Нейристор

 

ОП ИКАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДИЕЛЬСТВУ

Союз Советскнн

С04мюпмстнческих

Республик (») 509918

) "„ чае тоа (61 Зависимое от авт. свидетельства - i (51) М. Кл.

Н 01L 49/00

Н 01L 27/00 (22) Заявлено04.05.73 (21) 1915898/26-21 с присоединением заявки _#_

Государственный комнтет

Совета Мнннстроа СССР оо делам нвооретеннй н открытнй (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.04.76Бюллетень № 1 (45) Дата опубликования описания 01 р 76 (53) УДК 681.3,055 (088. 8) (72) Авторыизобретения

Л. В. Шпади и А. Л. Шпади (71) Заявитель (5 4) НЕ Йт ИСТОР

Изобретение относится к радиоэлектронике, может быть использовано в телевидении, радиолока.;ионной и вычислительной технике.

Известны нейристоры, состоящие из параллельно включенных RC-цепочек и элементов

5 с Я -образной вольтамперной характеристи кой.

Такие .:ейристоры одинаково проводят сигналы в любых направлениях и скорость движения этих сигналов определяется толь ко параметрами нейристоров. В обесточенном состоянии они теряют полученную информацию, а их интегральные схемы с рас,поеделенными параметрами имеют слишком сложную многослойную структуру.

16

11ель изобретения - получение реверсированного движения зоны возбуждения с пере менной скоростью и запом <нанием цоложенття зоны возбуждения в обесточенном состоянии.

Предлагаемый нейристор отличается тем, рО что распределенная Ь, С-цепочка выполнена в виде ферритовой пленки с прямо гольной петлей гистерезиса и нанесена на токопро водящий электрод, который соединен с ревер сируемым источником тока и подклточен через переменный резистор к одному нз полюсов источника питания, второй полюс которого соединен с рпугим токопроводящим электродом, нанесенным на пленку материала с Я -образной вольтлмперной характеристикой, например,. халькогенидного стекла, покрываюшего ферритовую пленку.

Не чертеже изображен разрез нейрнсто ,.ра в интегральном исполнении.

Токопроводяшее основание 1, покрытое тонкой фчрритовой пленкой 2 с прямоугольной петлей гистерезиса и пленкой халькогенидного стекла 3 ссимметричиой ф-об разной вольтамперной характеристикой, поФключено к источнику реверсируемого тока

4 и соединено с другим токопроводяшим влентродом 5 через переменный резистор ,6 и источи":к питания 7.

При включении нейристора ток реверса от источника 4, проходя вдоль осш валия

1, создает в пленке 2 магнитное поле, а ток зоны возбуждения форктирует вокруг ,себя дополнительное магнитное поле, кото рое слева от зоны возбуждения складыва. ется с полем тока реверса, а справа — вычитается из него. Поэтому магнитная индукция в пленке "качкообраэно изменяется только справа от эоны возбуждения.

Како известно, такое изменение индукции, магнитного поля сопровождается возникнжх 5 вением электрического поля, которое в со» ответствии с законом электромагнитной индукции стремится вызвать электрический ток, направленный навстречу исходному, Но после исчезновения токопроводящего 10 канала в этой же точке ферритовой пленки восстанавливается первоначальное зна чение электромагнитной индукции и навосдится электрическое поле противоположного направления. 15

1 Если нейристор обесточивается, участок ферритовой пленки, непосредственно, прилегающий к зоне возбуждения, перемат ничивается по отношению к остальному . 20 объему пленки. Поэтому при новом включении нейристора в этом участке плснки скачкообразно изменяетсч магнитная индукция и наводится дополнительное напряжение, которое переводит з проводящее состояние. участок пленки халькогенидного стекла, находитцийся над перемагниченньтм участ- ком ферритовой пленки. Таким образом, возобновляется движение зоны возбужде ния из положения, предшествующего момен- З0 ту выключения нейристора, причем направ- ление и скорость движения определяются направлением тока реверса и сопротивлением переменного резистора 6. Поскольку вольтамперные характеристики халькогенидных стекол симметричны, е взаимное направление магнитных потоков в ферритовой пленке определяется также полярностью источника питания 7, реверса в данном случае можно достичь и путем изменения полярности источника питаниц 7, Предмет изобретения

Нейристор, состоящий иэ параллельно

BK> <9» 1 С-цепочек и элементов с образной вольтамперной характеристикой, отличающийся тем,что,с целью получения реверсивного движения эоны возбуждения с переменной скоростью и запоминанием положения зоны возбуждения в обесточенном состояпии, распр деленная КС-цепочка выполнена в виде ферритовой пленки с прямоугольной петлей гистерезиса:и нанесена на токопроводяший электрод,:который соединен с реверсивусмым источником .тока и подклкм чен через перементтый резистор к одному из полюсов. источника питания, второй по

moc которого соединен с другим токопроводяшим электродом, нанесенным на пленку материала с Я-образной вольтамперной хаРактеристикой, на.тример халькогенидногв стекла, покрывающего Аерритовую пленку.

Изд. Ра /И

Тира к 963 Подпис чое

Заказ 53>4

Б11ИИПИ Государственного комитета Совета Министров i CCP ло делам изобретений и открытий

Москва, 113035, Раушская изб., 4 Филиал ЛПП Патент г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель С.пол рпов

Редактор Б.Федотов Техред М.Семенов Корректор 3.Таренкова