Способ выращивания монокристаллов

 

п и с А Й

О И Е

ИЗОБРЕТЕ Ы ИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

""528837

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву— (22) Заявлено 03.06.74 (21) 2029659/23-26 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано15.10.78.Бюллетень № 38 (45) Дата опубликования описания >0 g9g

2 (51) М. Кл.

В 01 а 17/06

Гасударственный комитет, Совета Министров СССР по делан нзооретений н открытий (53) УДК 548.55 (088.8) (72) Авторы изобретения

A. Н. Киргинцев, Б. А. Соловьев и Ю. Н. Маловнцкий

Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР и Новосибирский оловянный комбинат (71) Заявители (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов и может быть использовано в технологии полупроводниковых материалов.

Известен способ выращивания монокристаллов, например полупроводников, направленной кристаллизацией расплава в трубчатом контейнере, установленном под углом к горизонту, с частичным заполнением полости контейнера расплавом исходного материала и вращением контейнера вокруг продольной оси со скоростью 300 — 400 об/минМ 1о

Однако вследствие слабого перемешивания врашаюшегося относительно контейнера и затравки расплава в известном способе скорость кристаллизации низка.

Цель изобретения — увеличение скорос-

15 ти кристаллизации..

Осуществляется это за счет вращения расплава со скоростью 100 — 200 об/мин противоположно направлению вращения контейнера.

На чертеже дана схема устройства, ил- za люстрируюшая способ выращивания монокристаллов.

В одном конце трубчатого кварцевого контейнера 1 со шлифами 2, расположенного под углом к горизонту в зазоре статорных полюсов 3 с прпмыкаюшпм к ним нагревателем 4 и надетыми обмотками 5, укрепляют затравку 6, имеющую диаметр, близкий к диаметру контейнера. В другом конце укрепляют стержневую загрузку 7 исходного материала. Через канал 8 в пустотелом керне 9 прп открь|том вакуумном кране 10 в контейнер подают аргон. На стыке затравки и загрузки вк, ючением трубчатого нагревателя сопротивления образуют зону расплава с температурой 1000 — 1200 С.

После подачи воды в обмотки статора, выполненные из восьми витков медной трубки диаметром 6 мм, их включают через понижающий трансформатор в электрическую сеть и устанавливают ток 300 A. Расплав начинает врашаться относительно контейнера со скоростью 200 об/мин в определенную сторону. Затем сообщают контейнеру вращение в противоположную сторону со скоростью 400 об/мин и перемещение со скоростью

10 — 20 см/ч. Так как внутренняя поверхность контейнера подвергается предварительной пескоструйной обработке или покрывается несмачиваемым расплавом материалом, то монокристаллы растут вне контакта со стен,528837

Формула изобретения

Составитель Ю. Маловицкий

Редактор Т. Колодцева Техред О. Луговая Корректор Л. Небола

Заказ 5842/50 Тираж 964 Подписное

Е1НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открыл.ий

1! 3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», r. Ужгород, ул. Проектная, 4 ками контейнера. Данным способом были получены монокристаллы германия диаметром

10 — 11 мм и длиной 60 — 90 мм.

В результате осуществления предложенного способа производительность процесса увеличивается в 1,5 — 2 раза.

Способ выращивания монокристаллов, например полупроводников, направленной кристаллизацией расплава в трубчатом контейиере, установленном под углом к горизонту, с частичным заполнением полости контейнера расплавом исходного материала и вращением контейнера вокруг продольной оси со скоростью 300 — 400 об/мин, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости кристаллизации, вращают расплав со скоростью 100 — 200 об/мин противоположно направлению вращения контейнера.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

l. Авторское свидетельство СССР

% 2б28б0, кл. В 01 j 17/00, 1970.