Интегральная ячейка памяти

 

Союз Советских

Социалистических

Республик (11} 534792

К АВТОРСКОМУ СВИДЕПЛЬСТВУ (б1) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 24.05.74 (21) 2028477/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет(43) Опубликовано05.11.76.Бюллетень №41 (5() И. Кл,2

C 11 С 11/40

Государственный комитет

Совете Министров СССР оо делам изооретений и открытий (53) УДК 628.;327.6 (088.8) (4б) Дата опубликования описания 20.01.77

Г. Г. Казеннов, B. Я. Контарев, В. Я. Кремлев, Н. В. Семученков, В. А. Тихонов, Ю. И. Шетинин и Г. И. Стороженко (72) Авторы изобретения

: (71) Заявитель (54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ

Изобретение относится к области вычис лительной техники в частности к ЗУ большого объема в интегральном исполнении.

Известны интегральные ячейки памяти, содержащие транзисторы гт-р-q и р- тт-ртипа проводимости с обшим р - и «перехс дом коллектор-база Dl .

Недостатком известных интегральных ячеек является низкое быстродействие, 10

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является интеграль- . ,ная ячейка памяти, содержащая р-ти-р-тран .зистор, коллектор которого соединен с ба-. ,зой тт-р- п-транзистора, первый эмиттер тн ,которого соединен с первой адресной шипова второй — с шиной считывания, коллектор— с базой р-ь-р-транзистора, первый эмитте которого соединен со второй адресной ши-» ной (21. 20

Однако для записи информации в такой ячейке памяти необходимо относительно высокое напряжение, что требует применения специальных элементов для повышения помехоустойчивости. Кроме того, такая ячей 25 ка памяти имеет малое быстродействие и потребляет значительную мощность, Бель изобретения - улучшение эксплуатационных характеристик, ячейки.

Эта цель достигается введением допол-

:нительного п-р-ь-транзистора, база которого

;соединена со вторым эмиттером р-и-р транзистора, коллектор — с базой р-и-р.транзистора, эмиттер - с шиной записи.

На чертеже представлена принципиал{ ная схема интегральной ячейки памяти.

Интегральная ячейка памяти содержит р-и-р-транзистор 1, первую 2 и mopy{o 3 адресные шины, шину записи 4, шины считывания 5 и 6, и-р-и-транзистор 7 и допол- . нительный ь-р-и-транзистор 8.

Интегральная ячейка памяти работает следующим образом.

В режиме хранения информации на шину

3 подано напряжение, величина которого определяет ток хранения. На шине считывания 6 напряжение равно нулю, а на шину ! считывания 5 подано опорное напряжение, положительной полярности. На шине 2 на5347 пряжение равно нулю, а на шину записи 4 подано положительное напряжение.

В режиме считывания информации в шиве считывания 6 ток прерывается. При этом в шине считывания 5 при хранении в запо- Ь минаюшей ячейки логического нуля ток о сутствует, при хранении логической едини цы - присутствует.

В режиме записи нуля состояние ячейки соответствует режиму считывания информации. Логический нуль записывается в ячейку посредством прерывания тока- в -ши- не считывания 5 внешней цепью.

В режиме записи единицы состояние ячейки соответствует режиму считывания информации. На шину записи 4 подается . отрицательный импульс напряжения, который включает р-и-р-транзистор 1. После ® снятия импульса ток переключается в ши4 ну считывания 5 и поддерживается во включенном состоянии.

Формула изобретения

Интегральная ячейка памяти, содержа4 щая р-п-ргранзистор, коллектор которого; соединен с базой п-р-пгранзистора, первый эмиттер которого соединен с первой адресной шиной, второй — с шиной считы« вания, коллектор - с базой р-и-р-транзис- тора, первый эмиттер которого соединен со второй адресной шиной, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью улучшения эксплуатационных характеристик ячейки, она содержит дополнительный и-р-пгранзистор, база которого соединена со вто рым эмиттером р-ï-р-транзистора„коллектор - с базой р-п-ртранзистора, эмит тер — с шиной записи.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США, ¹ 2709630, кл. 340

173, от 9.10.69 r, 2. Патент США % 3690762 кл. 340173 от 14.01.72 г. (прототип), Составитель В. Гордонова

Редактор Л. Утехина Техред-М - Ликович Корректор Б, К)гас

Заказ 5551/243 Тираж 723 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4