Изобретение относится к области тензометр ии. Предлагаемый способ может быть применен для измерения очень малых деформаций и в тех случаях, когда необходимо изменять чувствительность тензометрического устройства без замены его тензочувствительного элемента.

Известны способы определения деформаций с помощью полупроводниковых тензочувствительных элементов. Однако эти способы не позволяют измерять очень малые деформации, имея относительно низкую чувствительность. Возможность управления тензочувствительностью в этих способах отсутствует.

В данном изобретении предлагается способ повышения чувствительносги к измеряемым малым деформациям и способ управления тензочувствительностью полупроводникового тензоэлемента в готовом приборе.

Поставленная цель достигается путем использования в качестве тензочувствительного элемента полупроводникового датчика в cocT0kkkllfk замороженной проводимости и изменением коэффициента тензочувствительности полупроводника путем изменения уровня замороженной проводгпмости.

Замороженной проводимостью (ЗП) называют высокопроводящее состояние полупроводниковых объектов, длительно сохраняющееся после выключения внешнего возбуждения (например, фотоактивного освещения), увеличивающего проводимость объектов. Характерные времена сохранения состояния ЗП

5 составляют 10 вЂ”:10 сек. Это состояние крайне чувствительно к воздействиям, изменяющим параметры макроскопических потенциальных барьеров в полупроводнике, обусловленных наличием границ кристаллитов, 10 дислокаций, конгломератов примесей и т. д., при этом тензочувствительность полупроводника существенно зависит от величины проводимости в состоянии ЗП.

На чертеже для температуры жидкого азо15 та показана типичная экспериментальная зависимость коэффициента тензочувствительности к относительной деформацией е для пленки CdS, находящейся в состоянии ЗП.

Пленка деформировалась за счет изгиба

20 слюдяной подложки. Из чертежа видно, что коэффициент К для состояния ЗП может достигать крайне высоких значений, превышающих 10 . Не введенная в состояние ЗП пленка обладает обычной тензочувствительностью, 25 не превышающей 10 . Путем варьирования за счет внешних воздействий проводимости в состоянии ЗП той же пленки CdS величина К может изменяться в интервале значений

10 (К(10, при этом К растет с увел ичени30 ем уровня ЗП, // Дл

7-4

Составитель И. Шаманин

Техред 3. Тараненко

Редактор Н. Коган

Корректор О. Тюрина

Заказ 1849/6

Изд. № 602 Тираж 907

НПО Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное 1ипография, пр. Сапунова, 2

Таким образом, введение полупроводникового объекта в режим ЗП, например, путем оптического возбуждения существенно увеличивает тензочувствительность и позволяет варьировать ее величину в широких пределах.

Формула изобретен ия

1. Способ определения деформаций с использованием полупроводникового тензочувствительного элемента, отлич а ю бийся тем, что, с целью повышения чувствительности, в качестве тензочувствительного элемента используется полупроводниковый датчик в

5 состоянии замороженной проводимости.

2, Способ по п. 1, отличающийся тем, что тензочувствительность элемента изменяют путем изменения уровня замороженной

10 проводимосги.

Тензопреобразователь // 565203

Устройство для измерения контактных деформаций двух соприкасающихся образцов // 564518

Устройство для автоматической фиксации предела пропорциональности // 564517

Тензометр // 563559

Частотный преобразователь // 563558

Способ измерения длины развивающихся трещин в токопроводящих образцах и устройство для его осуществления // 561441

Устройство для травления фольговых тензорезисторов // 561084

Датчик деформаций // 561083

Тензометрическое устройство // 561082

Устройство для контроля деформации и способы его использования в механических структурах, подвергающихся напряжению // 2110044

Изобретение относится к измерению и контролю напряжений в конструкциях любого типа

Устройство для измерения деформаций при повышенных температурах // 2110766

Устройство для измерения деформации конструктивного элемента (варианты) // 2116614

Способ определения изгибной жесткости объектов из композиционных материалов // 2120120

Изобретение относится к испытательной технике и имеет целью повышение точности способа определения изгибной жесткости объектов, изготовленных из композиционных материалов

Устройство для измерения деформаций конструкций из композиционных материалов при повышенных температурах // 2149352

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к средствам измерения деформаций конструкций летательных аппаратов при испытаниях на прочность

Многоканальное тензометрическое устройство // 2157961

Изобретение относится к области автоматизации процессов взвешивания, дозирования и испытания материалов

Пьезопленочный датчик многократного применения для измерения динамических деформаций // 2160428

Изобретение относится к средствам измерения динамической деформации, измеряющим динамическое деформируемое состояние инженерных конструкций

Датчик перемещения // 2165068

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к устройствам, контролирующим перемещение деталей машин, и может быть использовано в системах контроля машинами и оборудованием

Датчик для измерения натяжения анкера // 2169901

Способ изготовления прецизионного фольгового резистора // 2182381

Изобретение относится к электрорадиотехнике, а в частности к технологии изготовления прецизионных фольговых резисторов, а также может быть использовано при изготовлении резисторов широкого применения