Сплав для омических контактов сило-вых полупроводниковых приборов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Сотое Советскик

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08.07.74 (21) 2041643/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.03.?6. Бюллетень № 12

Дата опубликования описания 25.05.76 (51) М Кч 2 Н 011. 29/14

Государственный комитет

Совета йкииистрав СССР (53) УДК 621.382(088.8) по делам ивобретений и открытий (72) Авторы изобретения

В. А, Журавлев, И. Г. Учайкин, Л. Н. Крылов, А. И. Голов, Д. П. Ловцов, Л. П. Селезнев, Е. В. Кук, Э. К. Белебашев, В. Д. Ревтов и А. И. Зенцов

Ордена Трудового Красного Знамени завод «Электровыпрямитель» (71) Заявитель (54) СПЛАВ ДЛЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ

СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов на основе кремния.

Известен сплав для омических контактов силовых полупроводниковых приборов на основе алюминия или силуминов с добавками бора.

Недостатками известного сплава являются ухудшенные электрические характеристики контактов, низкая механическая прочность соединения кристалла с термокомпенсатором.

Целью изобретения является снижение электросопротивления в контакте р — р+ и уменьшение инжекции при одновременном улучшении качества контакта.

Поставленная цель достигается тем, что в известный сплав дополнительно вводится металлическая добавка, например, вольфрам или молибден.

По предлагаемому способу для одновременного улучшения электрических характеристик омических контактов к кремнию р-типа проводимости и улучшения соединения с вольфрамовым (или молибденовым) термокомпенсатором алюминий или силумин легируют комплексной присадкой, содержащей бор и вольфрам (молибден) примерно в равных долях.

Благодаря более высокой растворимости . бора в кремнии (6.10" ат/см ) по .сравнению с алюминием (1,5.10 е ат/см ) повышается сте2

I пень легирования рекристаллизованного (эпитаксиального) слоя кремния, возникающего при сплавлении. Это ведет к снижению электросопротивления в контакте р — р+ и умень5 шению инжекции, Добавки W (Мо) улучшают качество соединения с термокомпенсатором. Установлено, что минимальная концентрация В и W (No), при которой заметно их облагораживающее влияние на сплав, состав10 ляет 0,05% по массе. При концентрациях В и

W (Мо) выше 15% по массе сплав сильно насыщен интерметаллидами, которые резко снижают пластичность сплава и из него практически невозможно изготовить фольгу тре15 буемого качества для получения сплавных контактов. Оптимальное содержание В и W (Мо) в алюминии или силумине — 0,1 — 5% по массе.

20 Формула изобретения

1. Сплав для омических контактов силовых полупроводниковых приборов на основе алюминия или силуминов с добавками бора, от25 л и ч а ю шийся тем, что, с целью снижения электросопротивления в контакте р — р+ и уменьшения инжекции при одновременном улучшении качества контакта, в него дополнительно введена металлическая добавка, ни30 пример, вольфрама или молибдена.

508826

Составитель А. Мазур

Техред Т. Лященко

Редактор Н. Коляда

Корректор М. Лейзермаи

Заказ 1424/9 Изд. № 1233 Тираж 963 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

113035; Москва, Ж 35, Раушская наб, д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

2. Сплав по п. 1, отличающийся. тем, что компоненты взяты в следующем соотношении (в мас. р/р):

Si 1,0045

 0,05 — 15

W (Мо) 0,05 — 15

Al Остальное (не меньше 56), 4

3. Сплав по п. 1, о т л и ч а ю щ.и й:с я тем, что компаценты: взяты в следующем соотношении (в мас. /р);

 0,05 — 15

% (Мо) 0,05 — 15

Al Остальное (не менее 70).

Сплав для омических контактов сило-вых полупроводниковых приборов Сплав для омических контактов сило-вых полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к составу полупроводниковых материалов, используемых в адсорбционных сенсорах для обнаружения и количественной оценки концентрации низкомолекулярных органических соединений, преимущественно кетонов в выдыхаемом людьми воздухе, и к технологии изготовления таких полупроводниковых материалов

Изобретение относится к керамическому производству, в частности к полупроводниковому материалу

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к порошковым материалам на основе окиси алюминия для плазменного напыления теплостоков полупроводниковых приборов, например электроизолирующих теплопроводных слоев на теплопередающих или теплоотводящих поверхностях полупроводниковых приборов

Изобретение относится к переключающимся схемам. Технический результат заключается в уменьшении нагрузки на схему формирователя сигналов управления затвором. Переключающая схема включает в себя: первый переключающий элемент; резистор, вставленный между управляющим электродом первого переключающего элемента и схемой управления, которая выполняет управление переключением для первого переключающего элемента; и первый конденсатор и второй переключающий элемент, подключенные между управляющим электродом первого переключающего элемента и электродом на стороне с низким потенциалом первого переключающего элемента. Электрод на стороне с высоким потенциалом второго переключающего элемента подключен к управляющему электроду первого переключающего элемента. Электрод на стороне с низким потенциалом второго переключающего элемента подключен к одному электроду первого конденсатора. Другой электрод первого конденсатора подключен к электроду на стороне с низким потенциалом первого переключающего элемента. Управляющий электрод второго переключающего элемента подключен к электроду резистора, подключенного к схеме управления. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 16 ил.
Изобретение относится к управлению трением в парах трения и может найти широкое применение в различных отраслях, таких как станкостроение, транспортное машиностроение, приборостроение и других. Способ регулирования трения в элементах пары трения включает предварительное нанесение на элементы пары трения покрытия из дихалькогенида переходного металла, причем на один элемент наносят дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а на другой - дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа. Легирующие примеси используют в концентрации от 1 до 10 атомов примеси на 107 молекул дихалькогенида переходного металла, затем на элементы пары трения подают постоянный ток с регулируемой разностью потенциалов. Положительный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а отрицательный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа, при этом напряжение изменяют от 0 до напряжения пробоя сформированного элементами пары трения р - n-перехода. Обеспечивается повышение эффективности управления трением в парах трения. 9 з.п. ф-лы, 1 пр.
Наверх