В. Н. Авдеев, Э. Г. Вартазаров, В. А. Долидзе, P. К. Калитчев, В. Д. Мартиросов, И. Л. Филатов и Л. И. Розенштейн (71) Заявитель (54) ФОТОРЕЗИСТОРНЫЙ МОДУЛЯТОР

УдаРстве"ный комитeT (23) Пр ори ст

Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться в приборостроении, например, в измерительных усилителях постоянного тока с высоким входным сопротивлением (10в Ом и более).

Известны фоторезисторные модуляторы, содержащие фоторезистор, узел оптической связи, источник света (1). Однако в известных фоторезисторных модуляторах имеются на выходе паразитные фото-э.д.с., возникающие на границах переходов металл вЂ” полупроводник фоторезистора во время его освещения модулирующими импульсами света.

Наиболее близким по техническому решеншо из известных фоторезисторных модуляторов является фоторезисторный модулятор, содержащий источник света, например светодиод, узел оптической связи и фоторезистор, в котором паразитные фото-э.д.с. устраняются применением защиты переходов металл вЂ” полупроводник от излучения (2). Однако в известном модуляторе при защите переходов частично закрываются от света участки полупроводникового слоя, примыкающего к переходам металл вЂ” полупроводник фоторезистора. Это приводит к тому, что часть полупроводникового слоя во время работы модулятора остается не освещенной и, следовательно, снижается коэффициент передачи модулятора, ухудшается отношение сигнал/шум за счет включающегося последовательно эквивалентного дополнительного активного сопротивления.

Целью изобретения является устранение паразитных фото-э.д.с, возникающих на границах переходов металл вЂ” полупроводник фоторезистора. Для этого в предлагаемом фоторезисторном модуляторе узел оптической связи выполнен в виде поворотного металлического

10 фиксируемого цилиндра со встроенным в него светопроводом, выходной торец которого расположен эксцентрично относительно оси цилиндра.

На чертеже приведена схема фоторезистор15 ного модулятора.

Предлагаемый фоторезисторный модулятор содержит источник света (светоднод 1), узел оптической связи, выполненный в виде поворотного металлического фиксируемого ци20 линдра 2 со встроенным в него светопроводом

3, и фоторезистор 4.

Фоторезисторный модулятор работает следующим образом.

Светодиод 1, питающийся импульсами тока, 25 излучает световыс импульсы, которые передаются через светопровод 3 на светочувствительный полупроводниковьш слой фоторезнстора 4. При попадании импульсов света на фоторезистор 4 изменяется его проводимость

30 и, таким образом, происходит модуляция сиг545064

Формула изобретения

Составитель И. Карпухина

Техред А Камышникова Корректор А, Галахова

Редактор T. Ларина

Заказ 217/18 Изд. № 153 Тираж 1054 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

11ала в электр и !сской цени> в которую Вкл10чается фоторезистор 4. Во время освещения фоторезистора 4 импульсами света на обеих

cro границах переходов металл вЂ” полупроводник возникают фото-э.д.с., направленные встречно и включенные последовательно друг с другом и сопротивлением полупроводникового слоя фоторезистора 4. В результате этого на концах фоторезистора 4 во время IIuступления на него световых импульсов возни- 10 кает результирующая фото-э. д. с., равная алгебраической сумме двух фото-э.д.с, возникающих на границе переходов металл вЂ” полупроводник. Устранение этой фото-э,д.с достигается путем поворота цилиндра 2 со светопро- 15 водом 3. При повороте цилиндра происходит перемещение центра светового пятна по поверхности фоторезистора, что приводит кувеличению освещенности одного из его переходов металл вЂ” полупроводник и уменьшению 20 освещенности противоположного перехода.

Ввиду того, что значения фото-э.д.с на границах переходов прямо пропорциональны их освещенностям, соответственно изменяются и значения генерируемых фото-э.д.с на перехо- 25 дах. Поворотом цилиндра 2 достигается равенство абсолютных значений фото-э.д.с на переходах и, как следствие, равенство нулю результирующей паразитной фото-э.д.с на концах фоторезистора 4. 30

Б,чагода()Я том1 что c13oro»poIIo i помещс11 в металлическии цилиндр, имс1ощпй гальваническую связь с корпусом модулятора, уменьшается емкостная связь между светодиодом и фоторезистором, тем самым обеспечивается электрическая развязка цепей возбуждения светодиода от цепей, в которые включается фоторсзистор.

Фоторезисторный модулятор, содержащий источник света, например светодиод, узел оптической связи и фоторезистор, о т л и ч а ющийся тем, что, с целью устранения паразитных фото-э.д. с., возникающих на границах переходов металл вЂ” полупроводник фоторезистора, узел оптической связи выполнен в виде поворотного металлического фиксируемого цилиндра со встроенным в него светопроводом, выходной торец которого расположен эксцентрично относительно оси цилиндра.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. калинчук Б. A. и др. Модуляторы малы. сигналов. М., «Энергия», 1972, с. 103.

2. Илюкович Л. М. Измерительные усилители постоянного тока с преобразователями на фотосопротивлениях, «Измерительная техника» № 5, 1967 (прототип).

Похожие патенты:

Всесоюзная // 374695

Способ модуляции фототока // 61162

Модуляционное устройство // 28543