Устройство для защиты от перенапряжений

 

1е Т4ео

I)g1l . Q ) ° r с.оюз соеетских . О Il Я C А H Я 1 1! 1! 560290

Социалистимеских !

1 о ЛД

Реслублин

ЙЗОЬРЕ1ЕНК

К ЛВТОРСКО1=1V СЬКДЕтЬЛЬСТа; (61) До1-.олнительнос к авт. свид-ву (22) Заявлено 03.04.75 (21) 2119225,07 (51) М. 1 с!.- Н 02Н 7 10

c iIj)IIcoc+IlHeHrIc I заявки М (23) Приоритет

Опубликовано 30.05.77. Бюллетень ¹ 20

Дата опубликования описания 11.07.77

Государственный комитет

Совета Министров СССР оа делам изобретений и открытий (53) УДЬ; 621.316.925А:

: 621.314.572 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Е. Бондаренко v В. И. Романовский (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАЩИТЫ ОТ 11ЕРЕИА11РЯЖЕИИИ

Р1зобретепие относится к области устройств за!циты и может быть использовано в радиоэлектронной аппаратуре. известно устройство для защиты нагрузки от перенапряжений, содержащее измерительный орган, транзистор, пороговый элемент, конденсатор и исполннтельный элемент (1).

Недостатком этого устройства является зависимость порога срабатывания от температуры.

Наиболее близким к предлагаемому устройству является устройство зашиты, содержащее исполнительный орган на тиристоре с пороговым элементом в управляющей цепи, конденсатор 11 реагирующий орган с транзистором (2J. Недостатком этого устройства является недостаточная надежность егÎ срабатывания.

С целью повышения надежности путем увеличения амплитуды импульса управления тиристором предлагаемое устройство защиты снабжено диодом, анод которого подключен к положиTcëüíîé шине источника питания и эмнттеру транзистора, а катод — к порогoBQму элсмс!Нгу и обкладке конденсатора, друГ2Я ООКЛ2ДКсl IiOTOj)OI 0 СОЕДИНЕН2 С КОЛЛЕКТОром транзистора.

На чертеже представлена схема устройства

32Щ!!

1 cTj)OIIOTBo содер и lт испо )нптсльный 0)) ган а тирпсторс 1 с пороговым элементом 2 в цспи ) прав:lяloiLJcгo элск1 род 1, 1 Опдснсатор н реагирующий Орган с транзистором 4, диOt, О, Tl HHcЛьный QII0+ 6.

П;)и номинал llo)I вы.;одно и lьапряжснии то! . TA 11HCЛЬНО! 0 ),110;ja 6 ВЫбпр;)стоя тс!КИМ, ЧтООЫ О Нано III.)CH В СОСтОЯ1сни С МаЛЫМ СОп1)отивлснпсм. При этом транзистор 4 закрыт

1О и конденс2то;) 3 заряжен до мровня 1 .011Tj)o;111русмого напряжения через диод 5. В этом

СОСТОЯН11li П2ПРЯжЕНИЕ Па ВоКОДЕ ПОРОГОВОГО элемента 2 ниже его порога срабатывания и спг !ал на исполнительный орган ие поступа15 ст. В качестьс порогового элемента может быть использован элемент, имеющи!! релейную карактеристику (тиристор со стабилитроном, динпстор) .

20 При I)0:-;) астании нап;)Яження Iia на груз!Се до некоторой аварийной величины туннсльный диод 6 псрскл!Очается в состояние с оольшпм сопротивлением. Прп этом транзистор 4 включ",ется и перс.;одит в режим на)5 сыщения, потенциал на катоде диода 5 QTHocu гсльпо минусовой шины повышается до у)овня, раш!ого у.!восHi!oму значению контроли,усмого напряжснп".. Диод 5 aaiiaj)aeTся, пороговый элемент 2 включается и подает

3) el!I Ha;I на ис 10;1 н1г1 сльный элсмсHT 1, кото1

560290

ЗИ306) .

Составитель В. Литвиненко

Тсхред Л. Денискина

Корректор Н. Аук

Редактор Н. Коляда

Заказ 1454/12 Изд. ¹ 472 Тираж 917 Подписное

Ц1-1И1111И Го .т1арствс!и:ого комитета Совета Минис-,ров СССР

io аслам изобретеги1й li открытий

113035, Москва. )К-35, Ра}гавкая паб., д, 4/5

Тниогрж11ия, вр CBII) нова, 2 рыl! про!!Зводит От!,tloчснпе нагp I B„lt oT исто ника пита! ия.

Т мпературная Bccгабплки1ость порога сра

Оатывап!1я за!циты Оп1)еделяcтся толькО Нсстабильностью тока пика туннельного диода и не превышает 0,05",в/град (для диодов типа

Формула изобретения

Устройство для защиты от перенапряжений, содержащее исполнительный орган, выполненный на тиристоре с пороговым элементом в цепи управляющего электрода, конденсатор и реагирующий орган с транзистором, 0 T.л 1 ч а 1О: .! "= е с я TE.", 1то, с нетью ПО13ь1и, ппя надеп !Ост1! и;" c . .., -.Пчс;11,я а,1п Illi",, lь1 и. Iï лhcа уп,:авления тирlicтором, Оно

cнабжс о диодо;I. анод которого подключен к

5 поло,кнтсльной шине источника питания и эмиттеру транзистора, а катод — к пороговому элементу и обкладке конденсатора, другая обкладка которого соединена с коллектором транзистора.

10 Источники информации, принятые Во внимание при экспертизе: !. Лвт. св. ¹ 279765, кл. Н 02Н 3/20, 1970.

2. Справочник «Тиристоры», М., «Энергия», 1971, с. 194, рис. 8 — 19 (прототип).