Пленочный диод

Авторы патента:

ДЮКОВ В.Г.

КУЛЮПИН Ю.А.

НЕПИЙКО С.А.

H01L29/12 - отличающиеся материалами, из которых они образованы

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИДОБРЕТЕНИЯ

К АВТОа СКОМУ СВИДИТВЛЬСТВМ (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 20.12.74 (21) 2085881/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет.вЂ”

Опубликовано 05.10.79. Бюллетень № 37

Дата опубликования описания 05.10.79 (ii 550066 (51) М. Кл

Н 01 3 29/12

Гааударатванны9 намнтет

СССР аа далаи нэабратаннй и аткрвютнй (53) УДК 621,383 (088.8) (УЯ) Авторы изобретения

В. Г. Дюков, 10. A. Кулюпин и С. А. Непийко р

Институт физики АН Украинской ССР и Московскйй ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. М. В. Ломоносова (71) Заявители (54) ПЛЕНОЧНЫЙ ДИОД

Изобретение относится к твердотельной электронике и может использоваться в радиотехнике и микроэлектронике в качестве нелинейного элемента.

Известны тонкопленочные приборы, представляющие собой структуры, состоящие из одного 5 или более тонких слоев металла, полупроводника или диэлектрика (1).

Наиболее близок к предлагаемому пленочный диод, содержащий диэлектрическую подложку, электрический вентиль и пленочные т0 металлические электроды %.

Однако этот диод имеет низкую радиационную стойкость, небольшой температурный диана зон работы и; кроме того, технология получения тонких совершенных пленок диэлектрика 15 довольно сложная.

Цель изобретения вЂ” повышение радиационной стойкости, расширение температурного диапазона.

Предлагаемый диод отличается тем, что элек- 2ц трическим вентилем. является нанесенная на диэлектрическую подложку между пленочными электродами диспергированная металлическая пленка, в которой размер островков и расстояние между ними монотонно изменяются от одного электрода к другому, На чертеже изображен пленочный диод.

На диэлектрической подложке 1 между пленочными металлическими электродами 2 расположена диспергированная металлическая пленка с неоднородной структурой 3.

Диспергнрованная металлическая пленка с вышеуказанной структурой может быть получена различными способами.

При одном из известных способов, косом напылении, точечный испаритель устанавливают таким образом, чтобы расстояния от него до разных участков поверхности подложки отличались, количество ве1цества, а следовательно, размер островков н расстояния между ними, монотонно изменяются от одного электрода к другому, При другом способе, перемещая маску в процессе напыления, получают пленку со ступенчато изменяющейся толщиной. Эту пленку затем прогревают ло образования островко. вой структуры. Диснергированные металлические пленки изготовляют из золота, хрома MJIN нз

Составитель П. Тодуа

Техред З.Фанта Корректор Т. Скворцова

Редактор Т. Колодцева

Заказ 6010/59 Тираж 923 Подписное

ЩтИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 5500 других металлов, Так получают неоднородную диспергированную пленку золота, в которой размер островков от одного электрода к другому изменяется от 20 до 200 А и расстояния между ними.вЂ” от 1000 до 20 Х. Коэффициент

5 выпрямления достигает Квыпр вЂ” 10 и внутреннее сопротивление Ввнутр = 10 мОм (Йвнутр, варьируется в пределах от десятков кОм до сотен мОм).

В основе работы диода лежит эффект уни- о полярной проводимости диспергированных металлических пленок с указанной выше структурой.

Известно, что проводимость диспергированных металлических пленок обусловлена туннелированием электронов через потенциальные барьеры между островками, буричем коэффициент прозрачности зависит от разности потенциалов между ними.

Оказалось, что распределение потенциала в пленке с такой неоднородной структурой го зависит от полярности приложенного к ней напряжения, т.е. приводит к диодному эффекту.

Прямым направлением тока является такое, при котором ток протекает от крупных островков к мелким. Э

Радиационная стойкость предлагаемого пленочного диода достигается тем, что проводи66 4 мость металлов и диэлектриков при облучении существенно не меняется, Свойства этой системы зависят от температуры, но интервал рабочих температур значительно расширяется (для пленок золота на стекле 4,2-600 К, а для пленок тугоплавких металлов, например хрома, 4,2 вЂ” 800 К), Формупа изобретения

Пленочный диод, содержащий диэлектрическую подложку, электрический вентиль и пленочные металлические электроды, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости, расширения температурного диапазона работы, а также уменьшения габаритов, электрическим вентилем является нанесенная на диэлектрическую подложку между электродами диспергированная металлическая пленка, в которой размер островков и расстояние между ними монотонно изменяются от одного электрода к другому.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов, "Энергия", М., 1973, с. 449-488.

2. Патент США Я 3643122, кл. 317 вЂ” 234 (Н 01 119/00), 1972.

Полупроводниковый материал для записи голограмм // 453976

Патент 155871 // 155871

Селеновый выпрямительный элемент // 112331

Сульфидный выпрямитель // 86345

Полупроводниковый материал для адсорбционных сенсоров низкомолекулярных органических соединений и способ его изготовления // 2119695

Изобретение относится к составу полупроводниковых материалов, используемых в адсорбционных сенсорах для обнаружения и количественной оценки концентрации низкомолекулярных органических соединений, преимущественно кетонов в выдыхаемом людьми воздухе, и к технологии изготовления таких полупроводниковых материалов

Полупроводниковый материал // 2033986

Изобретение относится к керамическому производству, в частности к полупроводниковому материалу

Полупровдниковое устройство // 670023

Полупроводниковое запоминающее устройство // 789018

Порошковый материал на основе окиси алюминия для плазменного напыления теплостоков полупроводниковых приборов // 1661877

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к порошковым материалам на основе окиси алюминия для плазменного напыления теплостоков полупроводниковых приборов, например электроизолирующих теплопроводных слоев на теплопередающих или теплоотводящих поверхностях полупроводниковых приборов

Переключающая схема и полупроводниковый модуль // 2557456

Изобретение относится к переключающимся схемам. Технический результат заключается в уменьшении нагрузки на схему формирователя сигналов управления затвором. Переключающая схема включает в себя: первый переключающий элемент; резистор, вставленный между управляющим электродом первого переключающего элемента и схемой управления, которая выполняет управление переключением для первого переключающего элемента; и первый конденсатор и второй переключающий элемент, подключенные между управляющим электродом первого переключающего элемента и электродом на стороне с низким потенциалом первого переключающего элемента. Электрод на стороне с высоким потенциалом второго переключающего элемента подключен к управляющему электроду первого переключающего элемента. Электрод на стороне с низким потенциалом второго переключающего элемента подключен к одному электроду первого конденсатора. Другой электрод первого конденсатора подключен к электроду на стороне с низким потенциалом первого переключающего элемента. Управляющий электрод второго переключающего элемента подключен к электроду резистора, подключенного к схеме управления. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 16 ил.

Способ управления трением в парах трения // 2639745

Изобретение относится к управлению трением в парах трения и может найти широкое применение в различных отраслях, таких как станкостроение, транспортное машиностроение, приборостроение и других. Способ регулирования трения в элементах пары трения включает предварительное нанесение на элементы пары трения покрытия из дихалькогенида переходного металла, причем на один элемент наносят дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а на другой - дихалькогенид переходного металла, легированный примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа. Легирующие примеси используют в концентрации от 1 до 10 атомов примеси на 107 молекул дихалькогенида переходного металла, затем на элементы пары трения подают постоянный ток с регулируемой разностью потенциалов. Положительный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник n-типа, а отрицательный потенциал подают на элемент с покрытием из дихалькогенида переходного металла, легированного примесью, обеспечивающей полупроводник р-типа, при этом напряжение изменяют от 0 до напряжения пробоя сформированного элементами пары трения р - n-перехода. Обеспечивается повышение эффективности управления трением в парах трения. 9 з.п. ф-лы, 1 пр.