Зонд для исследования структуры сверхвысокочастотного поля

 

О П И С А Н И Е Г)1) 536442

ИЗОБРЕТЕНИЯ

И АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Респуолик (61) Дополнительное к авт. Овид-ву (22) Заявлено 03,01.75 (21) 2092772/09 с присоединением заявки Р (51) М. Кл 6 01К 29, 14

ГосУдаРствеииый комите: (23) Прт!Орт!тет

Совета 1)тииистров СССР по епак4 изюГ)ретеиий ОпУбликовано 25.11,76. Бюллетень № 43 (53) УДК 621.317(088.8) и открытии

Дата опубликования описания 24.02.77 (72) Авторы изобретения

В. И. Денис, Я. А. Каружа, Ю. П. Скучас и M. М. Ярмалис (71) Заявитель

Ордена Трудового Красного Знамени институт физики полупроводников

AH Литовской CCP

)54) ЗОНД ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУЛ44)

СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОГО ПОЛЯ . :О

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может использоваться для анализа структуры СВЧ поля в линиях передачи.

Известен зонд для исследования структуры сверхвысокочастотного поля штыревого типа (1).

Однако известный зонд не дает возможности определить направление электрической составляющей сверхвысокочастотного поля в линии передачи.

Наиболее близким техническим решением является зонд для исследования структуры сверхвысокочастотного поля, выполненный в виде симметричной петли (2).

Однако известным зондом непосредственно определяется направление магнитной составляющей, а направление электрической составляющей определяется при помощи последующего расчета.

Целью изобретения является ооеспечепие непосредственного определения направления электрической составляющей сверхвысокочастотного поля.

Для этого В зонде для исслсдования стру ктуры свсрхвысокочастотного поля, выполненном в видс симметричной пстли, петля выполнена из полупровод;-и)ковой нластипы П-образной формы, образованной двумя параллельными ветвями, одни концы которых соединены перемычкой, выполненной из материала с повышенным сопротивлением без изменения подвижности носителей тока и длиной на один — два порядка больше се толщины, а на других концах параллельных ветвей расположены электрические контакты.

Предлагаемый зонд изображен ца чертеже.

Зонд для исследования структуры сверхвысокочастотного поля выполнен в виде симметричной петли 1, представляющей собой полу10 проводниковую пластину П-образной формы, образованную двумя параллельными ветвями

2, одни концы которых соединены перемычкой 3, выполненной из материала с повьппепным сопротивлением без изменения подвижно15 сти носителей тока и длиной На один-дга порядка больше се толщины, а па других концах параллельных ветвей расположены электрические контакты 4.

Работа предложенного зонда основана на

20 эффекте изменения сопротивления перемычки

3 в сверхвысокочастотном поле вследствие разогрева носителей тока. Величина изменения сопротивления зависит от ориентации продольной оси перемычки 3 относительно направления электрической со тавляющсй сверхвысокочастотного поля.

Для и 3 м ср сии 5I из м c l! en:! я с 0 и р О т и в л e 1 1 l l я предложснного зонда через нс"0 пропускают постоянный по величине ток, а падение напря3,1 жсния на зонде, пропорциональпос изменению

536442

Составитель Г. Челей

Техред Е. Подурушина

Корректор А. Галахова

Редактор H. Данилович

Заказ 3015/3 Изд. № 377 Тираж 1029 Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 его сопротивления, регистрируют индикатором. Направление электрической составляющей сверхвысокочастотного поля определяется по положению зонда в линии передачи при максимальном выходном сигнале, который наблюдается в случае, если направление продольной оси перемычки совпадает с направлением электрической составляющей сверхвысокочастотного поля.

Возмущение, вносимое зондом в сверхвы сокочастотное поле, зависит от выбора удельного сопротивления полупроводниковой пластины и от ее геометрических размеров. С увеличением удельного сопротивления полупроводниковой пластины и с уменьшением ее геометрических размеров степень возмущения сверхвысокочастотного поля уменьшается.

Возмущение слабо зависит от глубины погружения зонда в линию передачи, поэтому предлагаемый зонд позволяет производить измерения в любой точке поперечного сечения липин передачи.

Геометрические размеры перемычки должны быть значительно меньше, чем длина рабочей волны в исследуемой линии передачи. Повышение сопротивления в перемычке достигается либо путем понижения концентрации носителей тока, либо уменьшением поперечного сечения перемычки. Длина параллельных ветвей 2, используемых в качестве выводов, подбирается в зависимости от геометрических размеров линии передачи.

Предложенный зонд взаимодействует только с электрическим полем, что обеспечивает непосредственное определение его направления.

Выполнение петли 1 из полупроводниковой пластины лишь незначительно искажает структуру сверхвысокочастотного поля, что повышает точность измерения.

Таким обр азом, предложенный зонд обеспечивает непосредственное определение направления электрической составляющей сверхвысокочастотного поля.

10 Формула изобретения

Зонд для исследования структуры сверхвысокочастотного поля, выполненный в виде симметричной петли, отличающийся тем, что, с целью обеспечения непосредственного определения направления электрической составляющей сверхвысокочастотного поля, петля выполнена из полупроводниковой пластины Побразной формы, образованной двумя параллельными ветвями, одни концы которых соединены перемычкой, выполненной из материала с повышенным сопротивлением без изменения подвижности носителей тока и длиной

ra один — два порядка больше ее толщины, и на других концах параллельных ветвей расположены электрические контакты.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Гинзтон Э. Л. Измерения на сантиметровых волнах, М., «Иностранная литература», 1960 г., стр. 310 — 311 (аналог).

2. Тишер Ф. Техника измерений на сверхвысоких частотах. Справочное руководство, М., Государственное издательство физико-математической литературы, 1963 г., стр. 336 (про35 тотип).

Зонд для исследования структуры сверхвысокочастотного поля Зонд для исследования структуры сверхвысокочастотного поля 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано, например, при разработке устройств электронной техники, где существенно влияние электронного состояния поверхности электротехнических материалов, например, при разработке элементов фотоэмиссионных и электроэмиссионных приборов или для контроля качества химической обработки поверхности полупроводниковых материалов на начальной стадии изготовления полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения вектора напряженности электрического поля без ориентации датчика

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к физическим средствам исследования газовых разрядов
Наверх