Резистивный датчик температуры
о и и 1 виВ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ (i ) 508686
Сонзз CGBBTCKNX
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 09,08.74 (21) 2058822/18-10 (5!) Л1. Кл,с G 01К 7, 1О с присоединением заявки №
Сонета Министров СССР по делам изобретений и открытий
Опубликовано 30.03,76. Бюллетень № 12
Дата опубликования описания 02.07.76 (53) УДК 536.531 (088.8) (72) Авторы изобретения
H. С, Болтовец, А. В. Войцеховский, С. H. Ендржеевская, В. А. Ищук, С. К. Петрусенко и И. И. Тычина
Ордена Трудового Красного Знамени институт проблем материаловедения и Киевский государственный педагогический институт им. A. М. Горького (71) Заявители (54) РЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ
Cd
Ge
As
33 — 46
21 — 30
0,2 — 25
0,6 — 4,5
33 — 46
21 — 30
0,2 — 25
0,6-4,5. осУдаРстеенный комитет (23) Приоритет
Известны резистивные датчики температуры, содержащие в качестве активного элемейта полупроводники, например 3-d окислы металлов (чаще всего окиси Мп, Со, Ni, Cu), карбид кремния, нитрид бора, материалы группы А" В".
Однако известные датчики на основе полупроводниковых материалов находят ограниченное использование в условиях радиоактивного излучения.
Целью изобретения является повышение стойкости тернорезисторов к радиоактивному изл ченшо.
Достигается это тем, что в качестве активного элемента полупроводникового терморезистора, используют стеклообразный полупроводниковый материал CdGe (PxAs,) о при следующем соотношении инградиентов, о/
Наличие примесей Sb, Bi, Se, Те в количестве до 1%, а также отклонения компонентов от стсхиометрического состава в пределах
0,5,о для Cd и 3 — 5% для Ge P u As существенно не влияют IIB электрические парамстры тор морсзисторов.
Высокая 1 стойчивость стеклоооразпого полупроводникового материала к агрессивным средам позволяет для ряда применений обой10 1псь без герметического корпуса.
Формула изобретения
Резистивный датчик температуры, содержащий в качестве активного элемента полупро15 водник, отлич ающи и с я тем, что, с пелью повышсния его стойкости к радиоактивному излучению, в качестве полупроводника использовано стеклообразное вещество
CdGe(PxAs .,)о при следующем соотношении
20 инградиентов, вес. %:
Cd
Ge
Ая
