Устройство для электрического соединения объекта измерения

Авторы патента:

H01L23/32 - держатели для крепления готовых приборов в процессе работы, т.е. съемные фиксаторы (H01L 23/40 имеет преимущество; соединители вообще H01R; для печатных схем H05K)

; 0 5!9796

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союа Саввтскнк

Социалнстнческкк

Республик

1 з (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51) М. Кл. Н OIL 23/32 (22) Заявлено 02.01.73 (21) 1865935/07

Ф с присоединением заявки №

Гос1даРственный комитет (23) Приоритет

Совета Министров СССР по делам иаобретеннй Опубликовано 30.06.76. Бюллетень № 24 (53) УДК 621.315(088.8) н открытий

Дата опубликования спи ания 22.07.76 (72) Автор изобретения

H. А, Бородулин (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО

СОЕДИНЕНИЯ ОБЪЕКТА ИЗМЕРЕНИЯ

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к измерению параметров электроа кустических преобразователей, например пьезоэлементов, в частности при их изготовлении.

Известны устройства (1) для электрического соединения oR екта измерения, например пьезоэлемента, с измерительным прибором и одновременного удержания объекта в статическом положении, в которых закрепление пьезоэлемента осуществляется заостренными, соосно расположенными стержнями. Соединение пьезоэлемента с измерительным прибором посредством таких устройств приводит к ухудшению точности измерения параметров пьезоэлемента, на которые оказывают влияние контакты.

Известно и другое устройство (2) для электрического соединения объекта измерения с измерительным прибором и одновременного удержания объекта в статическом положении, содержащее пружинящие контактные элементы, по крайней мере один из которых снабжен прижимным приспособлением. Такое устройство также вносит суще.твенныс погрешности при измерении параметроз пьезоэлементов.

Цель изобретения вЂ” повышение точности измерения.

Для достижения указанной цели контактные элементы предлагаемого устройства выполнены в виде натянутых на рамки струн.

Иа фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, вид сбоку; на фиг. 2 вЂ” то же, вид сверху; па фиг. 3 вЂ” неподвижный и подвижный контактные элементы; на фиг. 4 вЂ” подвиж5 ный контактный элемент.

Устройство для соединения и удержания объекта измерения содержит основание 1, на котором через изоляционную прокладку 2 укреплеп неподвижный контактный элемент, со10 стоящий пз рамки 3 и натянутых на ней струн

4. На основíèè 1 укреплена стойка 5 с рычагом 6 (фиг. 1). К рычагу 6 через изоляционную прокладку 7 прикреплен подвижный контактный элемент, состоящий из рамки 8 с

15 натянутой на ней струной 9.

Объект измерения (изображен пунктиром на фиг. 1) устанавливается на струны 4 и прижимается под действием веса рычага 6 струной 9. При этом происходит включение объек20 та измерения в цепь измерительного прибора (ца чертежах не показан) .

Указанное выполнение предлагаемого устройства обеспечивает снижение влияния контn! .ò1!ых элех!ентов на измеряемые параметры

25 объекта и тем самым повышает точность измерения.

Формула изобретения

Устройство для электрического соединения

30 объекта измерения, например пьезоэлемента, с измерительным приоором и одновременного

519796

g 7

Дуг 2

Составитель Е. Рубцова

Техред А. Камышникова

Редактор В. Левятов

Корректор Л. Брахнина

Заказ 1515/17 Изд. № 1441 Тираж 963 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 удержания объекта в статич, оком положении, содержащее пружинящие контактные элементы, по крайней мере один из которых снабжен прижимным приспособлением, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерения, указанные контактные элементы выполнены в виде натянутых на рамки струн.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: (1) Спраьочник радиолюбителя. М., Госэнергоиздат, 1961, стр. 262. (2) Патент Германии № 534229 кл.

21<Г 64/01.

Устройство для электрического соединения объекта измерения

Кассета для гальванического лужения баллончиков // 203079

Чашечка для кристаллического детектора // 6765

Устройство на интегральных схемах // 2032964

Панель узла силового полупроводникового устройства // 774485

Конструкция системы концентраторных фотоэлектрических установок // 2474927

Изобретение относится к области солнечной энергетики и, в частности, к солнечным энергетическим установкам с концентраторами солнечного излучения и системами слежения, применяемым, например, в составе электростанций, предназначенных для выработки электроэнергии путем фотоэлектрического преобразования солнечной энергии

Солнечная фотоэнергоустановка // 2476957

Изобретение относится к солнечной фотоэнергетике и может найти применение как в мощных солнечных электростанциях, так и в качестве фотоэлектрической энергоустановки индивидуального пользования

Установка для генерирования электрической энергии с помощью фотогальванических элементов // 2483390

Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона // 2498455

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Технический результат - улучшение тепловых и электрических характеристик. Достигается тем, что мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит электро- и теплопроводящее основание с выступом, диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне и экранной заземляющей металлизацией на обратной стороне, разделенную, по меньшей мере, на две части, каждая из которых установлена на теплопроводящем основании с противоположных сторон выступа вплотную к нему, на выступе установлен и закреплен, по меньшей мере, один кристалл активного полупроводникового прибора, высота выступа выполнена такой, что лицевые поверхности кристаллов и диэлектрической подложки расположены в одной плоскости, выступ электро- и теплопроводящего основания выполнен в виде металлизированной алмазной вставки, расположенной и закрепленной в углублении основания, при этом глубина углубления h выбрана такой, что обеспечивается минимальная разность температур Δt (°C) кристалла активного полупроводникового прибора и обратной стороны электро- и теплопроводящего основания: где λ - удельная теплопроводность алмаза (коэффициент теплопроводности Вт/(м×град)), Q - мощность кристалла активного полупроводникового прибора (Вт), полиномиальные коэффициенты - A1=-17,44331; А2=31,36052; А3=-22,21548; А4=19,01102; А5=-995,19516; А6=-4,10308×103; А7=-1,56933×103; A8=4,81737×106; А9=-1,6359×109, что соответствует глубине углубления h от 0,001 до 0,8 мм, а толщина дна углубления выбрана равной или более 0,2 мм, 1 з.п. ф-лы, 5 ил., 3 табл.