Способ удаления покрытия споверхности подложек

 

О П -й Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

<»; 509550

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l) Дополнительное к авт. свид-ву (51) М. Кл. С ОЗС 23/00

С 11Р 1/40

С 36 G 7фО& (22) Заявлено 09.03,73 (21) 1892513/$3

Ф с присоединением заявки №вЂ”

Государственный комитет

Совета Министров СССР

h0 делам изобретений н открытий (23) Приоритет(43) Опубликовано 05.04.76 Бюллетень № 13 (48) Дата опубликования описания ЗО,О4 76 (53) УДК 666.293.35 (088,8) (72) Авторы изобретения

М. Г. Кривенко, А. С. Твурвйтис, Г. И. Денис, и И. Б. Шнейдмвн (71) Заявители Вильнюсский научно-исследовательский институт электрогрвфии и Грозненский завод Электроприбор" (54) С110СОБ УДАЛЕНИЯ ПОКРЫТИЯ С ПОВЕРХНОСТИ

Г1ОДЛОЖЕК

Изобретение относится к полупроводниковой технике, где применяются покрытия из холькогенидных стекол, например, в электрогрвфии.

Известен способ удаления покрытия с по- 5 верхиости подложек путем растворения его в реегенте, при Котором поверхности подложек при удалении покрытия из хвлькогенидных стекол повреждаются.

Iles зобретения — сохранение поверхно- 10 стей неповрежденными при растворении покрытия из хвлькогенидных стекол. Достигается это использованием в качестве ревгентв водного раствора этилендиаминв с концентрацией не менее 30% при 50-150 С. о

Осуществлении способа производится, например, следующим образом, Электрографический цилиндр, представляющий собой цилиндрическую алюминиевую подложку с покрытием из трехселенистого мышьяка, нанесенным нв ее ивружйую поверхL ность плошврью около 0,2 м, полностью погружают в 10-15 л 70%ного водного растворе этилендивминв ()ЧРТУ 6-09-1238го

-64}, нагретого до 65 С с тем, чтобы 25 рвсгворить покрытие. При толщине покрытия

30 мкм оно полностью удаляется зв 15 мик,. т. е. сп скоростью 2 мцм<Фмин. Восстановленную влюминиеэую подложку извлекают из раствора и, не давая высохнуть остаткам раствора нв поверхности подложки, промывкой проточной холодной водой удаляют его следы. Твк квк наряду с удалением покрытия происходит обезжириввние поверхности подложки, то достаточно окончательно про мыть цилиндр дистиллированной водой и высушить, чтобы считать полностью гтодготовленным для нового ненесения покрьггия нв его поверхности.

Уменьшение температуры раствора или его, концентрации ведет к значительному уменьшению скорости удаления покрьггия.

Например, при концентрации раствора 70% и температуре — 40 С слой толщиной 30мкм о удаляется зв 30 мин, т. е. со скоростью

1 мкм/мин. При концентрации растворе 35% и температуре — 35 С слой толщиной 30 мкм, о удаляется зв 2,5 чвс, т. е. со скоростью

0,2 мкм/мин.

Составитель Л.Булгакова

Редактор И,3 вачадэе Техред H Êàðàíäàùîâä Корректор Н,Лук. Заказ 5 г 9) Изд. М //P Тираж

11?1ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам нзобретениА и открытиА

Москва, 113035, Раушскан наб., 4

Подписное

Филиал ППП "Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4

)1отробность в обновлении раствора мо. ет появиться лишь после удаления покры1ия, например со 100 цилиндров.

Полированная поверхность подложки пос ле снятия покрытия. остается неповрежденной и обезжиренной, так как етилендиамин в любом соотношении смешивается с водой и с поверхности подложки при промывке ее легко удаляются следы его раствора.

Формула изобретения

Способ удаления покрытия с поверхности подложек путем растворения его в реагенте, о т л н ч а ю ш и и с я тем, что, с целью

5 сохранения поверхности подложек неповрежденными при растворении покрытия из халыкогенидных., стекол, в качестве реагента используют водный раствор втилендиамина с концентрацией не менее 30% при 50-150 С. о