре с помощью поляризационного микроскопа.

Недостатками этого способа являются необходимость обработки двух параллельных поверхностей кристалла и применимость способа только к кристаллам, прозрачным в видимой области спектра.

Цель изобретения — упрощение способа и расширение области его применения, в частности для кристаллов, непрозрачных в видимой области спектра.

Поставленная цель достигается благодаря тому, что для ОКГ с отражателем из исследуемого одноосного кристалла с отполированным плоским участком поверхности, обладающим достаточным коэффициентом отражения для получения генерации, находят направление колебаний электрического вектора генерируемой волны, по этому направлению определяют плоскость, в которой расположена оптическая ось.

Затем по этой плоскости полируют участок поверхности кристалла и, используя его в качестве отражателя ОКГ, по направлению колебаний электрическо-о вектора определяют направление оптической оси кристалла.

Способ определения направления оптичес5 кой оси одноосных кристаллов осуществляется следующим образом.

В качестве одного из отражателей резонатора газового ОКГ используют пластинку исследуемого одноосного кристалла, имеющего

10 различные коэффициенты отражения для обыкновенного и необыкновенного лучей в области частот генерации ОКГ.

Генерируемое излучение, прошедшее через анализатор, регистрируют фотоприемником, 15 сигнал с которого подают на регистрирующий прибор. Вращая анализатор, определяют направление колебаний электрического вектора генерируемой волны. Если в качестве отражателя используют одноосный кристалл, ко20 торый имеет в области частот генерации ОКГ коэффициент отражения для обыкновенного луча больший, чем для необыкновенного, то направление колебаний электрического вектора генерируемого излучения всегда будет пер25 пендикулярно плоскости, в которой лежит оптическая ось кристалла.

Если же используют кристалл, для которого коэффициент отражения для обыкновенного луча меньше коэффициента отражения

30 для необыкновенного луча, то колебания

562433

Формула изобретения

Составитель С. Рыжих

Корректор Н. Аук

Редактор Т. Орловская

Техред 3. Тараненко

Заказ 655/16 Изд. № 220 Тираж 977 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, %-35, Раушская наб., д. 4/5 типография, пр. Сапунова, 2 электрического вектора генерируемого излучения будут происходить в плоскости, содержащей оптическую ось кристалла.

Затем полируют участок поверхности кристалла, в плоскости которого лежит оптичес- 5 кая ось и, используя его в качестве отражателя, по направлению колебаний электрического вектора определяют направление оптической оси кристалла. При этом оптическая ось перпендикулярна направлению колебаний 10 электрического вектора, если коэффициент отражения для обыкновенного луча больше, чем, для необыкновенного, и оптическая ocb параллельна направлению колебаний электрического вектора при обратном соотношении 15 коэффициентов отражения.

Когда участок поверхности кристалла, используемый в качестве отражателя ОКГ, вырезан перпендикулярно оптической оси и коэффициент отражения для обыкновенного лу- 20 ча достаточен для получения генерации, то выходное излучение изотропно по поляризации, и по этому признаку сразу определяют направление оптической оси кристалла.

Способ определения направления оптической оси одноосных кристаллов, основанный на поляризационных измерениях о тл и ч а юшийся тем, что, с целью упрощения способа и расширения границ его применения для кристаллов, непрозрачных в видимой области спектра, исследуемый кристалл с отполированным плоским участком поверхности устанавливают в резонатор ОКГ в качестве одного из отражателей, находят направление колебаний электрического вектора генерируемой волны, по этому направлению определяют плоскость, в которой расположена оптическая ось, затем по этой плоскости полируют участок поверхности кристалла, и аналогичным образом определяют направление оптической оси кристалла.