Термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры

 

р. i 503 l44

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02.07.74 (21) 2040675/18-10 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.02.76. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 26.04.76 (51) М. Кл. G 01К 7/02

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 536.53.532 (088.8) (72) Авторы изобретения

П. А. Антоненко, Е. И. Войцех и Ю. Е. Туровский

Днепропетровский химико-технологический институт им. Ф. Э. Дзержинского (71) Заявитель (54) ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ

ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ

Ф ор мула изобретения

Изобретение относится к области измерения температуры по величине термо э.д.с. и может быть использовано для конт роля темпе ратуры различных технологических п роцессо в.

Известные термоизмерительные устройства обл адаеот малой чувствительностью, обычыо не превышающей несколыко десятков мкв/град, или наличием сложной измерительной аппаратуры при более высокой чувствительности термодатчика.

Предлагаемый термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры позволяет получить чувствительность в несколько сотен мкв/гр ад., а измерять индуцируемую им т.э.д.с. можно обычным милливольтметром без дополнительных электронных приборов за счет использования в качестве материала термодатчика гидрата закиси никеля.

Термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры представляет собой плоскую пластину толщиной, например, 1 — 2 мм, цилиндрической или прямоугольной формы, изготовленную прессованием под давлением

5000 — 6000 кг/см из порошка гидрата закиси никеля промышленного производства. На противоположные стороны плоской поверхности пластины методом вакуумного катодного напыления нанесены, серебряные токопроводящие электроды, характерный размер которых составляет, например, 0,9 характерного размера плоской поверхности, причем к серебряным электродам припаяны медные токоотводы.

Выходное сопротивление термодатчика сост а вл яет 10" — 10 4 ом.

С помощью обычного вольтметра, например, типа М265М измеряют т.э.д.с. датчика, помещенного в температурное поле с градиентом температуры, направленным преимущественно от одной плоской поверхности к другой. Устройство позволяет измерять температуру в диапазоне (— 50) — (+200) С с чувствительностью 1200 мкв/град, обладает линейной зависимостью т.э.д.с. от разности тепловоспринимающих поверхностей датчика.

Термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры, отличающийся тем, что с целью повышения чувствительности он выполнен из гидрата закиси никеля.

Термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры 

 

Похожие патенты:

Термопара // 499506

Термопара // 497484

Изобретение относится к температурным измерениям, а именно к устройствам для измерения температуры внутренней цилиндрической поверхности

Изобретение относится к технологии изготовления микротермопар и может быть использовано для изготовления термопар, позволяющих измерять температуру быстропротекающих процессов в объектах, имеющих большой градиент температур

Изобретение относится к области исследования процессов контактного взаимодействия материалов, например при трении

Изобретение относится к сенсорному устройству для измерения температуры расплавов, а также к устройству для измерения температуры и способу измерения температуры ликвидуса криолитовых расплавов

Изобретение относится к измерениям температуры термоэлектрическими преобразователями (ТЭП) и может быть использовано для их бездемонтажной проверки в процессе эксплуатации

Изобретение относится к устройствам для измерения тепловых потоков, в том числе нестационарных, в частности для измерения теплового потока от движущейся среды к поверхности твердого тела

Изобретение относится к термометрии и может быть использовано для измерения температуры в зоне сухого трения скользящих деталей, например подшипников скольжения
Наверх