Полирующий состав
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
1 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 24.08.73 (21) 1955272/25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет
1 (43) Опубликовано 05.06.77. Бюллетень № 21 (45) Дата опубликования описании 23.09.77
Союз Советских
Социалистических
Республик (11) 5б1233 (51) М. KJI.е Н01 1 21/463
Государственны|й камнтет
Советв Мнннстрав СССР по делам нзоаретеннй н OTKpDITNN (53) УДК 621.382(088.8) (72) Авторы изобретения
Е. Б. Бычков и А. И.Татаренков (71) Заявитель (54) ПОЛИРУЮЩИЙ СОСТАВ
Изобретение относится к составам, используемым при холодной обработке твердых и сверхтвердых материалов, в частности полупроводниковых кристаллов (пластин), диэлектрических подложек и стеклянных заготовок в процессе производства изделий электронной техники.
Известны полирующие композиции для химико-механической полировки на основе кристаллического порошка — аэросила, окислителя и водной среды.
При использовании известных полирующих композиций при удельных давлениях на пластины больше 100 г/см и скорости вращения полировальника выше 100 об/мин происходит сильный разогрев пластин и срыв, Это ограничивает скорость полирования и повышает процент брака. Процесс полирования нестабильный, например, обработка на нетканых полировальниках сопровождается появлением царапин на поверхности пластин.
1!ель изобретения — разработка состава для полирования полупроводниковых и диэлектрических материалов (пластин, кристаллов, деталей), который повьппает эффективность процесса полирования с сохранением качества поверхности. получаемой полированием известными полирующими композициями.
Предложенньй полирующий состав, не включающий токсичных веществ, улучшает процесс полирования, повышает производительность труда и уменьшает процент брака. Полирующий состав включает в качестве основного полирующего вещества алюмосиликаты, наттример цеолит, и вещество для катионного обмена. Полирующий состав
1р готовят на основе водного раствора. Для полирования кремниевых пластин используется полирующий состав, включающий компоненты (в вес. o):
Цеолит NaA 5 — 80
Азотнокислая медь 0,1 — 5
15 Перекись водорода (3№ ная) 0,01 — 1
Вода Остальное
В присутствии азотнокислой меди повышается скорость полирования за счет способности кремния вытеснять медь из растворов ее солей и улучшается качество обработки, так как активными участками поверхности являются вершины микронеровностей.
Цеолит выполняет функции сорбента ионов меди и инструмента для механического удаления с поверхности продуктов полировки и примесей.
561233
Формула изобретения, 10
1Ьолит
Азотнокислая медь или углекислый аммоний
Перекись водорода (30%)
Вода
5 — 85
0,1 — 5
0,01 — 3
Остальное
Составитель Ю. Слепнев
Редактор Т. Орловская Техред И. Андрейчук Корректор E. Ilann
Заказ 1584/155 Тираж Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР ло делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал 01IH "Па кн l"",,г. Уж ороси, ул. 1lроектная, 4
Для полирования пластин германия, арсенида галлия, арсенида индия и стеклянных заготовок используется полирующий состав, состоящий из компонентов, взятых в следующих соотндШениях (sec.%):
Цеолит NaA 5 — 85
Угле кчслый аммоний 0,1 — 4
Перекись водорода (30 ная) 0,5 — 3
Вода Остальное
Введение в полирующий состав окислителя — перекиси водорода способствует образованию на поверхности окислов обрабатываемых материалов, введение в полирующий состав углекислого аммо. ния, повышает щелочную реакцию, которая способствует растворению окислов. При полировке предложенными полирующими ".îñòàâàìè пластины кремния, арсенида индия, германия, арсенида галлия и стеклянных заготовок была получена поверхность 13 класса.
В процессе полирования предложенными составами на основе цеолита, обладающего хорошей сорбционной способностью к органическим и неорганическим веществам, образующиеся продукты полирования и примеси сорбируются на цеолите и легко удаляются с поверхности во время отмывки.
Полирующие составы. могут применяться для полупроводниковых и диэлектрических. материалов, имеющих различный класс предварительной. обработки, любой кристаллографической ориентации, геометрической формы и любой степени легирования.
Полируннций состав для обработки, например, полупроводниковых материалов, содержащий крисI таллический порошок, окислитель, например пс рекис1 водородаиводу, отличающийся тем,что, с
15 целью повышения эффективности процесса полирования, он дополнительно содержит вещество для катионного обмена, например азотнокислую медь или углекислый аммоний, а в качестве кристаллического порошка взяты алюмосиликаты, например, цеолиты при следующем соотношении компонентов в вес.%:
