Способ получения тонкодисперсной двуокиси кремния

 

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОН- . КОДИСПЕРСНОЙ ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ путемокисления кремнийсодержащих соединений в кислородной или кислородсодержащей низкотемпературной плазме, отличающийся тем, что, с целью повьшения степени чистоты целевого продукта, в качестве кремнийсодержащих соединений берут алкоксипроизводные кремния, например, тетраэтоксисилан, и процесс ведут в плазме сверхвысокочастотного разряда.2i Способ по п.1, отличающий с я тем, что плазму используют с частотой разряда 1500 - 3000 мГц.Skfl

СООЗ СОВЕТСНИХ

РЕСПУБЛИН.

„„Я0„„543248 (5Ц4 С 01 В 33/12

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPCHOIVlY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2106092/23-26 (22) 19.02.75 (46) 15.03.86. Бюл. У 10 (72) В.Н.Троицкий, М.Я.Иванов, В.И.Берестенко, Т.Н.Купряшкина, Б.М.Гребцов, Е.А.Рябенко и Б.З.Шалумов (53) 546.284 (088.8) (56) Патент США У 3481693, кл. 23-1, 2. 12. 69.

Патент США 9 3275408, кл. 23-182, 27.09.66. (54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОДИСПЕРСНОЙ ДВУОКИСИ КРЕМНИЯ путем окисления кремнийсодержащих соединений в кислородной или кислородсодержащей низкотемпературнойплазме, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты целевого продукта, в качестве кремнийсодержащих соединений берут алкоксипроизводные кремния, например, тетраэтоксисилан, и процесс ведут в плазме сверхвысокочастотного разряда.

2; Способ по п.1, о т л и ч а— ю шийся тем, что плазму используют с частотой разряда 1500—

3000 мГц.

543248

Корректор С. Шекмар

Редактор О.Кузнецова Техред С.Мигунова

Заказ 1166/2 Тираж 452

ВЕИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Подписное филиал ППП "Патент", r.ужгород, ул.Проектная,4

Изобретение относится к способам получения тонкодисперсной двуокиси кремния, которая может найти применение в волоконной оптике и для изготовления полупроводниковой керамики.

El

Известен способ получения тонкодисперсной двуокиси кремния путем окисления тетрахлорида кремния в потоке низкотемпературной плазмы электродугового разряда.

Недостатком способа является загрязнение двуокиси кремния продукта мн эрозии металлических электродов плазменных генераторов электродугового типа и хлором, образующимся при горении тетрахлорида.

Известен способ получения тонкодисперсной двуокиси кремния, заключающийся в окислении кремнийсодержащих соединений, например тетрахлорида кремния,в кислородной или кислородсодержащей низкотемпературной плазме высокочастотного разряда, осуществляемого, в безэлектродплазмотроне.

Однако чистота получаемой по этому способу двуокиси кремния не удовлетворяет требованиям современной оптики н полупроводниковой техники е

Для повышения степени чистоты целевого продукта по предлагаемому способу в качестве кремнийсодержащих соединений берут алкоксипроиэ"

5 водные кремния, например, тетраэтоксисилан, и процесс ведут в плазме сверхвысокочастотного разряда (частота разряда 1500-3000 мГц) °

Предлагаемый способ обеспечивает получение целевого продукта достаточно. высокой степени чистоты (10 -10 7), превьйиющей более чем на порядок чистоту двуокиси кремния, получаемой по известному способу (10 .-10. 7.)..-Пример. В кислородную СВЧплазму со среднемассовой температуо рой 5500 С при расходе кислорода

20 2 м /ч вводят поток аргона со скоростью 0,4 м /ч и пары тетравтоксисилана с расходом 600 г/ч. Образующаяся в плазменном реакторе двуокись кремния конденсируется у основания реактора с частицами размером

800-1200 А. Получаемая двуокись кремния имеет следующее содержание примесей, вес.Ж: АС 0,4 1О," Ре 3,8 ° 10,Мп 5, 1 ° 10, В 1,3 10

30 Ni 3,8 ° 10, Ti 2,3 10,Sn 2,8 10

Cr 0,6 ° 10, Cu 5,1 10 .