Ждущий мультивибратор
, 1
О П И С -"А Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ (I I) 5I44l7
Союз Советских
Соцналнстнческнх
Республик (61) Дополнительно" к авт. свид-ву (22) Заявлено 28.01.74 (21) 1993059121
i5!) Ч. Кл. - Н 03К 3, 284 с присоединением заявки Хо
Государственный камнтет
Совета Министров СССР по делам изобретений в открытий (23) Приоритет
Оп! бликовапо 15.С5.76. Бюллетень ¹ 18 (-3j УДК 621.373.531 (088.8) Дата опуоликованпя описан!!я 22.06.76 (72) Аа. оры изобретения
Б. М. Манулис, И. А. Атаманюк и В. В. Шакалин (71) Заявитель (54) Жду1ций мультивиБРАтор
Изобретение относится к радиотехнике H мозкет быть использовано в радиотехнп Iec!cIIx установках с дистанционным ступенчатым переключением длптельности импульса.
Известен ждущий мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми положительными обратными связями, содержащий а одной из цепей обратных связей несколько параллельно вклю IBHHbix времязадающих конденсаторов.
Однако известный мультивибратор не имеет возможности изменять длительность генерируемых импульсов с помощью сигналов управлеН11 5.
С целью изменения длительности гет!ерируемых импульсов с помощью сигн-.ëîâ управле ния последовательно с каждых! времязадающим конденсатором включен коллекторноэмиттерны1! герсход дополнительного транзистора, зашунтированный в обратном направлении диодом, базы дополнительных транзисторов соединены с источниками управляющих сигналов, причем база закрытого в исходном состоянии основного транзистора и базы дополнительных транзисторов через соответствующие резисторы соединены с исто-!ником смещения.
На чертеже приведена принципиальная электрическая схема мультивибратора.
Ждущий мультивибратор содержит транзисторы 1 и 2, соединенные положительными ооратными связями. В о, 1!ой из цепей положитслы!0! обра-.ной св.!зн включены времязадающие копдснсаторы 3 li 4. Последоватсльно с конденсаторами 3 и 4 включены коллекторноэмиттер! ые переходы транзисторов 5 и 6 сосоответствеьп-:о, зашунтированные в обратном HBIIp;IB. .cHIIII диодами 7 и 8. Базы транзис;оров 5 и 6 соединены с источниками управляющих сигналов (HB схеме не показаны), подкл!о-1енных к клемме 9. База закрытого в .!!сходном состоянии транзистора 1 и базы транзистороз 5 и 6 через резисторы 10 — 12 соединены с источником смещения, подключенным к клемме 13.
Конденсаторов может быть любое количество, зависящее от чис",II необходимых частот, генерир емых ждущим мультпвпбратором. На схсз!е для простоты показаны два врсмязадающих конденсатора 3 и 4.
Ждущий мультнвибратор работает следующим образом.
В исходном состоянии (до прихода запуска1сщего пмгульса 113 зход 14) транзистор 1 за25 крыт, а транзистор 2 открыт и насыщен. Транзистор 5 насыщен, так как на его базу подается управляющее отпирающее напряжение, а транзистор 6 заперт напряжением смещения, подаваемым на его оазу. Конденсаторы 3 и 4
30 заряжены.
После прихода запускающего положитель514417
Формула изобретения
Составител» И. Еркин
Техред М. Семенов Корректор А. Николаева
Редактор Т. Янова
Заказ 1314/13 Изд. ¹ 1326 Тираж 1029 Подпис ое
ЦНИИПИ Государстве !ного комитета Совета Министров СССР по дел:!и изобретений lI открытий
113035, Москва, 1К-35, Раун:ск".ÿ наб., д. 4Д 1 и огр 6 заперт отрицательным напряжением, разряд конденсатора 4 не происходит. После разряда конденсатора 3 транзисторы 1 и 2 возвращаются в исходное состояние, происходит заряд конденсатора 3 по цеги: правая обладка конденсатора 3 — переход база-эмиттер транзистора 2 — корпус — источник питания — резистор 16 — диод 7 — левая оокладка конденсатора 3. При необходимости переключить длительность импульса мультивибратора управляющее напряжение подается на базу транзистора 6, при этом конденсатор 3 отключается, а конденсатор 4 включается. 7!,дущий мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми положительными обрат5ны,ми свя ÿìè,,содержащий в одной цепи опратных связей несколько параллельно включенных времязадающих конденсаторов, о T.л и ч аи шийся тем, что, с целью изменения длительности генерируемых импульсов с помощью 10 сигналов управления, последовательно с каждым времязадающим конденсатором включен коллекторно-эмиттерный пере. од дополнительного транзистора, зашунтированный в обратном направлении диодом, базы дополнитель-! 5 ных транзисторов соединены с источниками управляющих сигналов, причем база закрытого в исходном состоянии основного транзистора и базы дополнительных транзисторов через соответствующие резисторы соединены с Нс20 то 1и !ком смсп1ени51.
